阵列基板及显示装置
    3.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2017076153A1

    公开(公告)日:2017-05-11

    申请号:PCT/CN2016/101767

    申请日:2016-10-11

    Inventor: 程鸿飞 先建波

    Abstract: 一种阵列基板及显示装置。该阵列基板包括:衬底基板、交叉设置在衬底基板上的多条栅线(1)和多条数据线(2)、设置在由相邻的栅线(1)与相邻的数据线(2)限定的区域内的像素电极(3)、以及设置在栅线(1)和数据线(2)的交叉位置处的薄膜晶体管。薄膜晶体管的漏极(4)与像素电极(3)通过过孔(5)连接。栅线(1)在相邻的数据线(2)之间包括宽化部(11),宽化部(11)包括凹入结构(12),并且凹入结构(12)在衬底基板上的正投影与薄膜晶体管的漏极(4)在衬底基板上的正投影至少部分重叠。由于栅线(1)在相邻的数据线(2)之间包括宽化部(11),所以降低了栅线(1)的信号延迟。另外,这样的宽化部(11)还包括凹入结构(12),该凹入结构(12)有利于灵活布线。具体地,薄膜晶体管的漏极(4)经过该凹入结构(12),从而可以降低薄膜晶体管的漏极(4)与栅线(1)的耦合电容。

    液晶表示装置
    7.
    发明申请
    液晶表示装置 审中-公开
    液晶显示装置

    公开(公告)号:WO2015141739A1

    公开(公告)日:2015-09-24

    申请号:PCT/JP2015/058106

    申请日:2015-03-18

    Abstract:  液晶表示装置(10)は、基板(21)、(22)と、基板(21)、(22)間に挟持された液晶層(23)と、基板(22)上に設けられ、複数の画素を区画する遮光膜(BM)と、基板(22)上かつ遮光膜(BM)の複数の開口部に設けられたカラーフィルター(34)と、遮光膜(BM)及びカラーフィルター(34)上に設けられた共通電極(35)と、基板(21)上に設けられた信号線(SL)と、信号線(SL)の上方に絶縁膜を介して設けられ、信号線(SL)に電気的に接続され、画素に対応するように設けられた画素電極(27)とを含む。信号線(SL)の上方には、カラーフィルター(34)を介さずに遮光膜(BM)が配置される。

    Abstract translation: 该液晶显示装置(10)包含:基板(21,22); 夹在所述基板(21,22)之间的液晶层(23)。 设置在所述基板(22)上并限定多个像素的遮光膜(BM); 设置在所述基板(22)上的所述遮光膜(BM)的所述多个开口的滤色器(34); 设置在滤色器(34)和遮光膜(BM)上的公共电极(35); 设置在所述基板(21)上的信号线(SL); 以及设置在信号线(SL)上方的绝缘膜之间的像素电极(27),电连接到信号线(SL),并且对应于像素提供。 遮光膜(BM)设置在信号线(SL)的上方,而其间没有彩色滤光片(34)。

    DISPLAY CIRCUITRY WITH IMPROVED TRANSMITTANCE AND REDUCED COUPLING CAPACITANCE
    8.
    发明申请
    DISPLAY CIRCUITRY WITH IMPROVED TRANSMITTANCE AND REDUCED COUPLING CAPACITANCE 审中-公开
    显示电路具有改进的传输和减少的耦合电容

    公开(公告)号:WO2015105801A1

    公开(公告)日:2015-07-16

    申请号:PCT/US2015/010338

    申请日:2015-01-06

    Applicant: APPLE INC.

    Abstract: A display may have a color filter layer (56) and a thin-film transistor layer (58). A layer of liquid crystal material (52) may be located between the color filter layer and the thin-film transistor (TFT) layer. The TFT layer may include thin-film transistors (308) formed on top of a glass substrate (302). A passivation layer (320) may be formed on the thin-film transistor layers. A first low-k dielectric layer (322) may be formed on the passivation layer. Data line routing structures may be formed on the first low-k dielectric layer. A second low-k dielectric layer (324) may be formed on the first low-k dielectric layer. A common voltage electrode (326) and associated storage capacitance may be formed on the second low-k dielectric layer. The first and second low-k dielectric layers may be formed from material having substantially similar refractive indices to maximize backlight transmittance and may have appropriate thicknesses so as to minimize parasitic capacitive loading.

    Abstract translation: 显示器可以具有滤色器层(56)和薄膜晶体管层(58)。 一层液晶材料(52)可以位于滤色器层和薄膜晶体管(TFT)层之间。 TFT层可以包括形成在玻璃基板(302)的顶部上的薄膜晶体管(308)。 钝化层(320)可以形成在薄膜晶体管层上。 可以在钝化层上形成第一低k介电层(322)。 数据线路由结构可以形成在第一低k电介质层上。 可以在第一低k电介质层上形成第二低k电介质层(324)。 公共电压电极(326)和相关联的存储电容可以形成在第二低k电介质层上。 第一和第二低k电介质层可以由具有基本上相似的折射率的材料形成,以使背光透射率最大化并且可以具有适当的厚度,以便使寄生电容负载最小化。

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