公开(公告)号：WO2016067039A1

公开(公告)日：2016-05-06

申请号：PCT/GB2015/053259

申请日：2015-10-29

Applicant: OMNIPROBE, INC ,  OXFORD INSTRUMENTS NANOTECHNOLOGY TOOLS LIMITED

Inventor： HAMMER, Mike ,  DAWSON, Michael ,  HARTFIELD, Cheryl

IPC: G01N1/32 ,  H01J37/20 ,  H01J37/305

CPC classification number: H01J37/3056 ,  G01N1/32 ,  H01J37/20 ,  H01J37/285 ,  H01J2237/202 ,  H01J2237/204 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/31749

Abstract: A method for TEM sample preparation with backside milling of a sample extracted from a workpiece in an energetic-beam instrument is disclosed, where the energetic-beam instrument comprises: a focused ion beam, a stage capable of motion and tilting, a TEM grid held in a fixed holder on the stage, the TEM grid having a plane and the holder mounted in a fixed orientation with respect to the stage, and a probe tip rotatably connected to a nanomanipulator; the sample having a top surface and a backside and a required plane for the TEM sample that is normal to the top surface of the sample, and the sample being attached to the probe tip; the method comprising: rotating the probe tip by an angle calculated according to the geometry of the apparatus; moving the stage to position the TEM grid so that the plane of the TEM grid is substantially parallel to the required plane for the TEM sample; attaching the extracted sample to the TEM grid and removing the attachment of the probe tip to the extracted sample; and, tilting the stage by a stage-tilt angle, while maintaining the holder in the fixed orientation with respect to the stage, so that the axis of the ion beam is made substantially parallel to the required plane for the TEM sample; thereby placing the extracted sample into position for allowing backside milling by the focused ion beam to prepare a thinned cross-sectional sample for TEM viewing.

Abstract translation: 公开了一种用于在能量束仪器中从工件提取的样品进行背面研磨的TEM样品制备方法，其中能量束仪器包括：聚焦离子束，能够运动和倾斜的台架，保持有TEM网格 在舞台上的固定支架中，TEM格架具有平面，并且保持器以相对于平台的固定方向安装，以及可旋转地连接到纳米操纵器的探针尖端; 所述样品具有垂直于样品顶表面的TEM样品的顶表面和背面以及所需平面，并且样品附着到探针尖端; 所述方法包括：使所述探针尖端旋转根据所述装置的几何形状计算的角度; 移动舞台以定位TEM格栅，使得TEM格子的平面基本上平行于TEM样品的所需平面; 将提取的样品附着到TEM网格上，并将探针尖端附着到提取的样品上; 并且使台架相对于台架保持固定姿态，同时使台架倾斜角度，使得离子束的轴线基本上平行于TEM样品的所需平面; 从而将提取的样品放置在位置，以允许通过聚焦离子束的背面研磨以制备用于TEM观察的变薄的横截面样品。

公开(公告)号：WO2015003671A2

公开(公告)日：2015-01-15

申请号：PCT/CZ2014000078

申请日：2014-07-09

Applicant: TESCAN ORSAY HOLDING A S

Inventor： LOPOUR FILIP ,  HRNČÍŘ TOMÁŠ

CPC classification number: H01J37/3005 ,  G01N1/32 ,  H01J2237/20207 ,  H01J2237/304 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/31749

Abstract: The application deals with the method and apparatus for specimen processing in an apparatus with two or more particle beams, where the milled side (4.1 ) of the specimen is processed by the first particle beam and observed by the second particle beam. Specimen (4) is first milled by the first particle beam in the first position of the specimen and after this, the milled side (4.1 ) tilts in the second position around the axis (3) of the tilt of the specimen (4) where another milling is performed. Milling can also be performed during continuous tilting of the specimen (4) around the axis (3). The axis (3) of the tilt of the specimen (4) intersects the milled side (4.1 ). In all aforementioned positions of the specimen (4), the second particle beam impinges on the milled side (4.1 ), which enables to monitor the milling in real time.

Abstract translation: 本申请涉及具有两个或更多个粒子束的装置中的样品处理方法和装置，其中样品的研磨侧（4.1）由第一粒子束处理并由第二粒子束观察。 样品（4）首先在样品的第一位置被第一粒子束磨碎，此后，铣削侧（4.1）在试样（4）的倾斜轴线（3）的第二位置倾斜， 进行另一次铣削。 也可以在试样（4）围绕轴线（3）连续倾斜的同时执行铣削。 试样（4）倾斜的轴线（3）与铣削面（4.1）相交。 在试样（4）的所有上述位置上，第二粒子射线撞击研磨侧（4.1），实时监测铣削。

公开(公告)号：WO2014119351A1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：PCT/JP2014/050271

申请日：2014-01-10

Applicant: 株式会社 日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 堀之内　健人 ,  上野　敦史 ,  岩谷　徹 ,  許斐　麻美 ,  高須　久幸

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/305

CPC classification number: H01J37/09 ,  H01J37/20 ,  H01J37/305 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/31745

Abstract: 　イオンビーム照射によって発生する熱上昇を高い冷却効果のもとに抑制する試料加工方法、及びイオンミリング装置の提供を目的として、試料（３）上に遮蔽部材（２）を配置した状態で試料（３）に向かってイオンビーム（３０１）を照射する試料加工方法、及びイオンミリング装置であって、前記遮蔽部材（２）、或いは当該遮蔽部材（２）に接した状態で当該遮蔽部材（２）を保持する遮蔽部材保持部（２０２）を、冷却部材（２０３）によって冷却しつつ、前記イオンビーム（３０１）を前記遮蔽部材（２）と前記試料（３）に照射する試料加工方法、及びイオンミリング装置を提案する。

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种样品加工方法和离子铣削装置，由此在高冷却效果下减轻由离子束投影产生的热量增加。 提出了一种样品加工方法和离子研磨装置，其中在掩模构件（2）位于样品（3）的状态下离子束（301）向样品（3）投影，其中，在冷却 具有冷却构件（203），掩蔽构件（2）或将掩蔽构件（2）保持在与掩蔽构件（2）接触的状态的掩蔽构件保持部分（202），离子束 （301）被投影到掩蔽构件（2）和样品（3）上。

公开(公告)号：WO2014072834A3

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：PCT/IB2013003107

申请日：2013-11-01

Applicant: FUNAI ELECTRIC CO

Inventor： ZHANG QING ,  WU XIAOMING

IPC: G01N1/36 ,  C08G59/68 ,  H01J37/00

CPC classification number: G01N1/36 ,  H01J2237/31745

Abstract: A method for preparing an integrated circuit or iincro-electo-mechanical system chip sample for ion cross-section polishing is provided. The method includes preparing a polymer coating formulation. The polymer coating formulation includes a novolac epoxy resin, a bisphenol-A/epichlorhydrin epoxy resin, a photoacid generator, an adhesion promoter, and a mixture of acetophenone, cyclohexanone and butyrolactone organic solvents. The integrated circuit or micro-electro -mechanical system chip sample is encapsulated by the polymer coating formulation, wherein the chip sample is then ready for ion beam cross-section polishing. A cross-section sample of integrated circuit or micro-electro-mechanicai system chip is prepared by polishing the obtained polymer encapsulated integrated circuit or micro-electro-mechanical system chip with ion beam cross-section polisher. The disclosed method allows the cross-section sample to be obtained at a reduced polishing time. Moreover, a good quality and larger cross-sectional area of the sample is obtained, thus allowing for accurate inspection or analysis of the integrated circuit or micro-electro-mechanical system chip.

Abstract translation: 提供了一种用于制备用于离子横截面抛光的集成电路或非机电 - 机电系统芯片样品的方法。 该方法包括制备聚合物涂层制剂。 聚合物涂料配方包括酚醛清漆环氧树脂，双酚-A /表氯醇环氧树脂，光致酸发生剂，粘合促进剂，以及苯乙酮，环己酮和丁内酯有机溶剂的混合物。 集成电路或微电子机械系统芯片样品由聚合物涂层配方包封，其中芯片样品然后准备用于离子束横截面抛光。 通过用离子束截面抛光机研磨得到的聚合物封装集成电路或微电子机械系统芯片，制备集成电路或微机电系统芯片的横截面样品。 所公开的方法允许在减少的抛光时间获得横截面样品。 此外，获得样品的质量好且截面积较大的截面积，从而可以精确地检查或分析集成电路或微机电系统芯片。

公开(公告)号：WO2014055876A1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：PCT/US2013/063479

申请日：2013-10-04

Applicant: FEI COMPANY

Inventor： LEE, Sang Hoon ,  STONE, Stacey ,  BLACKWOOD, Jeffrey ,  SCHMIDT, Michael

IPC: G01N23/00 ,  B23K15/08 ,  G01B15/00

CPC classification number: H01J37/3053 ,  C23C14/46 ,  G01N1/32 ,  H01J37/28 ,  H01J37/3056 ,  H01J37/3178 ,  H01J2237/3174 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/31749

Abstract: Curtaining artifacts on high aspect ratio features are reduced by reducing the distance between a protective layer and feature of interest. For example, the ion beam can mill at an angle to the work piece surface to create a sloped surface. A protective layer is deposited onto the sloped surface, and the ion beam mills through the protective layer to expose the feature of interest for analysis. The sloped mill positions the protective layer close to the feature of interest to reduce curtaining.

Abstract translation: 通过减小保护层和感兴趣的特征之间的距离来减少高纵横比特征上的赝像。 例如，离子束可以与工件表面成一定角度磨，以产生倾斜的表面。 保护层沉积在倾斜表面上，并且离子束通过保护层研磨以暴露感兴趣的特征以进行分析。 倾斜的磨机使保护层位于感兴趣的特征附近以减少绘制。

公开(公告)号：WO2013001700A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：PCT/JP2012/002820

申请日：2012-04-25

Applicant: 株式会社 日立ハイテクノロジーズ ,  竹内 秀一 ,  高須 久幸 ,  金子 朝子

Inventor： 竹内　秀一 ,  高須　久幸 ,  金子　朝子

IPC: H01J37/20 ,  B23K15/00 ,  G01N1/28 ,  G01N23/225

CPC classification number: H01J37/3005 ,  G01N1/286 ,  G01N1/32 ,  H01J37/16 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/31 ,  H01J2237/31745

Abstract: 荷電粒子線装置に新たに別の装置を設けることなく、真空状態において試料の加工、観察、追加工を行う装置及び方法を提供する。荷電粒子線装置の真空室（１０３）内にイオン液体（１０７）を充填した液体浴（１０６）と超音波振動手段（１０８）を配置し、イオン液体と試料の加工対象領域が接触した状態において、イオン液体中に超音波振動を伝搬させて試料を加工する。荷電粒子線装置に新たに別の装置を設けることなく、真空状態において試料の加工、観察、追加工ができるため、スループットを向上させるとともに、大気の影響を防止する。

Abstract translation: 提供了一种用于对真空状态的样品进行处理，观察和附加处理的装置和方法，而不将新的单独装置提供给带电粒子束装置。 填充有离子液体的液体池（106）和超声波振荡装置（108）布置在带电粒子束装置的真空室（103）中; 并且使超声波振荡传播到离子液体中，并且在离子液体和被处理样品的区域彼此接触的状态下处理样品。 因为可以对真空状态的样品进行加工，观察和附加处理，而不会将新的单独的装置提供给带电粒子束装置，因此提高了生产量并阻止了大气的作用。

公开(公告)号：WO2012103534A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：PCT/US2012/023053

申请日：2012-01-28

Applicant: FEI COMPANY ,  BLACKWOOD, Jeff ,  BRAY, Matthew

Inventor： BLACKWOOD, Jeff ,  BRAY, Matthew

IPC: G01N1/28 ,  H01J37/20 ,  H01J37/26

CPC classification number: H01J37/3056 ,  G01N1/286 ,  G01N2001/2886 ,  H01J37/261 ,  H01J2237/31745

Abstract: An improved method of preparing ultra-thin TEM samples that combines backside thinning with an additional cleaning step to remove surface defects on the FIB-facing substrate surface. This additional step results in the creation of a cleaned, uniform hardmask that controls the ultimate results of the sample thinning, and allows for reliable and robust preparation of samples having thicknesses down to the 10nm range.

Abstract translation: 一种改进的制备超薄TEM样品的方法，其结合了背面变薄与额外的清洁步骤，以去除面向FIB的衬底表面上的表面缺陷。 该附加步骤导致创建清洁的均匀硬掩模，其控制样品稀化的最终结果，并且允许对厚度低至10nm范围的样品的可靠和鲁棒的制备。

公开(公告)号：WO2011129315A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：PCT/JP2011/059044

申请日：2011-04-12

Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ ,  北山 真也 ,  富松 聡 ,  大西 毅

Inventor： 北山　真也 ,  富松　聡 ,  大西　毅

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/30

CPC classification number: H01J37/3056 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/208 ,  H01J2237/31745

Abstract: 　プローブ加工の作業スキルを必要とせず、規格化されたプローブを作製することができる装置及び方法を提供する。本発明によると、プローブ電流検出装置によって検出したプローブ流入電流に基づいてプローブ形状を検出するプローブ形状生成処理と、前記プローブ形状よりプローの先端位置を検出するプローブ先端座標抽出処理と、前記プローブの先端位置と前記プローブ形状より前記プローブの外形に近似したプローブ外形線を生成するプローブ外形線抽出処理と、前記プローブ外形線よりプローブの中心線と垂直線を生成するプローブ中心線抽出処理と、前記プローブ先端位置、前記プローブ中心線、前記プローブ垂直線、及び、予め設定されたプローブ先鋭部の形状及び寸法に基づいて加工パターンを生成する加工パターン生成処理と、前記加工パターンに基づいてイオンビーム加工の停止を行うイオンビーム停止処理と、を実行する。

Abstract translation: 提供了离子束装置和离子束处理方法，其中可以制造标准化探针而不需要处理探针的技能。 在该方法中执行的是：由探头电流检测装置检测的探针形状生成处理，用于基于流入探针的电流检测探针的形状; 探针尖端坐标提取处理，用于从探针形状检测证明的前端位置; 探针轮廓提取处理，用于从探头的前端位置和探针形状产生近似探针外部形状的探针轮廓; 探针中心线提取处理，用于从探针轮廓产生探针的中心线和垂直线; 用于根据证明的前端位置，探针的中心线，探针的垂直线以及尖锐边缘部分的预定形状和尺寸产生处理图案的处理图案生成处理 的探针; 以及基于处理模式停止离子束处理的离子束停止处理。

公开(公告)号：WO2011118744A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：PCT/JP2011/057273

申请日：2011-03-25

Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ ,  野間口恒典 ,  揚村寿英

Inventor： 野間口恒典 ,  揚村寿英

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/28 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3005 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/2448 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/31749

Abstract: 　FIB加工における加工効率を低下させずにリアルタイムでSEM観察を可能にする技術を提供する。本発明では、FIBカラムとSEMカラムを備える複合荷電粒子線装置に、電子ビームを試料に照射したときに発生する後方散乱電子が試料室の構造物に衝突することによって放出される二次電子（本明細書では、三次電子という）を検出するSE3検出器を設けている。そして、この三次電子を用いてSEM像を生成し、そのSEM像によって、イオンビームによる加工の状態を観察することが可能なようになっている。

Abstract translation: 公开了可以实时地进行SEM观察的技术，而不会降低处理效率。 设置有FIB柱和SEM柱的复合带电粒子束装置中装有用于检测二次电子（在本说明书中称为三次电子）的SE3检测器，当后向散射电子产生时， 电子束照射到样品上，与样品室的结构碰撞。 然后，使用这些三次电子产生SEM图像，通过SEM图像使离子束的处理状态可以观察到。

公开(公告)号：WO2008049134A3

公开(公告)日：2009-08-20

申请号：PCT/US2007082166

申请日：2007-10-22

Applicant: FEI CO ,  ARJAVAC JASON ,  ZOU PEI ,  TASKER DAVID JAMES ,  OTTEN MAXIMUS THEODORUS ,  DANIEL GERHARD

Inventor： ARJAVAC JASON ,  ZOU PEI ,  TASKER DAVID JAMES ,  OTTEN MAXIMUS THEODORUS ,  DANIEL GERHARD

IPC: G01R31/305

CPC classification number: G01N1/28 ,  G01N1/06 ,  G01N1/08 ,  G01N1/32 ,  G01N23/04 ,  H01J37/06 ,  H01J37/18 ,  H01J37/20 ,  H01J37/26 ,  H01J37/28 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/063 ,  H01J2237/182 ,  H01J2237/204 ,  H01J2237/208 ,  H01J2237/2802 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/31749

Abstract: An improved method and apparatus for S/TEM sample preparation and analysis. Preferred embodiments of the present invention provide improved methods for TEM sample creation, especially for small geometry (

Abstract translation: 一种用于S / TEM样品制备和分析的改进方法和装置。 本发明的优选实施例提供用于TEM样品制备的改进方法，特别是对于小几何（<100nm厚）TEM薄片。 本发明的优选实施例还通过提供部分或全部自动化TEM样品制作的方法来提供在诸如集成电路或半导体晶片上制造的其它结构的物体上的基于S / TEM的测量的在线方法，以使得创建过程 并分析TEM样品减少劳动密集度，并提高TEM分析的产量和再现性。