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公开(公告)号:WO2018133134A1
公开(公告)日:2018-07-26
申请号:PCT/CN2017/073331
申请日:2017-02-13
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
IPC: G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/133512 , G02F1/133514 , G02F1/133516 , G02F1/1343 , G02F1/134363 , G02F1/13439 , G02F1/1368 , G02F2001/13606 , G02F2001/136222 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G02F2201/124 , G02F2202/103
Abstract: 一种COA基板,包括薄膜晶体管阵列、数据线(102)及扫描线(103),数据线(102)与扫描线(103)垂直相交,数据线(102)相交于扫描线(103)上方的部位形成缺口,该缺口跨过扫描线(103),该缺口通过跨接线(108)连接,跨接线(108)通过过孔(109)与数据线(102)导通;数据线(102)重叠于扫描线(103)的部位由位于不同膜层的跨接线(108)代替,跨接线(108)距离扫描线(102)厚度增加,重叠部的寄生电容值降低。
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公开(公告)号:WO2017206736A1
公开(公告)日:2017-12-07
申请号:PCT/CN2017/085097
申请日:2017-05-19
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/1248 , G02F1/133345 , G02F1/1362 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13606 , G02F2001/136222 , G02F2201/36 , H01L23/26 , H01L27/124
Abstract: 一种阵列基板及显示装置,阵列基板包括:衬底基板(1);以及多个数据线(10)和多个栅线(11),在衬底基板(1)上,数据线(10)和栅线(11)限定出多个像素单元,其中,每个像素单元包括像素电极(8),与数据线(10)和栅线(11)电连接,并被构造成驱动像素电极(8)的薄膜晶体管(4),以及在数据线(10)和/或栅线(11)上的树脂层(5),树脂层(5)设有至少一个放气结构(9),每个放气结构(9)具有背离衬底基板(1)的开口。
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公开(公告)号:WO2017076153A1
公开(公告)日:2017-05-11
申请号:PCT/CN2016/101767
申请日:2016-10-11
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2001/13606 , G02F2201/123 , H01L27/124
Abstract: 一种阵列基板及显示装置。该阵列基板包括:衬底基板、交叉设置在衬底基板上的多条栅线(1)和多条数据线(2)、设置在由相邻的栅线(1)与相邻的数据线(2)限定的区域内的像素电极(3)、以及设置在栅线(1)和数据线(2)的交叉位置处的薄膜晶体管。薄膜晶体管的漏极(4)与像素电极(3)通过过孔(5)连接。栅线(1)在相邻的数据线(2)之间包括宽化部(11),宽化部(11)包括凹入结构(12),并且凹入结构(12)在衬底基板上的正投影与薄膜晶体管的漏极(4)在衬底基板上的正投影至少部分重叠。由于栅线(1)在相邻的数据线(2)之间包括宽化部(11),所以降低了栅线(1)的信号延迟。另外,这样的宽化部(11)还包括凹入结构(12),该凹入结构(12)有利于灵活布线。具体地,薄膜晶体管的漏极(4)经过该凹入结构(12),从而可以降低薄膜晶体管的漏极(4)与栅线(1)的耦合电容。
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公开(公告)号:WO2017008493A1
公开(公告)日:2017-01-19
申请号:PCT/CN2016/071615
申请日:2016-01-21
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC: H01L21/77
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/133345 , G02F1/134309 , G02F1/13439 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13606 , G02F2001/136222 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/76802 , H01L21/77 , H01L27/1262 , H01L29/45 , H01L29/4908
Abstract: 一种导电过孔结构的制作方法、阵列基板的制作方法和显示装置的制作方法,阵列基板的制作方法包括:依次形成包括第一金属结构(01a)的第一金属层(01)、包括与第一金属结构(01a)对应的第一部分(71a)的非金属层薄膜、以及有机绝缘层薄膜(40');在对有机绝缘层薄膜(40')进行图案化处理以形成对应第一部分(71a)的第一有机绝缘层过孔(41)之后进行烘烤处理以形成有机绝缘层(40);之后,去除非金属层薄膜的第一部分(71a),以形成非金属层并暴露出第一金属结构(01a)的部分表面(011)。该方法可以避免金属结构被严重氧化。
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公开(公告)号:WO2016065797A1
公开(公告)日:2016-05-06
申请号:PCT/CN2015/074283
申请日:2015-03-16
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1362 , H01L27/32
CPC classification number: G02F1/136209 , G02F1/133308 , G02F1/136286 , G02F2001/13606 , G02F2001/136222 , G02F2201/121 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L27/1262 , H01L29/7869 , H01L51/5284 , H01L2227/323
Abstract: 一种COA基板及其制作方法和显示装置,涉及显示技术领域,解决了现有技术方案中公共电极与栅线之间和/或公共电极与数据线之间会产生较大寄生电容的问题,避免出现信号延迟,保证了信号的正常传送,提高了显示器件的画面的显示质量。该COA基板(1)包括:栅线、数据线、公共电极层(9)和黑矩阵(8),其中:所述黑矩阵(8)设置于所述栅线与所述公共电极层(9)之间和/或所述数据线与所述公共电极层(9)之间的位置;所述黑矩阵(8)的材料为金属材料。
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公开(公告)号:WO2016041302A1
公开(公告)日:2016-03-24
申请号:PCT/CN2015/070089
申请日:2015-01-05
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G02F1/1343
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/133345 , G02F1/134309 , G02F1/134363 , G02F1/136 , G02F2001/134318 , G02F2001/134372 , G02F2001/134381 , G02F2001/13606 , G02F2201/121 , H01L27/1248
Abstract: 提供了一种阵列基板和显示装置,能够减小Cgc和/或Cdc的电容值。阵列基板,包括:栅线(10)、数据线(20)、以及与栅线(10)和数据线(20)电性绝缘的公共电极层(70),其中,公共电极层(70)与栅线(10)之间存在至少一个交叠区域(A),和/或,公共电极层(70)与数据线(20)之间存在至少一个交叠区域(B);而且,公共电极层(70)包括位于至少一个交叠区域(A,B)的镂空结构部(2),且位于交叠区域(A,B)的镂空结构部(2)包含至少一个镂空区域。
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公开(公告)号:WO2015141739A1
公开(公告)日:2015-09-24
申请号:PCT/JP2015/058106
申请日:2015-03-18
Applicant: 株式会社オルタステクノロジー
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/133512 , G02F1/133514 , G02F1/136286 , G02F2001/13606 , G02F2201/121
Abstract: 液晶表示装置(10)は、基板(21)、(22)と、基板(21)、(22)間に挟持された液晶層(23)と、基板(22)上に設けられ、複数の画素を区画する遮光膜(BM)と、基板(22)上かつ遮光膜(BM)の複数の開口部に設けられたカラーフィルター(34)と、遮光膜(BM)及びカラーフィルター(34)上に設けられた共通電極(35)と、基板(21)上に設けられた信号線(SL)と、信号線(SL)の上方に絶縁膜を介して設けられ、信号線(SL)に電気的に接続され、画素に対応するように設けられた画素電極(27)とを含む。信号線(SL)の上方には、カラーフィルター(34)を介さずに遮光膜(BM)が配置される。
Abstract translation: 该液晶显示装置(10)包含:基板(21,22); 夹在所述基板(21,22)之间的液晶层(23)。 设置在所述基板(22)上并限定多个像素的遮光膜(BM); 设置在所述基板(22)上的所述遮光膜(BM)的所述多个开口的滤色器(34); 设置在滤色器(34)和遮光膜(BM)上的公共电极(35); 设置在所述基板(21)上的信号线(SL); 以及设置在信号线(SL)上方的绝缘膜之间的像素电极(27),电连接到信号线(SL),并且对应于像素提供。 遮光膜(BM)设置在信号线(SL)的上方,而其间没有彩色滤光片(34)。
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8.DISPLAY CIRCUITRY WITH IMPROVED TRANSMITTANCE AND REDUCED COUPLING CAPACITANCE 审中-公开
Title translation: 显示电路具有改进的传输和减少的耦合电容公开(公告)号:WO2015105801A1
公开(公告)日:2015-07-16
申请号:PCT/US2015/010338
申请日:2015-01-06
Applicant: APPLE INC.
Inventor: NOZU, Daisuke , YAMAGATA, Hirokazu , OSAWA, Hiroshi , LIN, Shang-Chih , CHANG, Shih, Chang , CHEN, Yu, Cheng
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1362 , G02F1/1333 , G02F1/136 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/133345 , G02F1/133502 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2001/13606 , G02F2001/13685 , G02F2201/40 , G02F2202/42 , H01L27/1255 , H01L27/1259
Abstract: A display may have a color filter layer (56) and a thin-film transistor layer (58). A layer of liquid crystal material (52) may be located between the color filter layer and the thin-film transistor (TFT) layer. The TFT layer may include thin-film transistors (308) formed on top of a glass substrate (302). A passivation layer (320) may be formed on the thin-film transistor layers. A first low-k dielectric layer (322) may be formed on the passivation layer. Data line routing structures may be formed on the first low-k dielectric layer. A second low-k dielectric layer (324) may be formed on the first low-k dielectric layer. A common voltage electrode (326) and associated storage capacitance may be formed on the second low-k dielectric layer. The first and second low-k dielectric layers may be formed from material having substantially similar refractive indices to maximize backlight transmittance and may have appropriate thicknesses so as to minimize parasitic capacitive loading.
Abstract translation: 显示器可以具有滤色器层(56)和薄膜晶体管层(58)。 一层液晶材料(52)可以位于滤色器层和薄膜晶体管(TFT)层之间。 TFT层可以包括形成在玻璃基板(302)的顶部上的薄膜晶体管(308)。 钝化层(320)可以形成在薄膜晶体管层上。 可以在钝化层上形成第一低k介电层(322)。 数据线路由结构可以形成在第一低k电介质层上。 可以在第一低k电介质层上形成第二低k电介质层(324)。 公共电压电极(326)和相关联的存储电容可以形成在第二低k电介质层上。 第一和第二低k电介质层可以由具有基本上相似的折射率的材料形成,以使背光透射率最大化并且可以具有适当的厚度,以便使寄生电容负载最小化。
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公开(公告)号:WO2015096396A1
公开(公告)日:2015-07-02
申请号:PCT/CN2014/078974
申请日:2014-05-30
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/133345 , G02F1/13439 , G02F1/136277 , G02F1/1368 , G02F2001/134372 , G02F2001/13606 , G02F2001/136218 , H01L27/1259 , H01L29/41733 , H01L29/41758 , H01L29/42356 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78633 , H01L29/7869
Abstract: 一种阵列基板及其制造方法、显示装置。阵列基板包括依次形成在衬底基板(20)表面上的TFT的栅极(21)以及栅绝缘层(22);在所述栅绝缘层(22)对应所述TFT的栅极(21)的表面上依次形成的半导体有源层(23)、刻蚀阻挡层(24)以及所述TFT的源极(251)和漏极(252),所述TFT的源极(251)和漏极(252)分别通过过孔与所述半导体有源层(23)相接触;还包括:形成在所述TFT的栅极(21)和所述衬底基板(20)之间的屏蔽电极(26);和形成在所述TFT的栅极(21)和所述屏蔽电极(26)之间的绝缘层(27);其中在所述栅极(21)面对所述源极(251)的区域,所述栅极的面积(210)小于所述源极(251)的面积;和/或在所述栅极(21)面对所述漏极(252)的区域,所述栅极的面积(210)小于所述漏极(252)的面积。该阵列基板降低了TFT源极(251)、漏极(252)与栅极(21)之间的寄生电容,提高了显示装置的质量。
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公开(公告)号:WO2015085641A1
公开(公告)日:2015-06-18
申请号:PCT/CN2013/091251
申请日:2013-12-31
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor: 徐向阳
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1362 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/133345 , G02F1/133512 , G02F1/133514 , G02F1/1339 , G02F1/13439 , G02F1/136209 , G02F1/1368 , G02F2001/133302 , G02F2001/134372 , G02F2001/13606 , G02F2001/136295 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G02F2202/103 , H01L21/02274 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L21/0274 , H01L27/1218 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L27/1262 , H01L27/127 , H01L29/42364 , H01L29/42372 , H01L29/4908 , H01L29/495 , H01L29/66765 , H01L29/78633 , H01L29/78669
Abstract: 一种阵列基板,该阵列基板包括:第一基板(32)、形成于第一基板(32)上的栅极线、形成于第一基板(32)上的数据线(34)、形成于第一基板(32)上的薄膜晶体管阵列、形成于薄膜晶体管阵列上的像素电极(36)、形成于像素电极(36)、数据线(34)与薄膜晶体管阵列上的第一钝化层(38)、形成于第一钝化层(38)上的黑色矩阵(42)、以及形成于黑色矩阵(42)与第一钝化层(38)上的公共电极(44)。该阵列基板将黑色矩阵形成于阵列基板上,减小了公共电极与栅极线、数据线之间的寄生电容,有利于提高公共电极上电压的均匀性。
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