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公开(公告)号:WO2019015077A1
公开(公告)日:2019-01-24
申请号:PCT/CN2017/102538
申请日:2017-09-21
Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
Inventor: 郝思坤
IPC: G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/133516 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2001/136222 , G02F2001/136272 , G02F2001/136295 , G02F2201/122 , H01L27/124 , H01L27/1262
Abstract: 一种阵列基板(901)及其制造方法、液晶显示装置,阵列基板(901)包括多条扫描线(10);多条数据线(20),与多条扫描线(10)彼此交叉设置,从而定义出多个像素区域(30);多条辅助线段(40、50),其中,每条扫描线(10)和/或每条数据线(20)分别对应至少一条辅助线段(40、50),扫描线(10)和/或数据线(20)与对应的辅助线段(40、50)电容耦合。能够降低扫描线(10)和/或数据线(20)上的信号延迟时间,提高充电率,改善显示效果。
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公开(公告)号:WO2018036028A1
公开(公告)日:2018-03-01
申请号:PCT/CN2016/110074
申请日:2016-12-15
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor: 叶岩溪
IPC: G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/134336 , G02F1/1337 , G02F1/133707 , G02F1/1343 , G02F1/134309 , G02F1/13439 , G02F2001/133742 , G02F2201/122 , G02F2201/123
Abstract: 一种像素电极,该像素电极具有封闭的边框电极(20),并且边框电极(20)的至少一对对边的外部呈锯齿形结构,所述锯齿形结构的齿槽(21)的延伸方向与该像素电极的相应分支电极(30)的延伸方向平行一致,进而使得在边框电极(20)对应的区域上,液晶可以像在边框电极(20)的内侧区域上一样沿着分支电极(30)的方向进行倾倒,避免边框电极(20)对应的区域出现暗纹,将该像素电极应用于HVA型液晶显示面板,能够有效提升该液晶显示面板的穿透率和亮度,从而改善显示效果。
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公开(公告)号:WO2017121008A1
公开(公告)日:2017-07-20
申请号:PCT/CN2016/074502
申请日:2016-02-25
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor: 徐向阳
IPC: H01L21/77 , H01L27/12 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/13439 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/134318 , G02F2001/136295 , G02F2201/121 , G02F2201/122 , G02F2201/123 , G02F2202/103 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L21/0274 , H01L21/2855 , H01L21/30604 , H01L21/3086 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/32139 , H01L21/77 , H01L27/12 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1262 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/42364 , H01L29/42384 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/518 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , H01L29/78696
Abstract: 一种IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法及IPS型TFT-LCD阵列基板。IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法,将公共电极走线(20)与栅极(11)采用同层金属制得,将像素电极(16)与漏极(15)采用同层金属制得,在绝缘保护层(17)及栅极绝缘层(12)上形成对应于所述公共电极走线(20)上方的过孔(201),在所述绝缘保护层(17)上形成透明导电材料的公共电极(21),使公共电极(21)通过过孔(201)与公共电极走线(20)相接触,从而能够提升像素电极(16)的充电效率;TFT阵列基板中,像素电极(16)与漏极(15)采用同层金属制得,公共电极走线(20)与栅极(11)采用同一层金属层制得,公共电极(21)为透明导电材料并位于绝缘保护层(17)上,公共电极(21)通过绝缘保护层(17)及栅极绝缘层(12)上的过孔(201)与公共电极走线(20)相接触,像素电极(16)的充电效率高,能够提高IPS型液晶显示面板的显示效果。
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4.DISPOSITIF ÉLECTRO-OPTIQUE POUR LA DÉTECTION DE LA MODIFICATION LOCALE D'UN CHAMP ÉLECTRIQUE 审中-公开
Title translation: 用于检测电场局部修改的电光器件公开(公告)号:WO2017109346A1
公开(公告)日:2017-06-29
申请号:PCT/FR2016/053493
申请日:2016-12-16
Inventor: BELLOIR, Tiphaine , LECARME, Olivier , HONEGGER, Thibault
IPC: G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/13439 , G02F2201/122
Abstract: L'invention concerne un dispositif électro-optique pour la détection d'un champ électrique émis localement par un échantillon (100), comprenant Un polariseur supérieur (20) et inférieur (21) Une couche de cristaux liquides (30) à polarisation variable active comprise entre une couche d'alignement supérieure (50) et inférieure (51), présentant deux directions d'alignement perpendiculaires, et Une électrode supérieure (60) et inférieure (61), susceptibles d'être connectées à une source (70) de tension alternative, de sorte que lorsqu'une différence de tension (Vext) est appliquée, la couche de cristaux liquides baigne dans le champ électrique créé entre les deux électrodes. Il est essentiellement caractérisé en ce qu'il comprend Une couche de conducteurs électriques anisotropes (40), au contact de la couche d'alignement supérieure ou séparée de celle-ci par le polariseur supérieur, les conducteurs étant configurés pour transmettre ledit champ électrique selon une unique direction sécante aux couches d'alignement.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于由样本(100)局部检测电场的电光装置,包括较高偏振器。 (20)及其以下(21)提供液晶层(30) 具有两个垂直对准方向的上(50)和下(51)对准层之间的有源可变极化,以及上(60)和下(60)电极( 61),它们可以相互连接。 交流电压源(70),使得当施加电压差(Vext)时,液晶层嵌入在所产生的电场中; 在两个电极之间。 它本质上是个性风险&&&&& 因为它包括一层各向异性电导体(40),与上取向层接触或通过上偏振器与上取向层分离,所述导电体; 配置为将所述电场以单一单一方向传输至对准层。 p>
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公开(公告)号:WO2017054252A1
公开(公告)日:2017-04-06
申请号:PCT/CN2015/091442
申请日:2015-10-08
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor: 石龙强
IPC: H01L21/34 , H01L21/42 , H01L21/44 , H01L29/786 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/45 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/136209 , G02F2001/136218 , G02F2201/122 , G02F2202/10 , H01L21/34 , H01L21/42 , H01L21/44 , H01L21/477 , H01L27/1288 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869
Abstract: 公开了一种TFT基板、TFT开关管及其制造方法,该方法包括:在基板(11)上设置栅极层(120);对栅极层(120)的侧区域(122)的至少一部分沿着栅极层(120)的厚度方向进行薄型化处理,以形成两薄型化区域(123);在栅极层(120)的上方设置半导体层(13);在半导体层(13)上设置源极层(140)和漏极层(141),其中源极层(140)和漏极层(141)分别与半导体层(13)接触的区域分别对应两薄型化区域(123)。通过上述方式,能够省去掺杂步骤,并达到良好的欧姆接触,从而解决Schottky接触的问题。
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公开(公告)号:WO2016206157A1
公开(公告)日:2016-12-29
申请号:PCT/CN2015/085093
申请日:2015-07-24
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor: 钟新辉
IPC: G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/134309 , G02F1/133707 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2201/121 , G02F2201/122 , G02F2201/123
Abstract: 一种像素电极及液晶显示面板。像素电极包括一边框电极(1)、垂直连接于边框电极(1)中部的一主干电极(2)、数个相互平行且相互间隔的第一分支电极(21)、及数个相互平行且相互间隔的第二分支电极(22);数个第一分支电极(21)、数个第二分支电极(22)分别与边框电极(1)呈135°、45°夹角,数个第一分支电极(21)与数个第二分支电极(22)之间相互垂直,像素电极在一个子像素中包含两个区域,并且采用只有一条龙骨的设计,增加了有效显示区域,提高了液晶面板的穿透率。
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公开(公告)号:WO2016188036A1
公开(公告)日:2016-12-01
申请号:PCT/CN2015/093562
申请日:2015-11-02
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G09G3/36
CPC classification number: G02F1/13624 , G02F1/134309 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/134345 , G02F2201/122 , G02F2201/123 , G09G3/3648 , G09G2320/028
Abstract: 一种阵列基板及显示装置。其中,像素单元(01)包括第一子像素电极(11)和第二子像素电极(21),第一子像素电极(11)与第一TFT(12)的漏极相连,第二子像素电极(21)与第二TFT(22)的漏极相连;其中,第一TFT(12)的源极与其相连的数据线(03)之间的电阻大于第二TFT(22)的源极与其相连的数据线(03)之间的电阻;和/或,第一TFT(12)的漏极与第一子像素电极(11)之间的电阻大于第二TFT(22)的漏极与第二子像素电极(21)之间的电阻。
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公开(公告)号:WO2016161695A1
公开(公告)日:2016-10-13
申请号:PCT/CN2015/079381
申请日:2015-05-20
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/133514 , G02B6/00 , G02B6/0031 , G02B6/0041 , G02B6/0055 , G02B6/0065 , G02F1/133305 , G02F1/133512 , G02F1/133528 , G02F1/1336 , G02F1/1337 , G02F1/134309 , G02F1/13439 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/133742 , G02F2001/134318 , G02F2201/121 , G02F2201/122 , G02F2201/52
Abstract: 一种柔性液晶显示器,包括柔性背光模组(50)、以及设于所述柔性背光模组(50)上方的柔性液晶显示面板(40),所述柔性液晶显示面板(40)包括从下到上依次设置的下偏光片(21)、阵列基板(2)、液晶层(3)、彩色滤光基板(1)、及上偏光片(11);所述彩色滤光基板(1)包括第一基板(10)、设于所述第一基板(10)上的彩色滤光层(12)、设于所述彩色滤光层(12)上的平坦层(15)、设于所述平坦层(15)上的公共电极层(16)、设于所述公共电极层(16)上的黑色矩阵挡墙(17);其中,所述公共电极层(16)包括数个间隔设置的电极区块(160),所述数个电极区块(160)之间通过金属线(161)电性连接,可避免公共电极层(16)在弯曲过程中发生脆性断裂。
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公开(公告)号:WO2016115749A1
公开(公告)日:2016-07-28
申请号:PCT/CN2015/071817
申请日:2015-01-29
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor: 唐岳军
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/133707 , G02F1/13439 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/134345 , G02F2001/134372 , G02F2001/134381 , G02F2201/121 , G02F2201/122 , G02F2201/123
Abstract: 一种像素结构及具有该像素结构的液晶显示器,该像素结构(80)设置于一阵列基板(30)上,且由一个或两个薄膜晶体管器件控制,所述像素结构(80)包括若干凸起结构(83)、若干突起状电极(84/85)及一底部电极,所述突起状电极(84/85)制作于所述凸起结构(83)上,所述底部电极位于所述凸起结构(83)下方,制作于所述凸起结构(83)上的突起状电极(84/85)之间产生水平电场,所述底部电极与制作于所述凸起结构(83)上的突起状电极(84/85)之间产生侧向水平电场。该像素结构及具有该像素结构的液晶显示器可以减小竖直电场的分量和增大水平电场的目的,从而提升FFS和IPS模式的穿透率或者液晶的响应速度,更减弱了正性液晶的站立趋势。
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公开(公告)号:WO2016106784A1
公开(公告)日:2016-07-07
申请号:PCT/CN2015/070099
申请日:2015-01-05
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor: 赵锋
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/134309 , G02F1/133345 , G02F1/13439 , G02F1/137 , G02F2001/134345 , G02F2201/121 , G02F2201/122 , G02F2201/123
Abstract: 提供了一种像素结构(100)及包括像素结构(100)的液晶显示面板,其中像素结构(100)包括绝缘层(12)以及铺设于绝缘层(12)上方的像素电极层(14),绝缘层(12)包括图案化的第一绝缘区(120)和无图案化的第二绝缘区(122),像素电极层(14)包括铺设在第一绝缘区(120)上方的无图案化的第一像素电极区(140),以及铺设在第二绝缘区(122)上方的图案化的第二像素电极区(142)。因此,能够同时获得均匀稳定的液晶配向以及较高的光学穿透率。
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