公开(公告)号：WO2019100017A1

公开(公告)日：2019-05-23

申请号：PCT/US2018/061849

申请日：2018-11-19

Applicant: MICROSOFT TECHNOLOGY LICENSING, LLC

Inventor： PIKULIN, Dmitry I.

IPC: G06N10/00

CPC classification number: G06N10/00 ,  H01L43/04 ,  H01L43/065 ,  H01L49/003 ,  H01L49/006

Abstract: This application concerns quantum computing, and in particular to structures and mechanisms for providing topologically protected quantum computation. In certain embodiments, a magnetic tunnel barrier is controlled that separates Majorona zero modes ("MZMs") from an edge area (e.g., a gapless edge) of a quantum spin hall system. In particular implementations, the magnetic tunnel barrier is formed from a pair of magnetic insulators whose magnetization is held constant, and the magnetic tunnel barrier is tuned by controlling a gate controlling the electron density around the magnetic insulator in the QSH plane, thereby forming a quantum dot. And, in some implementations, a state of the quantum dot is read out (e.g., using a charge sensor as disclosed herein).

公开(公告)号：WO2012099653A3

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：PCT/US2011063919

申请日：2011-12-08

Applicant: QD VISION INC ,  KAMPLAIN JUSTIN W ,  ZHU ZHENGGUO

Inventor： KAMPLAIN JUSTIN W ,  ZHU ZHENGGUO

IPC: C09K11/08

CPC classification number: H01L49/006 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/02 ,  C09K11/565 ,  C09K11/7492 ,  C09K11/883 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/0665 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/896

Abstract: A method for preparing semiconductor nanocrystals comprising adding a precursor mixture comprising one or more cation precursors, one or more anion precursors, and one or more amines to a ligand mixture including one or more acids, one or more phenol compounds, and a solvent to form a reaction mixture, wherein the molar ratio of (the one or more phenol compounds plus the one or more acids plus the one or more amine compounds) to the one or more cations initially included in the reaction mixture is greater than or equal to about 6, and heating the reaction mixture at a temperature and for a period of time sufficient to produce semiconductor nanocrystals having a predetermined composition. Methods for forming a buffer layer and/or an overcoating layer there over are also disclosed. Semiconductor nanocrystals may include one or more Group IMA and one or more Group VA elements.

Abstract translation: 一种制备半导体纳米晶体的方法，包括将包含一种或多种阳离子前体，一种或多种阴离子前体和一种或多种胺的前体混合物加入到包含一种或多种酸，一种或多种酚化合物和溶剂的配体混合物中以形成 反应混合物，其中（一种或多种酚化合物加上一种或多种酸加一种或多种胺化合物）与初始包含在反应混合物中的一种或多种阳离子的摩尔比大于或等于约6 ，并在足以产生具有预定组成的半导体纳米晶体的温度和时间内加热反应混合物。 还公开了在其上形成缓冲层和/或外涂层的方法。 半导体纳米晶体可以包括一个或多个组IMA和一个或多个组VA元件。

公开(公告)号：WO2014011202A2

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：PCT/US2012/066184

申请日：2012-11-21

Applicant: THE TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF PENNSYLVANIA

Inventor： AGARWAL, Ritesh ,  CHO, Chang-Hee ,  ASPETTI, Carlos, O.

IPC: H01L33/18

CPC classification number: H01L49/006 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C09K11/565 ,  C09K11/62 ,  C09K11/70 ,  C09K11/883

Abstract: Plasmonic nanoscale devices with increased emissions are disclosed. Highly concentrated fields of plasmonic nanocavities are integrated with a core to alter the excited-state optical processes. A plasmonic device (e.g., a nanowire) is created using a direct or indirect bandgap material core, an interlayer and a metallic shell.

Abstract translation: 公开了具有增加排放的等离子体纳米尺度装置。 等离子体激元纳米结构的高浓度场与核心集成以改变激发态光学过程。 使用直接或间接带隙材料芯，中间层和金属壳产生等离子体激元器件（例如，纳米线）。

公开(公告)号：WO2010144730A2

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：PCT/US2010038211

申请日：2010-06-10

Applicant: NEXGEN SEMI HOLDING INC

Inventor： BENNAHMIAS MARK JOSEPH ,  ZANI MICHAEL JOHN ,  SCOTT JEFFERY WINFIELD

IPC: H01L49/00

CPC classification number: C23C16/40 ,  C23C16/0263 ,  C23C16/45525 ,  H01L49/006

Abstract: Certain embodiments disclosed herein relate to the formation of multi-component oxide heterostructures (MCOH) using surface nucleation to pattern the atomic layer deposition (ALD) of perovskite material followed by patterned etch and metallization to produce ultra-high density MCOH nano-electronic devices. Applications include ultra-high density MCOH memory and logic, as well as electronic functionality based on single electrons, for example a novel flash memory cell Floating-Gate (FG) transistor with LaAlO3 as a gate tunneling dielectric. Other types of memoiy devices (DIMMS. DRAM, and DDR) made with patterned ALD Of LaAlO3 as a gate dielectric are also possible.

Abstract translation: 本文公开的某些实施例涉及使用表面成核来形成钙钛矿材料的原子层沉积（ALD），然后进行图案化蚀刻和金属化以形成超高密度MCOH纳米电子器件的多组分氧化物异质结构（MCOH）的形成。 应用包括超高密度MCOH存储器和逻辑，以及基于单个电子的电子功能，例如具有LaAlO 3作为栅极隧道电介质的新型闪存单元浮栅（FG）晶体管。 使用LaAlO 3的图案化ALD作为栅极电介质制成的其他类型的备注设备（DIMMS，DRAM和DDR）也是可能的。

公开(公告)号：WO2010065071A3

公开(公告)日：2010-10-28

申请号：PCT/US2009006255

申请日：2009-11-24

Applicant: UNIV MINNESOTA ,  NORRIS DAVID J ,  HAN SANG EON ,  NAGPAL PRASHANT ,  BHAN ADITYA ,  OH SANG-HYUN

Inventor： NORRIS DAVID J ,  HAN SANG EON ,  NAGPAL PRASHANT ,  BHAN ADITYA ,  OH SANG-HYUN

IPC: B82B3/00 ,  B41M1/28 ,  B41M5/24

CPC classification number: H01L49/006 ,  B81C1/00119 ,  B81C99/009 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B1/002 ,  G02B5/008 ,  G02B6/1226 ,  G03F7/0002 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/054 ,  H01L49/02 ,  Y02E10/52 ,  Y10T428/12486 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/12507

Abstract: The present invention provides templating methods for replicating patterned metal films from a template substrate such as for use in plasmonic devices and metamaterials. Advantageously, the template substrate is reusable and can provide plural copies of the structure of the template substrate. Because high-quality substrates that are inherently smooth and flat are available, patterned metal films in accordance with the present invention can advantageously provide surfaces that replicate the surface characteristics of the template substrate both in the patterned regions and in the unpatterned regions.

Abstract translation: 本发明提供了用于从模板底物复制图案化金属膜的模板方法，例如用于等离子体激元装置和超材料。 有利地，模板衬底是可重复使用的，并且可以提供模板衬底的结构的多个拷贝。 因为本质上光滑平坦的高品质基板是可获得的，所以根据本发明的图案化金属膜可以有利地提供在图案化区域和未图案化区域中复制模板基板的表面特性的表面。

公开(公告)号：WO2010102103A1

公开(公告)日：2010-09-10

申请号：PCT/US2010/026204

申请日：2010-03-04

Applicant: QUANTUM CONFINED, LTD. ,  EDGINGTON, Nicholas, John ,  MCWHORTER, Thomas, Ellsworth

Inventor： EDGINGTON, Nicholas, John ,  MCWHORTER, Thomas, Ellsworth

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L49/006 ,  B82Y10/00

Abstract: An electrical device using metal nanocones and a method for handling nanocones. The electrical device includes a conductive element having a metallic spherical section, a metallic conical section integrally connected to the spherical end, and a tip section integrally connected to the conical section and narrowing in width as the tip section extends from the conical section. The electrical device includes a first electrode connected to the metallic spherical section, a second electrode disposed proximate the tip section, and a gate electrode applying an electric field to the metallic conical section and the tip section. The method includes filling a first surface containing nanocones with a polymerizable medium, polymerizing the medium to encapsulate the nanocones in the medium, and removing the polymerized medium from the first surface.

Abstract translation: 使用金属纳米骨的电子装置和用于处理纳米酮的方法。 电气装置包括具有金属球形部分的导电元件，与球形端部一体连接的金属圆锥形部分，以及与锥形部分整体连接并且当尖端部分从圆锥形部分延伸时宽度变窄的尖端部分。 电气装置包括连接到金属球形部分的第一电极，靠近尖端部分设置的第二电极和向金属圆锥形部分和尖端部分施加电场的栅电极。 该方法包括用可聚合介质填充含有纳米酮的第一表面，聚合介质以将纳米酮包封在介质中，以及从第一表面除去聚合介质。

公开(公告)号：WO2016208116A1

公开(公告)日：2016-12-29

申请号：PCT/JP2016/002410

申请日：2016-05-17

Applicant: 株式会社日本マイクロニクス

Inventor： 齋藤　友和 ,  出羽　晴匡

IPC: H01L49/00 ,  B05D1/36 ,  B05D3/02 ,  B05D3/06

CPC classification number: H01L49/006 ,  B05D1/36 ,  B05D3/02 ,  B05D3/06 ,  B05D3/065 ,  H01L29/0665 ,  H01L49/00 ,  Y02E10/50

Abstract: 本発明にかかること二次電池の製造方法は、絶縁性物質で覆われたｎ型金属酸化物半導体を光励起構造変化させることによりバンドギャップ中にエネルギー順位を形成して電子を捕獲する充電層を有する二次電池の製造方法であって、充電層（１８）となる成分が含まれる塗布膜を形成するため、塗布液を塗布する塗布工程（Ｓ１）と、塗布工程（Ｓ１）で塗布された塗布液を乾燥させて、乾燥後塗布膜を形成する乾燥工程（Ｓ２）と、乾燥工程（Ｓ２）を経た乾燥後塗布膜に紫外線を照射して、ＵＶ照射後塗布膜を形成するＵＶ照射工程（Ｓ３）と、塗布工程（Ｓ１）、乾燥工程（Ｓ２）、及び照射工程（Ｓ３）を１セットとして、複数セット繰り返して、ＵＶ照射後塗布膜を複数層形成した後に、複数層のＵＶ照射後塗布膜を焼成する焼成工程（Ｓ５）と、を備えたものである。

Abstract translation: 根据本发明的二次电池制造方法是一种二次电池的制造方法，其包括充电层，其通过在涂覆有n型金属氧化物半导体的光电结构变化引起带隙中形成能级而捕获电子 绝缘材料，所述方法包括：涂覆涂布液体以形成包括将形成所述带电层的部件的涂膜的涂布步骤（S1）; 干燥步骤（S2），通过干燥涂布步骤（S1）中涂覆的涂布液来形成干燥后的涂膜; 紫外线照射工序（S3），用紫外线照射通过干燥工序（S2）的干燥后膜，形成UV后照射涂膜; 并且在重复包括涂布步骤（S1），干燥步骤（S2）和照射步骤（S3）的多个组合之后，形成多层后UV照射涂膜，烘烤步骤 S5）烘烤后续UV照射涂膜的多层。

公开(公告)号：WO2010083056A1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：PCT/US2010/000114

申请日：2010-01-15

Applicant: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY ,  HOLME, Timothy, P. ,  PRINZ, Friedrich, B. ,  TIAN, Xu

Inventor： HOLME, Timothy, P. ,  PRINZ, Friedrich, B. ,  TIAN, Xu

IPC: H01L29/76 ,  H01L29/10 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7613 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/107 ,  H01L29/127 ,  H01L29/7888 ,  H01L49/006

Abstract: One or more quantum dots are used to control current flow in a transistor. Instead of being disposed in a channel between source and drain, the quantum dot (or dots) are vertically separated from the source and drain by an insulating layer. Current can tunnel between the source/drain electrodes and the quantum dot (or dots) by tunneling through the insulating layer. Quantum dot energy levels can be controlled with one or more gate electrodes capacitively coupled to some or all of the quantum dot(s). Current can flow between source and drain if a quantum dot energy level is aligned with the energy of incident tunneling electrons. Current flow between source and drain is inhibited if no quantum dot energy level is aligned with the energy of incident tunneling electrons. Here energy level alignment is understood to have a margin of about the thermal energy (e.g., 26 meV at room temperature).

Abstract translation: 一个或多个量子点用于控制晶体管中的电流。 代替设置在源极和漏极之间的沟道中，量子点（或点）通过绝缘层与源极和漏极垂直分离。 通过穿过绝缘层，电流可以在源/漏电极和量子点（或点）之间隧穿。 可以通过电容耦合到一些或全部量子点的一个或多个栅电极来控制量子点能级。 如果量子点能级与入射隧道电子的能量对准，电流可以在源极和漏极之间流动。 如果没有量子点能级与入射隧道电子的能量对准，则源极和漏极之间的电流将被抑制。 这里，能级对准被理解为具有大约热能的余量（例如，在室温下为26meV）。

公开(公告)号：WO2009153669A3

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：PCT/IB2009006400

申请日：2009-06-17

Applicant: CA NAT RESEARCH COUNCIL ,  UNIV ALBERTA ,  DILABIO GINO A ,  WOLKOW ROBERT A ,  PITTERS JASON L

Inventor： DILABIO GINO A ,  WOLKOW ROBERT A ,  PITTERS JASON L

IPC: H01L39/22 ,  G06N99/00

CPC classification number: G06N99/002 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/66977 ,  H01L49/006 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/782 ,  Y10S977/933

Abstract: A quantum device is provided that includes controllably quantum mechanically coupled dangling bonds extending from a surface of a semiconductor material. Each of the controllably quantum mechanically coupled dangling bonds has a separation of at least one atom of the semiconductor material. At least one electrode is provided for selectively modifying an electronic state of the controllably quantum mechanically coupled dangling bonds. By providing at least one additional electron within the controllably quantum mechanically coupled dangling bonds with the proviso that there exists at least one unoccupied dangling bond for each one additional electron present, the inventive device is operable at least to 293 degrees Kelvin and is largely immune to stray electrostatic perturbations. Room temperature operable quantum cellular automata and qubits are constructed thereform.

Abstract translation: 提供了一种量子器件，其包括从半导体材料的表面延伸的可控量子的机械耦合悬挂键。 每个可控量子的机械耦合悬挂键具有半导体材料的至少一个原子的分离。 提供至少一个电极用于选择性地修改可控量子机械耦合悬挂键的电子状态。 通过在可控量子机械耦合悬挂键内提供至少一个附加电子，条件是存在至少一个未占用的悬挂键，每个附加电子存在，本发明的装置可操作至少至293开氏度，并且很大程度上不受 杂散静电扰动。 室温可操作的量子单元自动机和量子位构成。

公开(公告)号：WO2010003395A2

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：PCT/DE2009/000844

申请日：2009-06-19

Applicant: FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH ,  KOHLSTEDT, Hermann

Inventor： KOHLSTEDT, Hermann

CPC classification number: H01L49/006 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66977 ,  H01L39/228 ,  H01L43/06

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Drei- oder Mehrtorbauelement auf der Basis des quantenmechanischen Tunneleffekts. Das Bauelement umfasst mindestens zwei durch eine für Elektronen durchtunnelbare Lücke beabstandete Tunnelelektroden auf einem Substrat. Erfindungsgemäß weist das Bauelement Mittel zur Beaufschlagung der Lücke mit einem derartigen elektrischen Feld auf, dass der Weg eines zwischen den Tunnelelektroden tunnelnden Elektrons infolge Ablenkung durch dieses Feld verlängert wird. Es können auch allgemein Mittel zur Beaufschlagung der Lücke mit einem elektrischen Feld vorgesehen sein, das eine Feldkomponente enthält, welche senkrecht zur Richtung des Tunnelstroms zwischen den Tunnelelektroden und parallel zum Substrat verläuft. Da der Tunnelstrom zwischen den Tunnelektroden exponentiell von der Wegstrecke abhängt, die die Elektronen in der Lücke zurücklegen, hat ein derartiges elektrisches Feld einen hohen Durchgriff auf die Tunnelwahrscheinlichkeit und damit auf den zu steuernden Tunnelstrom. Ein solches Bauelement kann etwa als sehr schnell schaltender Transistor mit hoher Verstärkung wirken und muss dabei nicht halbleitend sein.

Abstract translation: 本发明涉及一种基于量子力学的隧道效应的三或Mehrtorbauelement。 该组件包括至少两个间隔开的由间隙durchtunnelbare用于在衬底上的电子隧道效应的电极。 根据本发明，该设备包括用于与这样的电场使电子隧穿电极由于偏转之间的隧穿的路径通过该字段扩展施加的间隙的装置。 它可以被提供有一个电场通常还用于将所述间隙，其中包含一个场分量，其是垂直于该隧道电极和平行于基片之间的隧道电流的方向。 由于Tunnelektroden之间的隧道电流指数地取决于在间隙行进其中电子，具有这种电场高穿透到隧穿概率，因此被控制隧道电流的距离。 这样的装置可以用作具有高增益的非常快的开关晶体管，它不必被半导体。