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    전자기기
    1.
    发明申请
    전자기기 审中-公开
    电子设备

    公开(公告)号：WO2017014350A1

    公开(公告)日：2017-01-26

    申请号：PCT/KR2015/008291

    申请日：2015-08-07

    Applicant: 엘지전자 주식회사

    Inventor： 이승윤 ,  유현선 ,  최민혁 ,  조재범 ,  고중열

    IPC: H04R1/10 ,  H01L43/04 ,  A61B5/00

    CPC classification number: H04B1/385 ,  H01L43/04 ,  H04B2001/3872 ,  H04R1/10 ,  H04R1/1091 ,  H04R5/033 ,  H04R2420/07

    Abstract: 미들 하우징; 일단이 상기 미들 하우징의 좌우 양측에 각각 결합한 제1 프레임과 제2 프레임을 포함하는 프레임; 상기 프레임에 결합하여 전자 부품이 실장되는 본체 하우징; 및 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임 사이의 각도 또는 배치를 조정하는 프레임 조정부를 포함하는 전자기기는 사용자의 목에 거는 밴드의 각도를 변화시킬 수 있는 프레임 조정부를 포함하여, 탈착이 편리하고 착용시에 안정적으로 고정할 수 있다.

    Abstract translation: 电子装置包括：中间壳体; 包括第一框架和第二框架的框架，每个框架的一端分别联接到中间壳体的左侧和右侧; 壳体，其联接到所述框架，使得电子部件被装载在其中; 以及用于调节第一框架和第二框架之间的角度的框架调节部件或其布置。 电子设备包括能够改变使用者颈部周围的带的角度的框架调节部件，因此便于拆卸，并且可以在佩戴时稳定地固定。

    VERTICAL HALL EFFECT SENSOR
    3.
    发明申请
    VERTICAL HALL EFFECT SENSOR 审中-公开
    垂直霍尔效应传感器

    公开(公告)号：WO2015047676A1

    公开(公告)日：2015-04-02

    申请号：PCT/US2014/053826

    申请日：2014-09-03

    Applicant: ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC

    Inventor： KOSIER, Steven ,  HOILIEN, Noel

    IPC: G01R33/07 ,  H01L43/06

    CPC classification number: H01L43/065 ,  G01R33/077 ,  H01L27/22 ,  H01L43/04 ,  H01L43/14

    Abstract: In one aspect, a vertical Hall effect sensor (14) includes a semiconductor wafer (12) having a first conductivity type and a plurality of semiconductive electrodes (118,120A,120B,122A,122B) disposed on the semiconductor wafer. The plurality of semiconductive electrodes have the first conductivity type and include a source electrode (118), a first sensing electrode (120A) and a second sensing electrode (120B), arranged such that the source electrode is between the first sensing electrode and the second sensing electrode and a first drain electrode (122A) and a second drain electrode (122B), arranged such that the first sensing electrode, second sensing electrode, and source electrode are between the first drain electrode and the second drain electrode. The vertical Hall effect sensor also includes a plurality of semiconductor fingers (124A,124B,124C,124D) disposed on the semiconductor wafer and interdigitated with the plurality of semiconductive electrodes, the semiconductor fingers having a second conductivity type.

    Abstract translation: 一方面，垂直霍尔效应传感器（14）包括具有第一导电类型的半导体晶片（12）和设置在半导体晶片上的多个半导体电极（118,120A，120B，122A，122B）。 多个半导体电极具有第一导电类型，并且包括源电极（118），第一感测电极（120A）和第二感测电极（120B），其被布置成使得源电极位于第一感测电极和第二感测电极之间 感测电极和第一漏电极（122A）和第二漏电极（122B），其布置成使得第一感测电极，第二感测电极和源电极位于第一漏电极和第二漏电极之间。 垂直霍尔效应传感器还包括设置在半导体晶片上并与多个半导体电极交错的多个半导体指状物（124A，124B，124C，124D），半导体指状物具有第二导电类型。

    SPIN HALL EFFECT MAGNETIC APPARATUS, METHOD AND APPLICATIONS
    5.
    发明申请
    SPIN HALL EFFECT MAGNETIC APPARATUS, METHOD AND APPLICATIONS 审中-公开
    旋转霍尔效应磁性装置，方法和应用

    公开(公告)号：WO2013025994A3

    公开(公告)日：2013-04-11

    申请号：PCT/US2012051351

    申请日：2012-08-17

    Applicant: UNIV CORNELL ,  BUHRMAN ROBERT A ,  LIU LUQIAO ,  RALPH DANIEL C ,  PAI CHI-FENG

    Inventor： BUHRMAN ROBERT A ,  LIU LUQIAO ,  RALPH DANIEL C ,  PAI CHI-FENG

    IPC: G11C11/15 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115

    CPC classification number: G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/18 ,  G11C16/30 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01L43/04 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L43/14

    Abstract: An ST-MRAM structure, a method for fabricating the ST-MRAM structure and a method for operating an ST-MRAM device that results from the ST-MRAM structure each utilize a spin Hall effect base layer that contacts a magnetic free layer and effects a magnetic moment switching within the magnetic free layer as a result of a lateral switching current within the spin Hall effect base layer. This resulting ST-MRAM device uses an independent sense current and sense voltage through a magnetoresistive stack that includes a pinned layer, a non-magnetic spacer layer and the magnetic free layer which contacts the spin Hall effect base layer. Desirable non-magnetic conductor materials for the spin Hall effect base layer include certain types of tantalum materials and tungsten materials that have a spin diffusion length no greater than about five times the thickness of the spin Hall effect base layer and a spin Hall angle at least about 0.05.

    Abstract translation: ST-MRAM结构，用于制造ST-MRAM结构的方法以及用于操作由ST-MRAM结构产生的ST-MRAM器件的方法各自使用与无磁层接触的旋转霍尔效应基底层， 由于旋转霍尔效应基底层内的横向开关电流，磁性层内的磁矩切换。 由此产生的ST-MRAM器件通过包括钉扎层，非磁性间隔层和与自旋霍尔效应基底层接触的无磁性层的磁阻堆叠使用独立的感测电流和感测电压。 用于自旋霍尔效应基底层的理想非磁性导体材料包括某些类型的钽材料和钨材料，其自旋扩散长度不得大于旋转霍尔效应基底层的厚度的约五倍，并且旋转霍尔角至少为 约0.05。

    HALL SENSOR WITH A REDUCED OFFSET SIGNAL
    7.
    发明申请
    HALL SENSOR WITH A REDUCED OFFSET SIGNAL 审中-公开
    具有减少的偏置信号霍尔传感器

    公开(公告)号：WO0052424A8

    公开(公告)日：2001-05-10

    申请号：PCT/EP0000313

    申请日：2000-01-17

    Applicant: FRAUNHOFER GES FORSCHUNG

    Inventor： HOHE HANS-PETER ,  WEBER NORBERT ,  SAUERER JOSEF

    IPC: G01D3/02 ,  G01D5/14 ,  H01L43/04 ,  H01L43/06

    CPC classification number: G01D3/02 ,  G01D5/142 ,  H01L43/04 ,  H01L43/065

    Abstract: The invention relates to a hall sensor (1) comprising two opposite-lying power supply contact electrodes (7a, 7c) between which an active region (5) is defined. Said electrodes are provided for generating a current flow through the active region. The inventive hall sensor also comprises two opposite-lying voltage tapping contact electrodes (7b, 7d) for tapping a hall voltage, whereby a section of each contact electrode facing the active region (5) is shaped in such a way that the interfering influence of the contacts on the offset-reducing effect of the spinning current operation is reduced.

    Abstract translation: 霍尔传感器（1）具有两个相对的电流供给接触电极（7A，7C），其之间的有源区（5），用于产生通过所述有源区和两个相对的Spannungsabgriffskontaktelektroden（7B，7D）攻丝的霍尔电流流动定义 电压，由此面对各自的接触电极的部分的有源区（5）被形成为使得在纺纱当前操作的偏移降低效果的触点的破坏性影响被降低。

    电子装置及其制造方法和操作方法、电子复写系统
    8.
    发明申请
    电子装置及其制造方法和操作方法、电子复写系统 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018086335A1

    公开(公告)日：2018-05-17

    申请号：PCT/CN2017/085920

    申请日：2017-05-25

    Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

    Inventor： 刘英伟 ,  陈宁

    IPC: G06F3/0354 ,  G06F3/046 ,  H01L27/12

    CPC classification number: G06F3/046 ,  G01R33/06 ,  G06F3/03545 ,  G06F2203/04103 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/22 ,  H01L43/04 ,  H01L43/065 ,  H01L43/14

    Abstract: 一种电子装置及其制造方法和操作方法、电子复写系统。该电子装置(100)的每个像素单元(300)包括霍尔效应工作电极(120)、薄膜晶体管(110)、栅线(141)、第一公共线(142)、第二公共线(143)、数据线(151)和感测线(152)。霍尔效应工作电极(120)包括第一接触位置(121)、第二接触位置(122)、第三接触位置(123)和第四接触位置(124)，并且第一接触位置(121)和第二接触位置(122)的连线与第三接触位置(123)和第四接触位置(124)的连线相交；薄膜晶体管(110)包括栅极(111)、源极(114)和漏极(115)，漏极(115)与第一接触位置(121)电连接；栅线(141)与栅极(111)电连接；第一公共线(142)通过第三接触位置(123)与霍尔效应工作电极(120)电连接；第二公共线(143)通过第四接触位置(124)与霍尔效应工作电极(120)电连接；数据线(151)与源极(114)电连接；感测线(152)与第二接触位置(122)电连接。该电子装置(100)实现了书写信息的图像化。

    HALL EFFECT SENSING ELEMENT
    9.
    发明申请
    HALL EFFECT SENSING ELEMENT 审中-公开
    霍尔效应传感元件

    公开(公告)号：WO2016164265A1

    公开(公告)日：2016-10-13

    申请号：PCT/US2016/025547

    申请日：2016-04-01

    Applicant: ALLEGRO MICROSYSTEMS, LLC

    Inventor： TAYLOR, William, P. ,  WONG, Harianto

    IPC: H01L43/06 ,  H01L43/14 ,  H01L43/10

    CPC classification number: G01R33/07 ,  G01R33/0052 ,  H01L23/481 ,  H01L27/22 ,  H01L43/04 ,  H01L43/06 ,  H01L43/065 ,  H01L43/10 ,  H01L43/14 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4826 ,  H01L2924/00014

    Abstract: In one aspect, a Hall Effect sensing element (100) includes a Hall plate (114) having a thickness less than about 100 nanometers an adhesion layer (110) directly in contact with the Hall plate and having a thickness in a range about 0.1 nanometers to 5 nanometers. In another aspect, a sensor includes a Hall Effect sensing element. The Hall Effect sensing element (100') includes a substrate (102) that includes one of a semiconductor material or an insulator material, an insulation layer (106) in direct contact with the substrate, an adhesion layer (110) having a thickness in a range of about.1 nanometers to 5 nanometers and in direct contact with the insulation layer and a Hall plate (114) in direct contact with the adhesion layer and having a thickness less than about 100 nanometers.

    Abstract translation: 一方面，霍尔效应传感元件（100）包括厚度小于约100纳米的霍尔板（114），与霍尔板直接接触并具有约0.1纳米范围内的厚度的粘合层（110） 至5纳米。 另一方面，传感器包括霍尔效应传感元件。 霍尔效应感测元件（100'）包括：衬底（102），其包括半导体材料或绝缘体材料之一，与衬底直接接触的绝缘层（106），具有厚度的粘合层 范围为约1纳米至5纳米，并且与绝缘层直接接触，以及与粘合层直接接触并具有小于约100纳米厚度的霍尔板（114）。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALLSENSORS
    10.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALLSENSORS 审中-公开
    用于生产霍尔传感器

    公开(公告)号：WO2016131565A1

    公开(公告)日：2016-08-25

    申请号：PCT/EP2016/050499

    申请日：2016-01-13

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

    Inventor： PATAK, Christian ,  MAJONI, Stefan

    IPC: H01L43/14 ,  H01L27/22

    CPC classification number: H01L43/04 ,  G01R33/0052 ,  G01R33/07 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/22 ,  H01L43/065 ,  H01L43/14

    Abstract: Offenbart wird ein Verfahren zur Herstellung eines Hallsensors, wobei auf einem Wafer (10) mit einem ASIC zuerst eine Isolierschicht (20) aufgebracht oder in den Wafer integriert wird, darauf eine Hallschicht (30), beispielsweise aus InSb oder einem anderen III-V-Halbleitermaterial, angeordnet wird und diese dann mittels eines Lasers (40) wenigstens abschnittsweise rekristallisiert wird. Zum thermischen Schutz des ASICs kann die Isolierschicht porös sein oder eine Kaverne oder Reflexionsschicht aufweisen.

    Abstract translation: 公开的是用于制备霍尔传感器的，由此在晶片（10）与ASIC第一绝缘层（20）上的过程中施加到或集成在晶片上，在其上的霍尔层（30），例如，锑化铟，或其它III-V族 半导体材料，被安排和这于是意味着激光器（40）的至少部分再结晶。 对于ASIC的热保护，该绝缘层可以是多孔的或具有空腔或反射层。

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