公开(公告)号：WO2018029481A1

公开(公告)日：2018-02-15

申请号：PCT/GB2017/052364

申请日：2017-08-10

Applicant: ARM LTD

Inventor： REID, Kimberly Gay ,  SHIFREN, Lucian

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1266 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1641 ,  H01L49/003

Abstract: The present techniques generally relate to fabrication of layered correlated electron materials (CEMs) in which a first group of one or more layers may comprise a first concentrationof a dopant species, and wherein a second group of one or more layers may comprise a second concentration of a dopant species. In other embodiments, a CEM may comprise one or more regions of graded concentration of a dopant species.

Abstract translation: 本技术总体上涉及制造层状相关电子材料（CEM），其中第一组一个或多个层可以包括第一浓度的掺杂剂物质，并且其中第二组的一个或多个层 更多层可以包含第二浓度的掺杂剂物质。 在其他实施例中，CEM可以包括一个或多个渐变浓度的掺杂剂物质的区域。

公开(公告)号：WO2017042587A1

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：PCT/GB2016/052805

申请日：2016-09-09

Applicant: ARM LTD

Inventor： SHIFREN, Lucian ,  YERIC, Greg

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L49/003 ,  G11C7/20 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/73 ,  H01L45/04 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1641

Abstract: The present techniques generally relate to correlated electron switches that are capable of asymmetric set or reset operations.

Abstract translation: 本技术通常涉及能够进行不对称设置或复位操作的相关电子开关。

公开(公告)号：WO2016190838A1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：PCT/US2015/032117

申请日：2015-05-22

Applicant: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP

Inventor： HU, Miao ,  GIBSON, Gary ,  STRACHAN, John Paul ,  GE, Ning

IPC: H01L25/16

CPC classification number: H01L29/66977 ,  H01L25/16 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1025 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/78648 ,  H01L49/003

Abstract: A hybrid selector comprises a nonlinear selector and a ohmic resistor coupled in series with the nonlinear selector. The hybrid selector is nonlinear below a threshold voltage. The hybrid selector is linear above the threshold voltage.

Abstract translation: 混合选择器包括与非线性选择器串联耦合的非线性选择器和欧姆电阻器。 混合选择器在阈值电压以下是非线性的。 混合选择器在阈值电压之上是线性的。

公开(公告)号：WO2014128990A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：PCT/JP2013/070449

申请日：2013-07-29

Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所

Inventor： 伊藤　正勝 ,  フォンス　ポール ,  太田　裕之 ,  森田　行則 ,  右田　真司 ,  富永　淳二

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L49/003 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684

Abstract: 　電界の印加によりトポロジカル相転移が生じる相変化材料を含むチャネル層と、チャネル層に接続されたソース電極及びドレイン電極と、チャネル層の第１の面上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された第１のゲート電極と、ソース電極とドレイン電極との間のチャネル層の第２の面上に形成された第２のゲート電極とを有する。

Abstract translation: 该相变沟道晶体管包括：沟道层，其包含通过施加电场而经历拓扑相变的相变材料; 源电极和漏电极，其连接到沟道层; 绝缘膜，其形成在所述沟道层的第一表面上; 形成在绝缘膜上的第一栅电极; 以及第二栅极，其形成在所述沟道层的所述源电极和所述漏电极之间的第二表面上。

公开(公告)号：WO2014013052A1

公开(公告)日：2014-01-23

申请号：PCT/EP2013/065278

申请日：2013-07-19

Applicant: THALES ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (C.N.R.S) ,  UNIVERSITÉ PARIS-SUD 11

Inventor： BIBES, Manuel ,  BARTHELEMY, Agnes

IPC: H01L29/861 ,  H01L49/02

CPC classification number: H01L28/55 ,  G11C11/221 ,  G11C11/2275 ,  G11C11/5657 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/56 ,  H01L28/75 ,  H01L29/8615 ,  H01L49/003

Abstract: L'invention concerne un dispositif (10) comportant une pluralité de couches minces (12, 14, 18) comprenant une couche (14) formée d'un matériau ferroélectrique polarisable selon plusieurs directions de polarisation selon une tension électrique appliquée à ladite couche de matériau ferroélectrique, entourée d'une paire de couches conductrices (12, 18) formant des électrodes. Le dispositif de l'invention comprend une couche intermédiaire (16) entre ladite couche (14) de matériau ferroélectrique et une des couches conductrices (12, 18), ladite couche intermédiaire (16) étant constituée d'un matériau dont des propriétés électroniques sont modifiées selon la direction de polarisation dans ladite couche (14) de matériau ferroélectrique adjacente. Le dispositif de l'invention trouve des applications particulièrement avantageuses comme élément mémoire d'une mémoire non volatile, comme élément d'un circuit logique programmable et comme micro-interrupteur.

Abstract translation: 本发明涉及一种包括多个薄层（12,14,18）的装置（10），其包括由铁电材料形成的层（14），所述层可以沿着多个极化方向被极化，所述层（14）根据施加到所述 铁电材料层，被形成电极的一对导电层（12,18）包围。 根据本发明的装置包括在铁电材料层（14）和导电层（12,18）中的一个之间的中间层（16），所述中间层（16）由电子 根据铁电材料的所述相邻层（14）中的极化方向修改属性。 根据本发明的装置作为非易失性存储器中的存储元件，作为可编程逻辑电路中的元件和微型开关具有特别有利的应用。

公开(公告)号：WO2013108508A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：PCT/JP2012/081760

申请日：2012-12-07

Applicant: 富士電機株式会社

Inventor： 荻本　泰史

IPC: C30B29/22 ,  C01G45/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C30B29/68 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L49/003 ,  C01G45/1264 ,  C23C14/083 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  C30B29/22 ,  C30B29/68 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L49/02

Abstract: 　室温でモット転移により相転移しスイッチング機能を実現する薄膜または積層体を提供する。本発明のある実施形態においては、基板１の面の上に形成され、組成式ＲＭｎＯ ３ （ただし、Ｒはランタノイドから選択される少なくとも１種の３価の希土類元素）により表される組成のマンガン酸化物薄膜２であって、元素Ｒを含みＭｎを含まない原子層と、Ｍｎを含み元素Ｒを含まない原子層とが基板面に垂直方向に向かって交互に並ぶように積層されており、基板面の面内方向に、互いに非等価な２つの結晶軸を有しているマンガン酸化物薄膜が提供される。また、本発明のある態様においては、上記態様のマンガン酸化物薄膜２に、強相関酸化物薄膜３、３１、３２を接して形成した酸化物積層体も提供される。

Abstract translation: 提供了由于在室温下的Mott过渡而发生相变的薄膜或层压体，实现了切换功能。 在本发明的一个实施方案中，形成在基材（1）的表面上并具有由组成式表示的组成的RMnO 3（其中R是至少一种类型的）的氧化锰薄膜（2） 提供了选自镧系元素的三价稀土元素），所述氧化锰薄膜具有含有R元素但不含锰（Mn）的原子层，以及含有Mn但不含R元素的原子层，层叠 以与衬底表面垂直的方向交替排列的方式，并且具有在衬底表面的面内方向上彼此不相等的两个晶体轴。 在本发明的一个具体实施方案中，还提供氧化物层压体，所述氧化物层压体具有强相关的氧化物薄膜（3,31,32），它们在氧化物薄膜（2）上彼此接触形成 上述形式。

公开(公告)号：WO2009014348A2

公开(公告)日：2009-01-29

申请号：PCT/KR2008/004202

申请日：2008-07-18

Applicant: ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE ,  KIM, Hyun-Tak ,  LEE, Yong-Wook ,  KIM, Bong-Jun ,  CHOI, Sung-Youl ,  YUN, Sun-Jin

Inventor： KIM, Hyun-Tak ,  LEE, Yong-Wook ,  KIM, Bong-Jun ,  CHOI, Sung-Youl ,  YUN, Sun-Jin

IPC: H01L29/08

CPC classification number: H01L49/003

Abstract: Provided are a 3-terminal MIT switch which can easily control a discontinuous MIT jump and does not need a conventional gate insulating layer, a switching system including the 3-terminal MIT switch, and a method of controlling an MIT of the 3-terminal MIT switch. The 3-terminal MIT switch includes a 2-terminal MIT device, which generates discontinuous MIT in a transition voltage, an inlet electrode and an outlet electrode, which are respectively connected to each terminal of the 2-terminal MIT device, and a control electrode, which is connected to the inlet electrode and includes an external terminal separated from an external terminal of the inlet electrode, wherein an MIT of the 2-terminal MIT device is controlled according to a voltage or a current applied to the control electrode. The switching system includes the 3-terminal MIT switch, a voltage source connected to the inlet electrode, and a control source connected to the control electrode.

Abstract translation: 提供了一种三端MIT开关，其可以容易地控制不连续的MIT跳转，并且不需要常规的栅极绝缘层，包括3端子MIT开关的开关系统以及控制3端子MIT的MIT的方法 开关。 3端MIT开关包括2端MIT装置，其分别连接到2端MIT装置的每个端子，产生过渡电压的不连续MIT，入口电极和出口电极以及控制电极 ，其连接到入口电极并且包括与入口电极的外部端子分离的外部端子，其中根据施加到控制电极的电压或电流来控制2端子MIT装置的MIT。 开关系统包括三端MIT开关，连接到入口电极的电压源和连接到控制电极的控制源。

公开(公告)号：WO2007111427A1

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：PCT/KR2007/001253

申请日：2007-03-14

Applicant: ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE ,  LIM, JungWook ,  YUN, Sun-Jin ,  KIM, Hyun-Tak ,  LEE, Yong-Wook

Inventor： LIM, JungWook ,  YUN, Sun-Jin ,  KIM, Hyun-Tak ,  LEE, Yong-Wook

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L27/0676 ,  H01L28/40 ,  H01L49/003

Abstract: Provided is a voltage regulation system using an abrupt metal-insulator transition (MIT), which can regulate various zener voltages and can be easily manufactured. The voltage regulation system includes: an input power source: a series resistor connected in series to the input power source; and an MIT insulator connected in series to the series resistor, and undergoing an abrupt MIT such that the range of an output voltage regulated to be kept constant varies according to the resistance of the series resistor.

Abstract translation: 提供了一种使用突变金属 - 绝缘体转变（MIT）的电压调节系统，其可以调节各种齐纳电压并且可以容易地制造。 电压调节系统包括：输入电源：与输入电源串联连接的串联电阻; 以及与串联电阻器串联连接的MIT绝缘体，并且经历突发MIT，使得调节为保持恒定的输出电压的范围根据串联电阻器的电阻而变化。

公开(公告)号：WO2007089097A1

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：PCT/KR2007/000526

申请日：2007-01-31

Applicant: ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE ,  KIM, Hyun-Tak ,  CHAE, Byung-Gyu ,  KANG, Kwang-Yong ,  KIM, Bong-Jun ,  LEE, Yong-Wook ,  YUN, Sun-Jin

Inventor： KIM, Hyun-Tak ,  CHAE, Byung-Gyu ,  KANG, Kwang-Yong ,  KIM, Bong-Jun ,  LEE, Yong-Wook ,  YUN, Sun-Jin

IPC: H01L29/768

CPC classification number: H01L49/003

Abstract: An abrupt MIT (metal-insulator transition) device with parallel conducting layers is provided. The abrupt MIT device includes a first electrode disposed on a certain region of a substrate, a second electrode disposed so as to be spaced a predetermined distance apart from the first electrode, and at least one conducting layer electrically connecting the first electrode with the second electrode and having a width that allows the entire region of the conducting layer to be transformed into a metal layer due to an MIT. Due to this configuration, deterioration of the conducting layer, which is typically caused by current flowing through the conducting layer, is less likely to occur.

Abstract translation: 提供了具有平行导电层的突发MIT（金属 - 绝缘体转变）器件。 突变MIT装置包括设置在基板的某个区域上的第一电极，设置成与第一电极隔开预定距离的第二电极，以及将第一电极与第二电极电连接的至少一个导电层 并且具有允许导电层的整个区域由于MIT而被转变成金属层的宽度。 由于这种构造，通常由电流流过导电层引起的导电层的劣化不太可能发生。

公开(公告)号：WO01029841A1

公开(公告)日：2001-04-26

申请号：PCT/JP2000/007182

申请日：2000-10-17

IPC: G11C11/16 ,  B82B3/00 ,  G11B5/00 ,  G11B9/00 ,  H01F10/00 ,  G11C13/00

CPC classification number: G11B5/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B9/14 ,  G11B2005/0002 ,  H01F1/009 ,  H01F10/007 ,  H01L49/003

Abstract: Phase transition is controlled by controlling the fractal dimension of a fractal combination throughout the entire region or locally. In magnetic materials, a ferromagnetic phase transition temperature of magnetic fine particles disposed in a self-similarity-carrying shape is controlled by a fractal dimension. In a half-field electronic system confined in a dendritic fractal, Mott transition is controlled by the fractal dimension of the system. In addition, magnetic impurities are added to a fractal combination to generate quantum chaos stronger than ever, and, through this process, Anderson transition is controlled.

Abstract translation: 通过控制分形组合在整个区域或局部的分形维数来控制相变。 在磁性材料中，通过分形维数控制以自相似载体形式布置的磁性细颗粒的铁磁相变温度。 在限制在树状分形的半场电子系统中，Mott过渡由系统的分形维数控制。 此外，磁性杂质被添加到分形组合中以产生比以往更强的量子混沌，并且通过该过程，控制安德森转换。