公开(公告)号：WO2023084678A1

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：PCT/JP2021/041493

申请日：2021-11-11

Applicant: 株式会社芝浦電子 ,  国立大学法人埼玉大学

Inventor： 中村　和正 ,  中山　法行 ,  柳瀬　郁夫

IPC: H01C7/04 ,  H01C17/00

Abstract: 厚さが１～１００μｍ、面積が１～１０ｍｍ２の範囲にあり、ＮｉＭｎ２Ｏ４の組成を有する焼結体の単体からなるサーミスタ焼結体１０。このサーミスタ焼結体１０は、回転可能に支持される基板２０の表面に原料液ＲＬを滴下する第１工程と、原料液ＲＬが滴下された基板２０を回転させて原料液ＲＬを引き延ばす第２工程と、原料液ＲＬと原料液ＲＬが載せられた基板２０を加熱保持することにより、ＮｉＭｎ２Ｏ４の組成を有する焼結体１０を基板２０の表面に生成する第３工程と、基板２０から焼結体１０を分離する第４工程と、により製造できる。

公开(公告)号：WO2022091643A1

公开(公告)日：2022-05-05

申请号：PCT/JP2021/034732

申请日：2021-09-22

Applicant: ローム株式会社

Inventor： 田中　幸作

IPC: H01C13/00 ,  H01C7/00 ,  H01C17/00

Abstract: チップ抵抗器（１）は、抵抗体（１０）と、第１導電下地層（１７）と、第２導電下地層（１８）と、第１電極（２０）と、第２電極（２５）とを備える。第１電極（２０）は、第１電極層（２１）を含む。第２電極（２５）は、第２電極層（２６）を含む。第１導電下地層（１７）の第１電気抵抗率は、第１電極層（２１）の第２電気抵抗率よりも大きく、かつ、抵抗体（１０）の第３電気抵抗率よりも大きい。第２導電下地層（１８）の第４電気抵抗率は、第２電極層（２６）の第５電気抵抗率よりも大きく、かつ、抵抗体（１０）の第３電気抵抗率よりも大きい。

公开(公告)号：WO2021253822A1

公开(公告)日：2021-12-23

申请号：PCT/CN2021/072157

申请日：2021-01-15

Applicant: 上海维安电子有限公司

Inventor： 方勇 ,  夏坤 ,  吴国臣 ,  周阳 ,  侯晓旭 ,  张伟

IPC: H01C7/02 ,  H01C7/13 ,  H01C1/02 ,  H01C1/14 ,  H01C1/16 ,  H01C17/00

Abstract: 一种小型封装尺寸的表面贴装高分子PTC过电流保护元件，包括PTC芯片、绝缘层(30)、端电极(41,42)，至少一导电件(60)，其中，在第一导电电极(21)设计分割间隙，形成第一、二导电区(211,212)，导电件(60)设置在PTC芯片的第一导电区(211)侧的边缘处或至少一角，用于导通PTC芯片上的第一导电区(211)和第二导电电极(22)，且不与端电极(41,42)接触，第一导电电极(21)的分割间隙(70)包含的主要部分与第一端电极(41)和第二端电极(42)的纵向平行。还提供了该保护元件的制备方法。使得小型化过电流保护元件可满足目前PCB工艺，实现量产的要求。便于设计过电流保护元件电阻的方案，减少对PTC芯材配方的调整。

公开(公告)号：WO2021153152A1

公开(公告)日：2021-08-05

申请号：PCT/JP2020/049195

申请日：2020-12-28

Applicant: ＫＯＡ株式会社

Inventor： 江藤　航児 ,  常盤　陽平 ,  金子　玲那 ,  山本　純平

IPC: H01C13/00 ,  H01C1/034 ,  H01C1/144 ,  H01C7/00 ,  H01C17/00

Abstract: 抵抗体１０と、抵抗体１０に接続された一対の電極（第１電極体１１、第２電極体１２）と、を備え、基板（回路基板）に実装した場合に少なくとも抵抗体１０が基板（回路基板）から離間して配置される抵抗器１であって、抵抗器１の実装面の抵抗体１０と電極（第１電極体１１、第２電極体１２）との境界部位（接合部１３、接合部１４）のうち、抵抗体１０及び電極（第１電極体１１、第２電極体１２）の少なくとも一方に酸化膜５を有する。

公开(公告)号：WO2019187763A1

公开(公告)日：2019-10-03

申请号：PCT/JP2019/005741

申请日：2019-02-18

Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社

Inventor： 東　佳子 ,  古賀　英一

IPC: H01C7/112 ,  C04B35/453 ,  H01C17/00

Abstract: 酸化亜鉛の色差を測定し、得られた色差から酸化亜鉛バリスタの耐性を評価する。これにより、良好な耐性を有するバリスタが安定的に得られる。

公开(公告)号：WO2017039976A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：PCT/US2016/046124

申请日：2016-08-09

Applicant: ROCHE DIABETES CARE, INC.

Inventor： MOORE, Steven ,  RIGGLES, Randall

IPC: G01N27/327 ,  H01C17/00

CPC classification number: H01C13/02 ,  G01N27/3272 ,  G01N33/48771

Abstract: A sensor includes a non-conductive substrate and a circuit on the non-conductive substrate. The circuit includes a primary resistive element on the non-conductive substrate having a first end and a second end, wherein the primary resistive element has a predetermined configuration; a secondary resistive element on the nonconductive substrate having a plurality of taps connected to the primary resistive element at a plurality of predetermined connection points on the predetermined configuration, the plurality of predetermined connection points defining a plurality of unique resistive paths through at least a portion of the predetermined configuration; and the plurality of unique resistive paths having a plurality of resistance values, the plurality resistance values determined using a non-linear distribution function. A sensor is configured to perform at least one of quantitative and qualitative analysis of an analyte in a sample of fluid.

Abstract translation: 传感器包括非导电衬底和非导电衬底上的电路。 所述电路包括在所述非导电衬底上的主电阻元件，其具有第一端和第二端，其中所述主电阻元件具有预定构型; 非导电衬底上的次级电阻元件具有在预定配置上的多个预定连接点处连接到主电阻元件的多个抽头，多个预定连接点限定通过至少一部分 预定配置; 并且所述多个独特的电阻性路径具有多个电阻值，所述多个电阻值使用非线性分布函数确定。 传感器被配置为执行流体样本中的分析物的定量和定性分析中的至少一个。

公开(公告)号：WO2016129168A1

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：PCT/JP2015/083381

申请日：2015-11-27

Applicant: KOA株式会社

Inventor： 知久　里志

IPC: H01C17/00 ,  H01C7/00 ,  H01C13/00 ,  H01C17/28

CPC classification number: H01C7/00 ,  H01C13/00 ,  H01C17/00 ,  H01C17/28

Abstract: 第１側辺と第２側辺とを備えた長尺の抵抗器素材を準備し、前記第１側辺と前記第２側辺とから前記抵抗器素材に第１の切込み部を形成することで、前記第１の切込み部間の個片化領域を連結する連結部を形成し、次いで、前記連結部を切断する抵抗器の製造方法。

Abstract translation: 一种电阻器制造方法，包括：制备具有第一侧边缘和第二侧边缘的细长电阻材料; 从所述第一侧边缘和所述第二侧边缘形成所述电阻器材料中的第一切口部分，以形成连接所述第一切口部分之间的单个区域的连接部分; 然后切断连杆部分。

公开(公告)号：WO2015144748A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：PCT/EP2015/056356

申请日：2015-03-25

Applicant: HERAEUS SENSOR TECHNOLOGY GMBH

Inventor： LOOSE, Thomas ,  DIETMANN, Stefan ,  FLECKENSTEIN, Alfred ,  TEUSCH, Dieter

IPC: G01N27/12 ,  G01K7/18 ,  G01N15/06 ,  H05B3/12 ,  H01C1/016 ,  H01C7/00 ,  H01C17/00 ,  H01C3/12 ,  H01C17/065 ,  H01C17/08

CPC classification number: H01C1/016 ,  G01K7/183 ,  G01N15/0606 ,  G01N15/0656 ,  G01N2015/0046 ,  H01C3/12 ,  H01C7/006 ,  H01C17/065 ,  H01C17/06526 ,  H01C17/075 ,  H01C17/08 ,  H05B3/12

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen Keramikträger, insbesondere Al 2 O 3 - Träger, auf dem eine Dünnschichtstruktur (10) aus Platin oder einer Platinlegierung angeordnet ist, wobei der Träger und/oder die Dünnschichtstruktur (10) zur Verringerung mechanischer Spannungen auf Grund unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten angepasst sind. Der Träger und/oder die Dünnschichtstruktur (10) umfassen: e) eine Oberfläche (11) des Trägers im Bereich der Dünnschichtstruktur (10) zur Verringerung der Haftung zumindest abschnittsweise geglättet ist und/oder f) eine/die Oberfläche (11) des Trägers eine Zwischenschicht (12) aufweist, auf der die Dünnschichtstruktur (10) angeordnet ist, wobei der thermische Ausdehnungskoeffizient der Zwischenschicht (12) von 8*10 -6 /K bis 16*10 -6 /K, insbesondere von 8,5*10-6/K bis 14*10-6/K, beträgt, und/oder g) die Dünnschichtstruktur (10) wenigstens eine zumindest abschnittsweise wellenförmige Leiterbahn (13) aufweist, die sich lateral entlang einer/der Oberfläche (11) des Trägers erstreckt, wobei die Amplitude der wellenförmigen Leiterbahn (13) von 0,2*B bis 2*B, insbesondere von 0,4*B bis 1*B, und die Wellenlänge der wellenförmigen Leiterbahn (13) von 3*B bis 0*B, insbesondere von 4*B bis 7*B, betragen, wobei „B" die Breite der Leiterbahn (13) ist, und/oder h) unmittelbar auf der Dünnschichtstruktur (10) eine erste Abdeckschicht (14a) aufgebracht ist, die oxydische Nanopartikel, insbesondere aus Al 2 O 3 und/oder MgO, enthält.

Abstract translation: 本发明涉及一种陶瓷载体，尤其是氧化铝载体，被布置在其上的薄膜结构（10），铂或铂合金的方法，其中所述载体和/或用于减小机械应力，由于热膨胀系数不同的薄膜结构（10）进行调整。 的载体和/或薄膜结构（10）包括：E）的载体的表面（11）在薄膜结构（10）的区域中的载流子的至少部分平滑的，以减少和/或f）一个/所述表面（11附着力） 在其上（10）设置在所述薄膜结构的中间层（12），其中的中间层（12）的热膨胀系数* 8×10-6 / K〜16×10-6 / K，特别为8.5×10 -6 / K〜14×10-6 / K是，和/或g）的薄膜结构（10）至少部分地波浪状导体轨道（13），具有至少在横向（沿/表面11）的支撑延伸 其中0.2 * B 2 * B的波形导体（13）的振幅，特别是0.4 * B的1×B，和从3 * B的波形导体（13）的至0 * B的波长 特别的直接对D 4至7 * B * B，量，其中 “B” 是导体轨道（13）的宽度，和/或h） 它包括一个第一覆盖层（14A）沉积的薄膜结构（10），所述氧化物纳米颗粒，特别是Al2O3和含/或MgO的。

公开(公告)号：WO2015105124A1

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：PCT/JP2015/050253

申请日：2015-01-07

Applicant: 三菱マテリアル株式会社

Inventor： 長瀬　敏之 ,  石塚　博弥

IPC: H01C1/084 ,  H01C7/00 ,  H01C17/00

CPC classification number: H01C1/084 ,  H01C1/01 ,  H01C1/14 ,  H01C1/142 ,  H01C1/144 ,  H01C17/006 ,  H01C17/28 ,  H01C17/281 ,  H01C17/283 ,  H01L2224/40 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 　この抵抗器では、ヒートシンク（Ａｌ部材）（２３）と、セラミックス基板（１１）の他方の面（１１ｂ）には、Ａｌ－Ｓｉ系のろう材によって接合されている。Ａｌ－Ｓｉ系のろう材は、融点が６００～７００℃程度である。こうしたＡｌ－Ｓｉ系のろう材を用いてヒートシンク（２３）とセラミックス基板（１１）とを接合することによって、耐熱性と接合時の熱劣化を同時に防止することができる。

Abstract translation: 提供了一种电阻器，其中散热器（铝构件）（23）和陶瓷衬底（11）的另一表面（11b）通过Al-Si钎焊材料结合。 Al-Si钎料的熔点在600-700℃的范围内。 通过使用该Al-Si钎焊材料将散热片（23）与陶瓷基板（11）结合，能够同时实现耐热性，防止接合时的热劣化。

公开(公告)号：WO2013186121A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：PCT/EP2013/061724

申请日：2013-06-06

Applicant: EPCOS AG

Inventor： RINNER, Franz ,  SOMITSCH, Dieter ,  AUER, Christoph ,  FUCHS, Gerhard

IPC: H01G4/30 ,  H01C1/14 ,  H01C7/18 ,  H01G4/012 ,  H01L41/047 ,  H01L41/083 ,  H01L41/29 ,  H01C17/00 ,  H01C17/28

CPC classification number: H01C7/008 ,  C25F3/00 ,  H01C1/14 ,  H01C7/10 ,  H01C7/18 ,  H01C17/006 ,  H01C17/28 ,  H01G4/005 ,  H01G4/012 ,  H01G4/30 ,  H01L41/0471 ,  H01L41/0838 ,  H01L41/297

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Vielschichtbauelements (21) angegeben, bei dem ein Körper (1, 81) aufweisend übereinander angeordnete dielektrische Schichten (3) und dazwischen angeordnete erste und zweite elektrisch leitfähige Schichten (4, 84, 5, 85) bereitgestellt wird. Die ersten leitfähigen Schichten (4, 84) sind mit einer ersten Hilfselektrode (6) und die zweiten leitfähigen Schichten (5, 85) mit einer zweiten Hilfselektrode (7) verbunden. Der Körper (1, 81) wird in ein Medium eingebracht und es wird eine Spannung zwischen der ersten und zweiten Hilfselektrode (6, 7) zur Erzeugung eines Materialabtrags angelegt. Weiterhin wird ein Vielschichtbauelement angegeben, das durch einen elektrochemisch gesteuerten Materialabtrag gebildete Vertiefungen (20) aufweist.

Abstract translation: 提供了一种方法用于制造在其中的主体（1，81）包括叠加的介电层的多层部件（21）（3）以及第一和第二导电层之间设置在（4，84 5，85）被设置 ， 第一导电层（4，84）与第一辅助电极（6）和所述第二导电层（5，85）与第二辅助电极（7）。 所述主体（1，81），被引入到介质并且在第一和第二辅助电极之间的电压（6，7）被施加到产生的材料去除。 此外，多层组件被示为具有通过电化学控制去除材料（20）形成的压痕。