公开(公告)号：WO2014055935A4

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：PCT/US2013063556

申请日：2013-10-04

申请人： FEI CO

发明人： BLACKWOOD JEFFREY ,  LEE SANG HOON ,  SCHMIDT MICHAEL ,  STONE STACEY ,  HOLLAND KAREY

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： G01R31/2653 ,  G01N1/286 ,  G01N1/32 ,  G01R31/2808 ,  G01R31/2898 ,  G01R31/307 ,  G01R31/312 ,  H01J37/153 ,  H01J37/3005 ,  H01J2237/208 ,  H01J2237/24564 ,  H01J2237/2817 ,  H01J2237/31749 ,  H01L22/14 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Multiple planes within the sample are exposed from a single perspective for contact by an electrical probe. The sample can be milled at a non-orthogonal angle to expose different layers as sloped surfaces. The sloped edges of multiple, parallel conductor planes provide access to the multiple levels from above. The planes can be accessed, for example, for contacting with an electrical probe for applying or sensing a voltage. The level of an exposed layer to be contacted can be identified, for example, by counting down the exposed layers from the sample surface, since the non-orthogonal mill makes all layers visible from above. Alternatively, the sample can be milled orthogonally to the surface, and then tilted and/or rotated to provide access to multiple levels of the device. The milling is preferably performed away from the region of interest, to provide electrical access to the region while minimizing damage to the region.

摘要翻译： 样品中的多个平面从单个角度暴露出来，用于通过电探针接触。 样品可以以非正交角度研磨，以将不同的层暴露于倾斜的表面。 多个平行导体平面的倾斜边缘可从上方进入多个层次。 例如，可以访问平面以与用于施加或感测电压的电探头接触。 可以例如通过从样品表面倒下暴露的层来鉴定待接触的暴露层的水平，因为非正交磨机使得所有层从上方可见。 或者，样品可以与表面正交地研磨，然后倾斜和/或旋转以提供对该装置的多个级别的访问。 铣削优选地远离感兴趣的区域进行，以提供对该区域的电通路，同时使对该区域的损害最小化。

公开(公告)号：WO2012014935A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：PCT/JP2011/067095

申请日：2011-07-27

申请人： 株式会社日立ハイテクノロジーズ ,  奈良 安彦 ,  安藤 徹

发明人： 奈良　安彦 ,  安藤　徹

IPC分类号： G01B15/00 ,  G01R1/06 ,  G01R31/28 ,  H01L21/66

CPC分类号： G01R31/2887 ,  G01R31/2891 ,  G01R31/307 ,  G01R31/311 ,  H01J37/244 ,  H01J37/261 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/20221 ,  H01J2237/208 ,  H01J2237/24564 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 検査対象の電気特性を測定する場合に、検査対象の電気特性に影響を与えることなく、ＳＥＭ画像の高倍率化、高分解能化及びリアルタイム性を実現する。試料上の検査対象における目標位置の像を含む高画質且つ高倍率の第１の画像を取得する。次に、試料上の検査対象における目標位置の像とプローブの像を含む低画質且つ低倍率の第２の画像を取得する。次に、第２の画像に第１の画像データを組み込むことによって、第２の画像の倍率と同一の倍率の粗寄せ観察用の画像を生成する。プローブが検査対象における目標位置に近接するまで、粗寄せ観察用画像の生成を繰り返す。

摘要翻译： 测定检查对象的电气特性时，不会影响检查对象的电气特性，能够实现SEM图像的高倍率，高分辨率和实时性。 获取具有高图像质量和高放大倍率的第一图像，并且包括在样本上的检查对象中的目标位置处的图像。 接下来，获取具有低图像质量和低放大率的第二图像，并且包括探针图像和在样本上的检查对象中的目标位置处的图像。 接下来，通过组合第二图像中的第一图像数据，生成与第二图像的放大倍数相同的放大率的用于粗略观察的图像。 重复生成用于粗略检查的图像，直到探针接近检查目标中的目标位置。

公开(公告)号：WO2011092770A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：PCT/JP2010/006530

申请日：2010-11-08

申请人： 株式会社 日立ハイテクノロジーズ ,  大南 祐介 ,  津野 夏規 ,  野副 真理 ,  宮井 裕史

发明人： 大南　祐介 ,  津野　夏規 ,  野副　真理 ,  宮井　裕史

IPC分类号： H01J37/28 ,  H01J37/147 ,  H01J37/22 ,  H01L21/66

CPC分类号： G11C29/56 ,  G01R31/303 ,  H01J2237/221 ,  H01J2237/24564 ,  H01L22/14

摘要： 　被検査試料上の同一箇所を複数回走査し、一次荷電粒子ビーム走査時の光学条件あるいは出力される画像信号から画像を形成する際の画像形成条件を、少なくとも２種類以上の電気的欠陥を捕捉可能な条件に調整し、被検査試料の電気的欠陥を検査する。　これにより、少なくとも２種類以上の電気的欠陥を１回の検査で従来よりも高い確率で捕捉可能な条件で検査を実行する荷電粒子線装置ないし荷電粒子線による検査方法を実現することができる。

摘要翻译： 要测试的样本上的相同部分被扫描多次，并且在从要输出的图像信号生成图像时的初级带电粒子束扫描时的光学条件或图像生成条件是 调整为可以捕获至少两种电气缺陷的状况，从而测试待测样品的电气缺陷。 因此，可以通过使用带电粒子辐射来获得带电粒子辐射装置或测试方法，以在可以在一次测试中捕获至少两种电气缺陷的条件下进行测试 概率比以往任何时候都高。

公开(公告)号：WO2010055610A1

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：PCT/JP2009/005372

申请日：2009-10-15

申请人： 株式会社 日立ハイテクノロジーズ ,  野副真理 ,  宮井裕史 ,  岡村充 ,  鈴木誠 ,  大南祐介

发明人： 野副真理 ,  宮井裕史 ,  岡村充 ,  鈴木誠 ,  大南祐介

IPC分类号： H01L21/66 ,  G01N23/225 ,  H01J37/20 ,  H01J37/28

CPC分类号： H01J37/28 ,  H01J37/244 ,  H01J2237/0048 ,  H01J2237/2008 ,  H01J2237/24564 ,  H01J2237/2817 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 　本発明のパターンの検査装置及びパターンの検査方法は、電子ビーム（３）を照射する前に、電子ビームを発生させる電子源（１）とは別の第二の電子源（２０）から電子を発生させて基板（７）の表面に帯電を形成させる帯電形成手段と、該帯電形成手段により基板の表面に帯電が形成された状態で、基板に流れる電流の値を計測する電流計測手段（３４）と、該電流計測手段により計測された電流の値が予め定められた目標値になるように帯電形成手段により形成される帯電を調整する調整手段（３７）とを備えたパターンの検査装置及び該検査装置を用いたパターンの検査方法である。 これにより、半導体装置製造プロセスで形成されるパターンの検査前に実行されるプリチャージの最適な条件を簡易に設定できるようにし、プリチャージの良否を自動判定し、その後の動作にフィードバックするようにしたので、検査結果の信頼性の低下を防ぎ、常に安定した検査が可能になった。

摘要翻译： 提供了一种图案检查装置，其包括：电荷形成装置，其通过从不同于电子源的电子源（1）产生来自第二电子源（20）的电子束，从而在基板（7）的表面上形成电荷， 施加电子束（3）之前的电子束; 电流测量装置（34），其通过电荷形成装置测量在基板的表面上形成电荷时在基板中流动的电流值; 以及调整装置，其调整由电荷形成装置形成的电荷，使得由电流测量装置测量的电流的值是预定的目标值。 还提供了使用图案检查装置的图案检查方法。 因此，可以容易地设置在由半导体器件制造工艺形成的图案的检查之前执行的预充电的最佳条件，并且自动检查预充电是否良好。 然后，检查结果反馈给操作。 这防止了检查结果的可靠性降低，并且始终能够进行稳定的检查。

公开(公告)号：WO2009122555A1

公开(公告)日：2009-10-08

申请号：PCT/JP2008/056438

申请日：2008-03-31

申请人： 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  西川 勝也

发明人： 西川 勝也

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01J37/317

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/244 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3045 ,  H01J2237/024 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/24564 ,  H01J2237/24578

摘要： イオン注入角度やイオンビームの軌道をより高い精度で制御することができる半導体装置の製造方法、イオンビームの調整方法及びイオン注入装置を提供する。ソースヘッド（１）から出力され、引出電極（２）のスリット（２ｓ）を通過したイオンビームを、ソースヘッド（１）のイオン出射口（１ｃ）に対向して設けられた電流測定器（１５）に入射させる。電流測定器（１５）の電流測定結果に基づき、スリット（２ｓ）の位置を制御する。位置が制御されたスリット（２ｓ）を通過したイオンビームをマグネット（３）の磁界により湾曲させ、マグネット（３）を通過したイオンビームを半導体基板（Ｗ）に入射させる。

摘要翻译： 提供了一种用于制造半导体器件的方法，用于调节离子束的方法，以及离子注入装置以高精度控制离子注入角度和离子束轨道的离子注入装置。 从源极头（1）输出的穿过引出电极（2）的狭缝（2s）的离子束被允许进入与离子出射孔（1c）相对设置的电流测量装置（15） ）源头（1）。 基于当前的测量装置（15）的测量结果，控制狭缝（2s）的位置。 已经通过具有受控位置的狭缝（2s）的离子束被磁体（3）的磁场弯曲，并且通过磁体（3）的离子束被允许进入半导体衬底（W） 。

公开(公告)号：WO2008008156A2

公开(公告)日：2008-01-17

申请号：PCT/US2007/014375

申请日：2007-06-20

申请人： MICRON TECHNOLGY, INC. ,  WILLIAMSON, Mark, J. ,  SANDHU, Gurtej, S. ,  ARRINGTON, Justin, R.

发明人： WILLIAMSON, Mark, J. ,  SANDHU, Gurtej, S. ,  ARRINGTON, Justin, R.

IPC分类号： G01R31/28 ,  G01N1/32 ,  H01J37/305

CPC分类号： H01L22/14 ,  G01R31/2898 ,  H01J37/252 ,  H01J37/28 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/24564 ,  H01J2237/24592

摘要： A method of imaging and identifying materials, contamination, fabrication errors, and defects on and below the surface of an integrated circuit (IC) is described. The method may be used in areas smaller than one micron in diameter, and may remove IC layers, either selectively or non-selectively, until a desired depth is obtained. An energetic beam, such as an electron beam, is directed at a selected IC location. The IC has a layer of a solid, fluid or gaseous reactive material, such as a directed stream of a fluorocarbon, formed over the surface of the IC. The energetic beam disassociates the reactive material in or on the region into chemical radicals that chemically attack the surface. The surface may be examined as various layers are selectively removed in the controlled area spot etch, and SEM imaging may then be used to diagnose problems.

摘要翻译： 描述了在集成电路（IC）的表面上和下方成像和识别材料，污染，制造误差和缺陷的方法。 该方法可以用于直径小于一微米的区域，并且可以选择性地或非选择性地去除IC层，直到获得所需的深度。 诸如电子束的能量束被引导到选定的IC位置。 IC具有形成在IC的表面上的固体，流体或气态反应性材料层，例如碳氟化合物的定向流。 能量束将区域中或其上的反应物质分解成化学侵蚀表面的化学自由基。 可以检查表面，因为在受控区域点蚀刻中选择性地去除各种层，然后可以使用SEM成像来诊断问题。

公开(公告)号：WO2007040098A1

公开(公告)日：2007-04-12

申请号：PCT/JP2006/319069

申请日：2006-09-26

申请人： エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 ,  杉山 安彦 ,  萩原 良二 ,  田代 純一

发明人： 杉山 安彦 ,  萩原 良二 ,  田代 純一

IPC分类号： H01J37/305 ,  H01J37/12

CPC分类号： H01J37/12 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/24564 ,  H01J2237/31744 ,  H01J2237/31749

摘要： Charged particle beam equipment for irradiating a charged particle beam stably with low energy while reducing the beam diameter by suppressing aberration of the charged particle beam, and its irradiation method. Charged particle beam equipment in which the quantity, energy and focusing of a charged particle beam can be regulated freely, and its irradiation method are also provided. The charged particle beam equipment (1) comprises a charged particle supply section (3) applied with an acceleration voltage E, a means (4) for deriving and accelerating a charged particle beam B, and a means (5) for focusing the charged particle beam B and irradiating an earthed sample surface S with the charged particle beam B thus focused. The accelerating means (4) and the focusing means (5) comprise bipotential lenses (8, 9). An exit side electrode (8c) and an incident side electrode (9a) are connected with an intermediate acceleration power supply (14) for applying a voltage having a polarity different from that of the charged particle beam B. An incident side electrode (8a) is connected with a deriving power supply (11) and an exit side electrode (9c) is earthed.

摘要翻译： 带电粒子束设备，通过抑制带电粒子束的像差，同时以低能量稳定地照射带电粒子束，同时减小光束直径及其照射方法。 带电粒子束的设备能够自由调节带电粒子束的数量，能量和聚焦，并提供其照射方法。 带电粒子束设备（1）包括施加有加速电压E的带电粒子供应部分（3），用于导出和加速带电粒子束B的装置（4）和用于聚焦带电粒子的装置（5） 光束B并照射接地的样品表面S与被聚集的带电粒子束B. 加速装置（4）和聚焦装置（5）包括双电位透镜（8,9）。 出口侧电极（8c）和入射侧电极（9a）与用于施加与带电粒子束B的极性不同的电压的中间加速电源（14）连接。入射侧电极（8a） 与导出电源（11）连接，并且出射侧电极（9c）接地。

公开(公告)号：WO2018052575A1

公开(公告)日：2018-03-22

申请号：PCT/US2017/045791

申请日：2017-08-07

申请人： QUALCOMM INCORPORATED

发明人： SENOWITZ, Corey

IPC分类号： H01J37/26 ,  H01J37/317

CPC分类号： H01J37/22 ,  H01J37/268 ,  H01J37/28 ,  H01J37/3056 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/24564 ,  H01J2237/24592 ,  H01J2237/2813 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/31749

摘要： Transmission electron microscopes (TEMs) are being utilized more often in failure analysis labs as processing nodes decrease and alternative device structures, such as three dimensional, multi-gate transistors, e.g., FinFETs (Fin Field Effect Transistors), are utilized in IC designs. However, these types of structures may confuse typical TEM sample (or "lamella") preparation as the resulting lamella may contain multiple potentially faulty structures, making it difficult to identify the actual faulty structure. Passive voltage contrast may be used in a dual beam focused ion beam (FIB) microscope system including a scanning electron microscope (SEM) column by systematically identifying non-faulty structures and milling them from the lamella until the faulty structure is identified.

摘要翻译： 透射电子显微镜（TEM）更常用于故障分析实验室，因为处理节点减少并且可替代的器件结构（例如三维多栅极晶体管，例如FinFET（鳍式场效应晶体管 ）被用于IC设计。 然而，这些类型的结构可能会混淆典型的TEM样品（或“薄片”）制备，因为所产生的薄片可能含有多个可能有缺陷的结构，使得难以识别实际的有缺陷的结构。 被动电压对比可用于包括扫描电子显微镜（SEM）柱的双光束聚焦离子束（FIB）显微镜系统中，通过系统地识别无故障结构并将其从薄片中铣削直至识别出缺陷结构。

公开(公告)号：WO2014115741A1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：PCT/JP2014/051171

申请日：2014-01-22

申请人： 株式会社 日立ハイテクノロジーズ

发明人： 水原　譲 ,  伊澤　美紀 ,  山崎　実 ,  田村　仁 ,  数見　秀之

IPC分类号： H01J37/20 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28 ,  H01J37/29

CPC分类号： H01J37/268 ,  H01J37/1472 ,  H01J37/244 ,  H01J37/265 ,  H01J37/266 ,  H01J37/28 ,  H01J37/3178 ,  H01J2237/24564 ,  H01J2237/28 ,  H01J2237/2809

摘要： 　本発明の目的は、荷電粒子線の照射によって誘起される試料の電位を測定することで、荷電粒子線を用いた試料表面の電位測定、或いは試料帯電によって変化する装置条件の変動の補償値を検出する方法、及び装置の提供にある。　上記目的を達成するために、荷電粒子線（１）を試料（２３）に向けて照射している状態において、試料（２３）から放出された荷電粒子線（２（ａ、ｂ））を荷電粒子偏向器（３３）によって偏向し、そのときに得られる信号を用いて、試料電位に関する情報を検出する方法、及び装置を提供する。

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种用于检测通过样品充电而改变的装置条件的变化的补偿值的检测方法和装置，或者使用带电粒子束测量样品的表面的电位，通过测量 通过发射带电粒子束诱导的样品电位。 提供了一种方法和装置，以实现上述目的，由此，当向样品（23）发射带电粒子束（1）时，从样品（23）释放的带电粒子束（2a，2b）被偏转 通过带电粒子偏转器（33），并且使用此时获得的信号来检测关于样品的电位的信息。

公开(公告)号：WO2014018340A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：PCT/US2013/050891

申请日：2013-07-17

申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.

发明人： LUBICKI, Piotr ,  LEAVITT, Christopher ,  MILLER, Timothy ,  KOO, Bon-Woong

IPC分类号： H01J37/02 ,  H01J37/24 ,  H01J37/304 ,  H01J37/317

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/026 ,  H01J37/241 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/24564

摘要： An ion implantation system and method are disclosed in which glitches in voltage are minimized by use of a modulated power supply system (230) in the implanter. The modulated power supply system includes a traditional power supply (300) and a control unit (310) associated with each power supply, where the control unit is used to isolate the power supply from an electrode by opening a source switch (321) if a glitch or arc is detected, and to quickly dissipate any charge on the electrode to ground by closing a discharge switch (331). The control unit then restores connectivity between power supply and electrode after the glitch condition has been rectified.

摘要翻译： 公开了一种离子注入系统和方法，其中通过使用注入机中的调制供电系统（230）将电压中的毛刺最小化。 调制电源系统包括与每个电源相关联的传统电源（300）和控制单元（310），其中，如果控制单元用于通过打开源开关（321）来将电源与电极隔离，如果 检测到毛刺或电弧，并通过关闭放电开关（331）将电极上的任何电荷快速耗散到地面上。 控制单元在毛刺状态纠正完毕后恢复电源和电极之间的连接。