公开(公告)号：WO2016171244A1

公开(公告)日：2016-10-27

申请号：PCT/JP2016/062724

申请日：2016-04-22

Applicant: 釜屋電機株式会社

Inventor： 森田　都文春 ,  野尻　悠介

IPC: H01C1/142 ,  H01C7/00 ,  H01C17/065 ,  H01C17/242

CPC classification number: H01C13/02 ,  H01C1/142 ,  H01C7/00 ,  H01C17/006 ,  H01C17/06 ,  H01C17/065 ,  H01C17/242

Abstract: チップ抵抗器は、絶縁基板１０、その上面の長手方向両端部に設けた第１及び第２の上面電極（１１ｘ、１１ｂ）、及び上面電極に電気的に接触する抵抗体１２を含み、上面電極は、対向する内側に切欠き部１１ａ及び突出部１１ｂを有し、第１の上面電極の切欠き部は、絶縁基板の長手方向の辺の少なくとも一方の側から絶縁基板横断方向内方に向かっており、第２の上面電極の切欠き部は、第１の上面電極の切欠き部と絶縁基板中央に対して実質的に点対称の位置にあり、抵抗体は、上面電極の突出部において接触する接触部１２ｂと、切欠き部における上面電極に接触しない非接触部１２ｃとを有し、非接触部端辺上の１点を始端として、絶縁基板の長手方向に延長した直線形状を含むトリミング溝（５３ａ，５３ｂ）を有する。

Abstract translation: 芯片电阻器包括：绝缘基板10; 第一和第二上表面电极（11x，11b），其设置在绝缘基板的上表面的纵向方向上的两端; 以及与上表面电极电接触的电阻器12。 上表面电极包括在相对的内侧上的切口部分11a和突出部分11b，第一上表面电极的切口部分从绝缘基板的至少一个纵向边侧向内侧延伸 绝缘基板的横向。 第二上表面电极的切口部分相对于第一上表面电极和绝缘基板中心的切口部分处于基本上点对称的位置。 电阻器包括与上表面电极的突出部分接触的接触部分12b和在切除部分处不与上表面电极接触的非接触部分12c，并且具有修剪槽（53a，53b） 从作为绝缘基板的长度方向的起始端的非接触部端部侧的点延伸的线状。

公开(公告)号：WO2015080333A1

公开(公告)日：2015-06-04

申请号：PCT/KR2013/011657

申请日：2013-12-16

Applicant: 스마트전자 주식회사

Inventor： 강두원 ,  김현창 ,  이경미 ,  문황제 ,  신아람 ,  강태헌

IPC: H01C17/242

CPC classification number: H01C17/28 ,  B29C65/16 ,  B29C65/70 ,  B29L2031/3487 ,  H01C1/144 ,  H01C17/242

Abstract: 본 발명은 전류측정소자 및 전류측정소자 어셈블리의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 레이저 또는 전자빔 용접으로 저항소자와 접속편을 접합시키기 때문에 용접변형을 최대한 방지할 수 있으며, 측정단자를 프레싱 및 벤딩하는 간단한 공정으로 제조할 수 있는 전류측정소자 및 전류측정소자 어셈블리의 제조방법에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造分流电阻器和分流电阻器组件的方法，更具体地说，涉及一种用于制造分流电阻器和分流电阻器组件的方法，其能够通过将电阻器元件和 通过激光或电子束焊接的连接件，并且能够通过简单的按压和弯曲工艺制造测量端子。 （代表图）图1

公开(公告)号：WO2009043826A1

公开(公告)日：2009-04-09

申请号：PCT/EP2008/062973

申请日：2008-09-26

Applicant: EPCOS AG ,  PECINA, Axel ,  MARIC, Zeljko

Inventor： PECINA, Axel ,  MARIC, Zeljko

IPC: H01G4/40 ,  H01G4/30 ,  H01C7/18 ,  H01C17/24 ,  H01C17/242

CPC classification number: H01G4/40 ,  H01C7/18 ,  H01C17/2416 ,  H01C17/242 ,  H01G4/30 ,  Y10T156/10

Abstract: Es wird ein elektrisches Vielschichtbauelement angegeben, aufweisend einen Stapel (1) von übereinander angeordneten dielektrischen Schichten (2) und Elektrodenschichten (3), wobei elektrisch gleichpolige Elektrodenschichten gemeinsam mit einem an einer Seitenfläche des Stapelsangeordneten Außenkontakt (5a, 5b) kontaktiert sind, und wobei ein mit dem Stapel versinterter Widerstand (4), der keramisches Widerstandsmaterial enthält, auf einer Stirnfläche des Stapels angeordnet ist.

Abstract translation: 提供了一种电多层器件，其包括堆叠的电介质层（2）和电极层的堆叠（1）（3），所述具有电单极电极层一起在堆叠的侧面设置外接触（5A，5B）接触，并且其中 用含有陶瓷电阻材料的电阻versinterter（4）的堆叠被布置在堆叠的端面。

公开(公告)号：WO2005037478A3

公开(公告)日：2006-04-27

申请号：PCT/US2004034378

申请日：2004-10-18

Applicant: GSI LUMONICS CORP ,  KITAI ANTON T ,  EHRMANN JONATHAN S

Inventor： KITAI ANTON T ,  EHRMANN JONATHAN S

IPC: B23K26/08 ,  B23K20060101 ,  B23K26/00 ,  B23K26/06 ,  H01C17/242 ,  H01G13/00

CPC classification number: B23K26/0665 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/082 ,  B23K26/351 ,  H01C17/242 ,  H01G13/00

Abstract: An energy beam machining system includes an emitter for emitting an energy beam and beam adjusting optics, such as a zoom telescope, for adjusting the pupil size of the system to multiple values. The adjusting of the pupil size can be carried out automatically, semi-automatically, or manually. In manual modes, instructions can be presented to the operator (e.g., via a monitor or pre-programmed audio instruction) indicating how to adjust pupil size. A focus lens focuses the adjusted beam directed along each path at a different focal point within a scan field encompassed in the field of view of the focus lens. Beam directing optics are configured to enable multiple scan fields within the field of view of the focus lens.

Abstract translation: 能量束加工系统包括用于发射能量束的发射器和诸如变焦望远镜的光束调节光学器件，用于将系统的光瞳尺寸调整为多个值。 瞳孔大小的调整可以自动，半自动或手动进行。 在手动模式中，可以向操作者（例如，经由监视器或预编程的音频指令）呈现指示如何调节瞳孔大小的指令。 聚焦透镜将在每个路径上被调整的光束聚焦在包围在聚焦透镜的视场内的扫描场内的不同焦点处。 光束引导光学器件被配置为使得能够在聚焦透镜的视场内的多个扫描场。

公开(公告)号：WO2005037478A2

公开(公告)日：2005-04-28

申请号：PCT/US2004/034378

申请日：2004-10-18

Applicant: GSI LUMONICS CORPORATION ,  KITAI, Anton, T. ,  EHRMANN, Jonathan, S.

Inventor： KITAI, Anton, T. ,  EHRMANN, Jonathan, S.

IPC: B23K

CPC classification number: B23K26/0665 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/082 ,  B23K26/351 ,  H01C17/242 ,  H01G13/00

Abstract: An energy beam machining system includes an emitter for emitting an energy beam and beam adjusting optics, such as a zoom telescope, for adjusting the pupil size of the system to multiple values. The adjusting of the pupil size can be carried out automatically, semi-automatically, or manually. In manual modes, instructions can be presented to the operator (e.g., via a monitor or pre-programmed audio instruction) indicating how to adjust pupil size. A focus lens focuses the adjusted beam directed along each path at a different focal point within a scan field encompassed in the field of view of the focus lens. Beam directing optics are configured to enable multiple scan fields within the field of view of the focus lens.

Abstract translation: 能量束加工系统包括用于发射能量束的发射器和诸如变焦望远镜的光束调节光学器件，用于将系统的光瞳尺寸调整为多个值。 瞳孔大小的调整可以自动，半自动或手动进行。 在手动模式中，可以向操作者（例如，经由监视器或预编程的音频指令）呈现指示如何调节瞳孔大小的指令。 聚焦透镜将在每个路径上被调整的光束聚焦在包围在聚焦透镜的视场内的扫描场内的不同焦点处。 光束引导光学器件被配置为使得能够在聚焦透镜的视场内的多个扫描场。

公开(公告)号：WO2002071419A1

公开(公告)日：2002-09-12

申请号：PCT/EP2002/001730

申请日：2002-02-19

Applicant: BCCOMPONENTS HOLDINGS B.V. ,  WERNER, Wolfgang ,  WOLF, Horst ,  KÜHL, Reiner, Wilhelm

Inventor： WERNER, Wolfgang ,  WOLF, Horst ,  KÜHL, Reiner, Wilhelm

IPC: H01C17/00

CPC classification number: H01C17/003 ,  H01C17/006 ,  H01C17/242 ,  Y10S430/146 ,  Y10S438/94

Abstract: Bei einem Verfahren zum Herstellen von Dünnschicht-Chipwiderständen, bei welchem Verfahren auf die Oberseite eines flächigen Substrats (10) eine Widerstandsschicht (14) und eine Kontaktschicht (15, 16) aufgebracht und mittels Laserlicht so strukturiert wird, dass auf dem Substrat (10) nebeneinander eine Mehrzahl von separaten Widerstandsbahnen (24) mit einem näherungsweise vorbestimmten Widerstandswert entstehen, wird eine vereinfachte und kostengünstiger Herstellung dadurch erreicht, dass die elektrische Isolation der Widerstandelemente (13) und die Strukturierung der einzelnen Widerstandsbahnen (24) für die gesamte Widerstandsbahn gleichzeitig mittels eines laserlithographischen Direcktbelichtungsverfahrens erfolgt.

Abstract translation: 在用于制造薄膜片式电阻器的方法，在该方法中在平面基片的顶部（10）被施加的电阻层（14）和接触层（15，16）和构造成通过激光光的装置，使得在基板（10）上 由侧上的多个单独的电阻器轨道（24）侧具有近似预定电阻形成，实现了简化和廉价的生产中，通过的手段电阻元件（13）和各个电阻器轨道（24），用于在同一时间在整个电阻条的结构化的电绝缘 激光光刻Direcktbelichtungsverfahrens完成。

公开(公告)号：WO00077836A1

公开(公告)日：2000-12-21

申请号：PCT/CA2000/000715

申请日：2000-06-13

IPC: H01L27/04 ,  H01C17/242 ,  H01L21/02 ,  H01L21/22 ,  H01L21/268 ,  H01L21/822 ,  H01L27/08

CPC classification number: H01L28/20 ,  H01C17/242 ,  H01L27/0802

Abstract: The invention relates to a method of iteratively, selectively tuning the impedance of an integrated semiconductor device (1) by modifying the dopant profile of a region of low dopant concentration by controlled diffusion of dopants from one or more adjacent regions of higher dopant concentration through the melting action of a focussed heating source, such as a laser. For instance, the focussed heating source is directed to a selected area which encompasses a portion of a first and a second doped region, one of which have a higher dopant concentration than the other. At least one heating pulse is applied to the selected area so as to melt it. The selected area is allowed to solidify between each successive application of the heating pulse or pulses. The method is used for increasing as well as decreasing the dopant concentration of the selected area in order to tune the resistance value of the integrated semiconductor device (1) without requiring any additional manufacturing steps.

Abstract translation: 本发明涉及一种迭代地选择性地调整集成半导体器件（1）的阻抗的方法，该方法是通过从掺杂剂浓度较高的一个或多个相邻区域通过所述掺杂剂浓度的控制扩散来调节低掺杂剂浓度区域的掺杂剂分布 聚焦加热源（例如激光）的熔化作用。 例如，聚焦的加热源被引导到包围第一和第二掺杂区域的一部分的选定区域，其中一个具有比另一个更高的掺杂剂浓度。 至少一个加热脉冲施加到所选择的区域以使其熔化。 允许所选区域在每个连续施加的加热脉冲或脉冲之间凝固。 该方法用于增加以及降低所选区域的掺杂剂浓度，以便调整集成半导体器件（1）的电阻值，而不需要任何额外的制造步骤。

公开(公告)号：WO99040591A1

公开(公告)日：1999-08-12

申请号：PCT/US1998/017891

申请日：1998-08-28

IPC: H01C17/242

CPC classification number: H01C17/242

Abstract: A method of laser trimming a passive resistive component changes its resistance value while leaving substantially unchanged coverage of the substrate area the component occupies to maintain its power dissipation capacity or preserve its high frequency response characteristics. In a preferred embodiment, the output of a 266 nm or 355 nm, Q-switched YAG laser or a 349 nm, Q-switched YLF laser is controlled so that no single output pulse completely removes thick-film resistor material depthwise at any given location. The laser output is moved in a line scan or raster scan fashion across an area of the resistor material to ablate a portion of its surface area to a depth that is less than the height of the resistor material. Varying the laser fluence, scan speed, bite size, repetition rate, and pitch makes possible the control of the amount of material, and particularly the depth of material, removed by the laser. The laser output is scanned across the exposed surface of the resistor until its resistance value reaches a desired value. Partly removing the resistor material allows resistance tuning with no damage to the substrate. Leaving substantially unchanged the substrate area that the resistor covers maintains its power dissipation capacity and preserves its frequency response characteristics.

Abstract translation: 激光微调无源电阻元件的方法改变其电阻值，同时保持元件占据的衬底面积的基本上不变的覆盖范围，以保持其功率耗散能力或保持其高频响应特性。 在优选实施例中，266nm或355nm Q开关YAG激光器或349nm Q开关YLF激光器的输出被控制，使得没有单个输出脉冲在任何给定位置处完全去除厚膜电阻器材料 。 激光输出以线扫描或光栅扫描的方式移动到电阻材料的区域上，以将其表面区域的一部分烧蚀到小于电阻材料的高度的深度。 改变激光注量，扫描速度，咬合尺寸，重复率和间距使得可以控制由激光器去除的材料的量，特别是材料的深度。 激光输出扫描电阻的暴露表面，直到其电阻值达到所需值。 部分去除电阻材料允许电阻调整，而不损坏基板。 使电阻器覆盖的衬底面积基本上保持不变，从而保持其功率耗散能力并保持其频率响应特性。

公开(公告)号：WO2016067726A1

公开(公告)日：2016-05-06

申请号：PCT/JP2015/073882

申请日：2015-08-25

Applicant: KOA株式会社

Inventor： 松本　健太郎

IPC: H01C7/00 ,  H01C1/032 ,  H01C17/242

CPC classification number: H01C1/142 ,  H01C1/012 ,  H01C1/032 ,  H01C1/148 ,  H01C7/18 ,  H01C17/006 ,  H01C17/242 ,  H01C17/281

Abstract: 　抵抗体を外部環境から確実に保護することができると共に耐食性にも優れたチップ抵抗器を提供するため、絶縁基板２と、絶縁基板２の表面両端部に設けられた一対の表電極３と、絶縁基板２の裏面両端部に設けられた一対の裏電極７と、両表電極３に跨るように設けられた抵抗体４と、抵抗体４を覆う第１絶縁層５と、第１絶縁層５を覆う樹脂材料からなる第２絶縁層６と、表電極３と裏電極７を導通する端面電極８と、端面電極８を覆うメッキ層９等を備え、第２絶縁層６の両端部にそれ以外の部位に比べて表面粗さを粗くした粗面部６ａを形成し、端面電極８とメッキ層９の端部をそれぞれ粗面部６ａに密着させる構成のチップ抵抗器１とした。

Abstract translation: 为了提供能够可靠地将电阻元件与外部环境保护的特别耐腐蚀的芯片电阻器，芯片电阻器1被配置为具有绝缘基板2，一对前表面电极3 设置在绝缘基板2的两个前表面端，设置在绝缘基板2的两个反向端的一对反向电极7，设置成在两个表面电极3上延伸的电阻元件4， 用于覆盖电阻元件4的第一绝缘层5，包括用于覆盖第一绝缘层5的塑料材料的第二绝缘层6，用于在表面电极3和反面电极7之间建立电连续性的端面电极8 ，覆盖端面电极8等的镀层9等。在第二绝缘层6的两端形成具有表面粗糙度的粗糙表面部分6a 超过其他部分。 每个端面电极8和镀层9的端部紧密地固定在粗糙表面部分6a上。

公开(公告)号：WO2015160578A1

公开(公告)日：2015-10-22

申请号：PCT/US2015/024816

申请日：2015-04-08

Applicant: OHMITE MANUFACTURING CO.

Inventor： WEST, Michael, R. ,  KREGER, Kevin, M.

IPC: H01C17/22 ,  H01C17/242

CPC classification number: H01C17/242 ,  H01C17/006

Abstract: A method for high and low temperature laser trimming of resistors is provided. The method includes a ceramic heating plate for heating resistors to a designated temperature before trimming the resistors.

Abstract translation: 提供了一种用于电阻器的高温和低温激光微调的方法。 该方法包括在修整电阻器之前将电阻器加热到指定温度的陶瓷加热板。