公开(公告)号：WO2017152451A1

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：PCT/CN2016/078755

申请日：2016-04-08

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 葛世民

IPC: G02F1/1343 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/127 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种FFS模式的阵列基板及制作方法，该FFS模式的阵列基板包括基层；第二绝缘层（20），其沉积于所述基层上，该第二绝缘层（20）上形成有第一过孔（20a）以及第二过孔（20b）；像素电极层（30），其沉积于所述第二绝缘层（20）上，像素电极层（30）上设置有像素电极；源极（41）以及漏极（42）；第三绝缘层（50），其设置于源极（41）、漏极（42）、像素电极以及第二绝缘层（20）上。

公开(公告)号：WO2017067067A1

公开(公告)日：2017-04-27

申请号：PCT/CN2015/099148

申请日：2015-12-28

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 武岳

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2001/13625 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32133 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/1296 ,  H01L27/3248

Abstract: 公开了一种COA基板的制造方法，包括：在衬底基板（10）上形成薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成第二绝缘层（15）；在第二绝缘层（15）上形成色阻层（16）；在色阻层（16）上形成第三绝缘层（17）；形成露出薄膜晶体管的漏极的至少一个过孔（20）；在第三绝缘层（17）上形成ITO膜层（18）；在ITO膜层（18）上形成光阻层；对过孔区域ITO膜层上的光阻层进行遮光处理，并对非过孔区域ITO膜层上的光阻层进行曝光处理；对过孔区域ITO膜层上的光阻层和非过孔区域ITO膜层上的光阻层进行显影处理，以得到覆盖在过孔区域ITO膜层上的光阻层塞子（19）。通过上述方式，利用光阻将过孔的洞口填满，能够提高显示装置的面板的品质。

公开(公告)号：WO2016107312A1

公开(公告)日：2016-07-07

申请号：PCT/CN2015/094755

申请日：2015-11-17

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 李明超 ,  张方振 ,  张培林

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  G06F3/044

CPC classification number: G02B5/201 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/133512 ,  G02F2001/136236 ,  G03F7/0007 ,  G03F7/40 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103

Abstract: 一种彩膜基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，采用上述彩膜基板制备显示装置，能够简化制备工序，降低成本。彩膜基板的制备方法包括通过一次构图工艺形成多个横纵交叉的第一黑矩阵（200）、第二黑矩阵（201）的图案以及多个位于第二黑矩阵（201）图案远离衬底基板（10）一侧表面的第一触控电极（301）的图案；其中，第一黑矩阵（200）和第二黑矩阵（201）的图案交叉界定多个呈矩阵形式排列的彩色滤光区域（100）；在彩色滤光区域（100）内形成彩色滤光层（101）的图案。

公开(公告)号：WO2015188402A1

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：PCT/CN2014/080822

申请日：2014-06-26

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 徐向阳

IPC: G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/13439 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2001/136295 ,  G03F1/50 ,  G03F1/76 ,  G03F1/80 ,  G03F7/2002 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/283 ,  H01L21/32139

Abstract: 一种掩膜板（1）以及紫外线掩膜板、阵列基板的制造方法，属于显示技术领域，能够降低紫外线掩膜板的制造成本。该掩膜板（1），包括全透光区域（11）、半透光区域（12）和不透光区域（13）；所述全透光区域（11）对应于液晶面板的框胶区域，所述不透光区域（13）对应液晶面板的图层图案区域，所述掩膜板（1）的其余区域为所述半透光区域（12）。上述掩膜板可用于液晶电视、液晶显示器、手机、平板电脑等显示装置的制造，并可节约掩膜成本。

公开(公告)号：WO2015100870A1

公开(公告)日：2015-07-09

申请号：PCT/CN2014/074889

申请日：2014-04-08

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

Inventor： 白金超 ,  刘耀 ,  李梁梁 ,  丁向前 ,  郭总杰

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1333

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/124

Abstract: 提供一种阵列基板及其制造方法，该制造方法在通过过孔电性连接不相邻的两个导电层时，通过多次刻蚀工艺分别刻蚀相邻导电层之间的绝缘层，形成位置对应的绝缘层过孔，以实现不相邻的导电层之间的电性连接。同时，在每次刻蚀工艺中，还可以完成相邻导电层之间通过过孔的电性连接。即在通过过孔电性连接至少三个导电层时，每次刻蚀工艺中均仅刻蚀相邻导电层之间的绝缘层，不会存在深孔和浅孔的区别，避免了浅孔出现过刻和坡度角异常的问题，提高了产品的良率和品质。

公开(公告)号：WO2011077607A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：PCT/JP2010/005179

申请日：2010-08-23

Applicant: シャープ株式会社 ,  近間義雅 ,  勝井宏充 ,  錦博彦 ,  太田純史 ,  水野裕二 ,  原猛 ,  会田哲也 ,  鈴木正彦 ,  竹井美智子 ,  中川興史 ,  春本祥征

Inventor： 近間義雅 ,  勝井宏充 ,  錦博彦 ,  太田純史 ,  水野裕二 ,  原猛 ,  会田哲也 ,  鈴木正彦 ,  竹井美智子 ,  中川興史 ,  春本祥征

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2201/501 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288

Abstract: 　マトリクス状に設けられた複数の画素電極（Ｐ）と、各画素電極（Ｐ）にそれぞれ接続された複数のＴＦＴ（５）とを備え、各ＴＦＴ（５）が、絶縁基板に設けられたゲート電極（１１ａ）と、ゲート電極（１１ａ）を覆うように設けられたゲート絶縁膜（１２ａ）と、ゲート絶縁膜（１２ａ）上にゲート電極（１１ａ）に重なるように設けられた酸化物半導体層（１３ａ）と、互いに対峙するように設けられ、酸化物半導体層（１３ａ）にそれぞれ接続されたソース電極（１７ａ）及びドレイン電極（１７ｂ）とを備え、ソース電極（１７ａ）及びドレイン電極（１７ｂ）と酸化物半導体層（１３ａ）との間には、酸化物半導体層（１３ａ）を覆うように保護絶縁膜（１４ａ）が設けられている。

Abstract translation: 公开了一种有源矩阵基板，其设置有以矩阵形式设置的多个像素电极（P）和分别连接到像素电极（P）的多个TFT（5）。 每个TFT（5）设置有：设置在绝缘基板上的栅电极（11a） 栅极绝缘膜（12a），被设置为覆盖所述栅电极（11a）; 设置在栅极绝缘膜（12a）上的氧化物半导体层（13a），使得氧化物半导体层与栅电极（11a）重叠; 以及与氧化物半导体层（13a）连接的与源极电极（17a）和漏电极（17b）相对设置的面。 在源漏电极（17a，17b）和氧化物半导体层（13a）之间设置保护绝缘膜（14a），使得保护绝缘膜覆盖氧化物半导体层（13a）。

公开(公告)号：WO2008136155A1

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：PCT/JP2007/074316

申请日：2007-12-18

Applicant: シャープ株式会社 ,  中川英俊

Inventor： 中川英俊

IPC: G02F1/1337

CPC classification number: G02F1/133753 ,  G02F1/133788 ,  G02F2001/136236 ,  G03F7/70466

Abstract: 本発明は、不良を発生することなく額縁領域近傍における表示品位の向上が可能である液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置を提供する。本発明は、一対の対向する基板と、基板間に設けられた液晶層と、基板の少なくとも一方の液晶層側の表面に設けられた配向膜とを備え、かつ画素内にドメインを２以上有する液晶表示装置の製造方法であって、上記製造方法は、複数の透光部が遮光領域内に形成された第一マスク部と、第一マスク部における透光部の形態とは異なる形態で複数の透光部が遮光領域内に形成された第二マスク部とが設けられたフォトマスクを用い、第二マスク部を介して額縁領域の配向膜を露光するとともに、第一マスク部を介して表示領域の配向膜を露光する露光工程を含む液晶表示装置の製造方法である。

Abstract translation: 一种液晶显示装置的制造方法和液晶显示装置，其能够在不产生任何缺陷的情况下提高靠近框架边缘的显示等级。 液晶显示装置具有一对相对的基板，设置在基板之间的液晶层和设置在至少任一个基板的液晶层侧表面上的取向膜; 并且在像素内具有两个或多个域。 该制造方法具有使用具有第一掩模部分的光掩模的曝光步骤，其中在屏蔽区域内形成有透光部分，并且在屏蔽区域内以不同于其的形式形成透光部分的第二掩模部分 第一掩模部分中的透光部分的透光部分，以便通过第二掩模部分将框架边缘区域中的定向膜暴露出来，并通过第一掩模部分露出显示区域中的定向膜。

公开(公告)号：WO2008129748A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：PCT/JP2007/075147

申请日：2007-12-27

Applicant: シャープ株式会社 ,  今井 元 ,  菊池 哲郎 ,  北川 英樹 ,  原 義仁 ,  嶋田 純也 ,  今出 光則 ,  片岡 義晴

Inventor： 今井 元 ,  菊池 哲郎 ,  北川 英樹 ,  原 義仁 ,  嶋田 純也 ,  今出 光則 ,  片岡 義晴

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236

Abstract: 　高画質の半透過型及び反射型の液晶表示装置を製造効率よく提供する。 　本発明による液晶表示装置は、液晶を挟むように配置された第１基板及び第２基板と、第１基板に形成された、液晶の配向を制御する電圧を印加するための第１電極及び第２電極と、第１電極に電気的に接続された電極を有するトランジスタと、第１基板に形成された、凸部、凹部、又は開口を有する金属層と、第１基板における金属層の上に形成された、入射光を表示面に向けて反射させる反射層とを備えた液晶表示装置であって、金属層は、トランジスタのゲート電極と同じ材料によって形成されており、反射層は、金属層の凸部、凹部、又は開口に応じて形成された凸部、凹部、又は段差を有する。

Abstract translation: 以高生产效率生产高分辨率半透反射和反射液晶显示器。 液晶显示器具有第一基板和设置成保持液晶的第二基板，形成在第一基板上的第一电极和第二电极，并施加用于控制液晶取向的电压;具有电极的晶体管 电连接到第一电极，具有形成在第一基板上或第一基板中的突起，凹部或开口的金属层，以及形成在第一基板的金属层上并将入射光反射到显示表面的反射层。 金属层由与晶体管的栅电极相同的材料形成。 反射层具有突出部，凹部或与凸起，凹部或金属层的开口相对应的台阶。

公开(公告)号：WO2004109381A1

公开(公告)日：2004-12-16

申请号：PCT/IB2004/050834

申请日：2004-06-03

Applicant: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. ,  TANAKA, Hideo

Inventor： TANAKA, Hideo

IPC: G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/133553 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2001/13685

Abstract: A semiconductor film is formed in a gap between a source electrode and a drain electrode of a thin film transistor in an active-matrix type liquid crystal display device. A metal film for a gate electrode is formed on said semiconductor film via a gate insulating film. A photo-resist film, having a thick portion in region including the gap and having an opening portion in contact-­hole forming region, is formed on the metal film. A contact-hole is formed in the gate insulating film by using the organic material film as a mask. The organic material film is left on the region including the gap. A gate electrode is formed on the region including the gap by etching the first metal film by using the remained organic material film as a mask. An organic material film, having projections and depressions, is formed on a reflective region except the contact-hole forming region. A reflective electrode is formed on the organic material film having projections and depressions

Abstract translation: 半导体膜形成在有源矩阵型液晶显示装置中的薄膜晶体管的源极和漏极之间的间隙中。 通过栅极绝缘膜在所述半导体膜上形成用于栅电极的金属膜。 在金属膜上形成具有包含该间隙的区域中具有厚度部分并且在接触孔形成区域中具有开口部分的光致抗蚀剂膜。 通过使用有机材料膜作为掩模在栅极绝缘膜中形成接触孔。 有机材料膜留在包括间隙的区域上。 通过使用剩余的有机材料膜作为掩模，通过蚀刻第一金属膜，在包括间隙的区域上形成栅电极。 在除了接触孔形成区域之外的反射区域上形成具有凹凸的有机材料膜。 在具有凹凸的有机材料膜上形成反射电极

公开(公告)号：WO2003001606A1

公开(公告)日：2003-01-03

申请号：PCT/KR2002/001174

申请日：2002-06-20

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. ,  BYUN, Jae-Seong ,  LEE, Kun-Jong ,  LIM, Hyun-Su ,  CHA,, Jong-Hwan ,  JUNG, Bae-Hyoun

Inventor： BYUN, Jae-Seong ,  LEE, Kun-Jong ,  LIM, Hyun-Su ,  CHA,, Jong-Hwan ,  JUNG, Bae-Hyoun

IPC: H01L29/786

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/13439 ,  G02F2001/136236 ,  H01L29/4908

Abstract: The present invention relates to a TFT array panel and a fabricating method thereof. A gate insulating layer and a passivation layer are formed by printing organic insulating material in order to simplify the fabricating process. The inventive TFT panel includes an insulating substrate, and a gate wire formed on the insulating substrate. The gate wire includes a gate line extending in a first direction and a gate pad connected to one end of the gate line. A gate insulating layer is formed on the insulating substrate while exposing the gate pad and a portion of the gate line close to the gate pad. A semiconductor pattern is formed on the gate insulating layer. A data wire is formed on the gate insulating layer. The data wire includes a data line extending in a second direction and intersecting the gate line, a source electrode connected to the data line while contacting the semiconductor pattern, a drain electrode facing the source electrode while contacting the semiconductor pattern, and a data pad connected to one end of the data line. A passivation layer is formed on the gate insulating layer while exposing the data pad and a portion of the data line close to the data pad.

Abstract translation: 本发明涉及一种TFT阵列面板及其制造方法。 通过印刷有机绝缘材料形成栅绝缘层和钝化层，以简化制造工艺。 本发明的TFT面板包括绝缘基板和形成在绝缘基板上的栅极线。 栅极线包括沿第一方向延伸的栅极线和连接到栅极线的一端的栅极焊盘。 在绝缘基板上形成栅极绝缘层，同时使栅极焊盘和栅极线的一部分接近栅极焊盘。 在栅极绝缘层上形成半导体图形。 在栅极绝缘层上形成数据线。 数据线包括在第二方向上延伸并且与栅极线相交的数据线，在与半导体图案接触的同时连接到数据线的源电极，与半导体图案接触的面对源电极的漏电极和连接的数据焊盘 到数据线的一端。 在栅极绝缘层上形成钝化层，同时使数据焊盘和数据线的一部分接近数据焊盘。