公开(公告)号：WO2018067070A1

公开(公告)日：2018-04-12

申请号：PCT/SG2017/050499

申请日：2017-10-04

Applicant: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE

Inventor： LOH, Kian Ping ,  LIU, Yanpeng ,  LU, Jiong

IPC: B82Y25/00 ,  G01R33/09 ,  H01L43/06

CPC classification number: G01R33/09 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  H01F10/005 ,  H01L43/06

Abstract: A magnetoresistance sensor There is provided a magnetoresistance sensor comprising a graphene-black phosphorus hybrid structure, wherein the graphene-black phosphorus hybrid structure comprises a black phosphorus layer and a graphene layer disposed on the black phosphorus layer. In particular, the magnetoresistance of the graphene-black phosphorus hybrid structure may be determined by a difference in a charge mobility and/or carrier density between the graphene layer and the black phosphorus layer, wherein the charge mobility and/or the carrier density of the graphene layer may be tunable by a gate voltage applied to the graphene-black phosphorus hybrid structure.

Abstract translation: 一种磁阻传感器提供一种包括石墨烯 - 黑磷杂化结构的磁阻传感器，其中所述石墨烯 - 黑磷杂化结构包括黑磷层和设置在所述黑磷层上的石墨烯层。 特别地，石墨烯 - 黑色磷杂化结构的磁阻可以通过石墨烯层和黑色磷层之间的电荷迁移率和/或载流子密度的差异来确定，其中电荷迁移率和/或 石墨烯层可以通过施加于石墨烯 - 黑色磷杂化结构的栅极电压来调谐。

公开(公告)号：WO2017051829A1

公开(公告)日：2017-03-30

申请号：PCT/JP2016/077887

申请日：2016-09-21

Applicant: 旭化成エレクトロニクス株式会社

Inventor： 古屋　貴明 ,  赤木　剛

IPC: H01L43/06 ,  G01R33/07 ,  G02B7/04 ,  G02B7/08 ,  G03B5/00

CPC classification number: G01R33/07 ,  G02B7/04 ,  G02B7/08 ,  G03B5/00 ,  H01L43/06

Abstract: ホール素子のオフセット電圧の変動を抑制することができるホール素子及びホールセンサ、レンズモジュールを提供する。基板（１０）と、基板（１０）の上面（１０ａ）側に形成された感磁部（２０）と、上面（１０ａ）側に形成されて感磁部（２０）に電気的に接続し、第１の方向で互いに向かい合う第１の電極（３１）及び第２の電極（３２）と、上面（１０ａ）側に形成されて感磁部（２０）に電気的に接続し、第１の方向と平面視で交差する第２の方向で互いに向かい合う第３の電極（３３）及び第４の電極（３４）と、を備える。第１の電極（３１）、第２の電極（３２）、第３の電極（３３）及び第４の電極（３４）は、感磁部（２０）の周辺領域から感磁部（２０）の中央領域へそれぞれ延出している。

Abstract translation: 提供：能够抑制霍尔元件的偏移电压波动的霍尔元件; 霍尔传感器 和镜头模块。 该霍尔元件设置有：基板（10）; 形成在所述基板（10）的上表面（10a）侧的磁敏部（20）; 第一电极（31）和第二电极（32），其形成在上表面（10a）侧并且电连接到磁敏部分（20），并且在第一方向上彼此面对; 以及第三电极（33）和第四电极（34），所述第三电极（33）和第四电极（34）形成在所述上表面（10a）侧并且电连接到所述磁敏部分（20），并且在与 在计划中看到的第一个方向。 第一电极（31），第二电极（32），第三电极（33）和第四电极（34）分别从磁敏部分（20）的周边区域延伸到磁敏部分（20）的中心区域 ）。

公开(公告)号：WO2016158230A1

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：PCT/JP2016/057073

申请日：2016-03-08

Applicant: 国立研究開発法人科学技術振興機構

Inventor： 望月　維人

IPC: H01L43/08 ,  G11B5/02 ,  G11B5/65 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11C11/1675 ,  G11B5/02 ,  G11B5/65 ,  G11C11/161 ,  G11C11/18 ,  H01L27/222 ,  H01L43/06 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 　スキルミオンを生成する際の消費電力を低減可能なスキルミオン生成方法を提供する。このスキルミオン生成方法では、キラルな結晶構造を有する絶縁性の磁性体１２に磁場発生部１４からの磁場を印加しながら、電場発生部１６を用いて磁性体１２に対し局所的に電場を印加する。これにより、磁性体１２の内部にスキルミオンが生成される。磁性体１２は少なくとも部分的に２～３００ｎｍの範囲内の厚さを有する薄膜状であることが好ましく、磁場発生部１４は、磁性体１２の表面に対して略垂直に磁場を印加することが好ましい。

Abstract translation: 提供了一种可以减少产生雪橇时消耗的功率的雪橇生成方法。 在这种产生方法中，利用电场发生器16将电场局部施加于具有手性晶体结构的绝缘磁体12，同时来自磁场发生器14的磁场被施加到磁体12上。由此， 磁体12优选呈现至少部分为2-300nm厚度的薄膜形式。 磁场发生器14优选在大致垂直的方向上将磁场施加到磁性体12的表面。

公开(公告)号：WO2016084683A1

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：PCT/JP2015/082466

申请日：2015-11-18

Applicant: 国立研究開発法人理化学研究所

Inventor： 中村　優男 ,  松野　丈夫 ,  川崎　雅司 ,  十倉　好紀 ,  金子　良夫

IPC: H01L29/82 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/18 ,  H01F10/1933 ,  H01L27/105 ,  H01L27/228 ,  H01L29/82 ,  H01L43/06 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 　磁性層と非磁性層からなる積層膜でスキルミオンを生成できる磁気素子及びこの磁気素子を応用したスキルミオンメモリ等を提供する。二次元積層膜を備える、スキルミオンを生成するための磁気素子であって、二次元積層膜は磁性膜と、磁性膜に積層した非磁性膜からなる多層膜を少なくとも１つ以上積層した二次元積層膜を有する磁気素子を提供する。また、当該磁気素子を厚さ方向に複数積層して有するスキルミオンメモリを提供する。

Abstract translation: 提供了一种磁性元件，可以在包括磁性层和非磁性层的层压膜中产生一个空间，其中施加有磁性元件的层叠存储器等。 一种用于产生天线的磁性元件，所述元件设置有二维层压膜，其中所述二维层压膜具有一层或多层多层膜，所述多层膜包括层叠在所述磁性膜上的磁性膜和非磁性膜。 还提供了具有在厚度方向上层叠的多个磁性元件的间隙存储器。

公开(公告)号：WO2016052028A1

公开(公告)日：2016-04-07

申请号：PCT/JP2015/074318

申请日：2015-08-28

Applicant: エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社

Inventor： 飛岡　孝明 ,  挽地　友生

IPC: G01R33/07 ,  H01L43/06

CPC classification number: G01R33/075 ,  G01R33/07 ,  H01L43/06

Abstract: 　チップサイズの増加なく、ホール素子と半導体ホール素子を駆動する回路のうち発熱源となる素子を有するホールセンサにおいて、オフセット電圧の除去が可能なホールセンサを提供する。二対の端子においては、一対の端子間に流すホール素子制御電流１と、他の一対の端子間に流すホール素子制御電流２とがベクトルとして交わっており、前記ホール素子は前記ホール素子制御電流１と前記ホール素子制御電流２とのベクトル和に沿った直線に関し線対称な形状を有し、発熱源となる素子は前記ホール素子制御電流１と前記ホール素子制御電流２とのベクトル和に沿った直線上に発熱源の中心が位置していることを特徴とするホールセンサとする。

Abstract translation: 提供一种霍尔传感器，其具有在霍尔元件和用于驱动半导体霍尔元件的电路之间用作热源的元件，其中可以消除偏移电压，而不增加芯片尺寸。 该霍尔传感器的特征在于，在两对元件中，在一对元件之间流动的霍尔元件控制电流1和在另一对元件之间流动的霍尔元件控制电流2作为向量相互作用，霍尔元件具有 相对于沿着霍尔元件控制电流1和霍尔元件控制电流2的矢量和取得的直线的线性对称形状，作为热源的元件被定位成使得热源的中心 位于沿着霍尔元件控制电流1和霍尔元件控制电流2的矢量和的直线上。

公开(公告)号：WO2012026168A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：PCT/JP2011/061752

申请日：2011-05-23

Applicant: 独立行政法人理化学研究所 ,  藤原 宏平 ,  福間 康裕 ,  松野 丈夫 ,  大谷 義近 ,  ▲高▼木 英典

Inventor： 藤原　宏平 ,  福間　康裕 ,  松野　丈夫 ,  大谷　義近 ,  ▲高▼木　英典

IPC: H01L29/82

CPC classification number: G01R33/075 ,  H01L29/66984 ,  H01L29/82 ,  H01L43/06

Abstract: 　本発明の電流－スピン流変換素子は、５ｄ遷移金属酸化物のスピンホール効果または逆スピンホール効果を利用して電流とスピン流の間の変換を行う。また、本発明のスピン蓄積装置は、注入されるスピンを蓄積する非磁性体と、前記非磁性体内にスピンを注入する注入手段と、を有するスピン蓄積装置であって、前記注入手段は、前記非磁性体上に設けられた、上記電流－スピン流変換素子と、前記電流－スピン流変換素子に、スピンホール効果によって前記非磁性体に向かうスピン流が生成されるように、電流を流す電源と、を有する。

Abstract translation: 该电流 - 自旋电流转换元件通过利用5d过渡金属氧化物的自旋霍尔效应或逆旋转霍尔效应在电流和自旋电流之间进行转换。 此外，本发明的自旋聚集装置具有积累注入自旋的非磁性体，以及向非磁性体注入旋转的注入装置。 注射装置包括：设置在非磁性体上的电流 - 自旋电流转换元件; 以及使电流流过电流 - 自旋电流转换元件的电源，使得通过旋转霍尔效应向非磁性体产生自旋电流。

公开(公告)号：WO2012010979A2

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：PCT/IB2011/002444

申请日：2011-07-20

Applicant: KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY ,  SUN, Jian ,  KOSEL, Jurgen

Inventor： SUN, Jian ,  KOSEL, Jurgen

CPC classification number: G01R33/0052 ,  G01R33/095 ,  H01L43/06 ,  H01L43/065 ,  H01L43/08

Abstract: Magnetic sensors are disclosed, as well as methods for fabricating and using the same. In some embodiments, an EMR effect sensor includes a semiconductor layer. In some embodiments, the EMR effect sensor may include a conductive layer substantially coupled to the semiconductor layer. In some embodiments, the EMR effect sensor may include a first voltage lead coupled to the semiconductor layer. In some embodiments, the first voltage lead may be configured to provide a voltage for measurement by a voltage measurement circuit. In some embodiments, the EMR effect sensor may include a second voltage lead coupled to the conductive layer. In some embodiments, the second voltage lead may be configured to provide a voltage for measurement by a voltage measurement circuit. Embodiments of a Hall effect sensor having the same or similar structure are also disclosed.

Abstract translation: 公开了磁性传感器以及用于制造和使用磁性传感器的方法。 在一些实施例中，EMR效应传感器包括半导体层。 在一些实施例中，EMR效应传感器可以包括基本上耦合到半导体层的导电层。 在一些实施例中，EMR效应传感器可以包括耦合到半导体层的第一电压引线。 在一些实施例中，第一电压引线可以被配置为提供用于由电压测量电路进行测量的电压。 在一些实施例中，EMR效应传感器可以包括耦合到导电层的第二电压引线。 在一些实施例中，第二电压引线可以被配置为提供用于由电压测量电路进行测量的电压。 还公开了具有相同或类似结构的霍尔效应传感器的实施例。

公开(公告)号：WO2008008140A2

公开(公告)日：2008-01-17

申请号：PCT/US2007/013358

申请日：2007-06-04

Applicant: ALLEGRO MICROSYSTEMS, INC. ,  SHARMA, Nirmal ,  ARARAO, Virgil ,  MAGPANTAY, Leonardo, T. ,  ENGEL, Raymond, W. ,  TAYLOR, William, P. ,  DOOGUE, Kirsten ,  GAGNON, Jay

Inventor： SHARMA, Nirmal ,  ARARAO, Virgil ,  MAGPANTAY, Leonardo, T. ,  ENGEL, Raymond, W. ,  TAYLOR, William, P. ,  DOOGUE, Kirsten ,  GAGNON, Jay

IPC: G01D11/24

CPC classification number: G01D11/245 ,  G01R33/07 ,  G01R33/09 ,  H01L23/49589 ,  H01L43/04 ,  H01L43/06 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: Methods and apparatus provide a sensor having an integrated component coupled to a leadframe. In one embodiment, a sensor includes external leads on an opposite side of a die from the integrated component. In another embodiment, a leadframe includes a slot to reduce eddy currents.

Abstract translation: 方法和装置提供具有耦合到引线框架的集成部件的传感器。 在一个实施例中，传感器包括在与集成部件相对的模具的相对侧上的外部引线。 在另一实施例中，引线框架包括用于减小涡流的槽。

公开(公告)号：WO2005060657A2

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：PCT/US2004/042200

申请日：2004-12-15

Applicant: YALE UNIVERSITY ,  AHN, Charles ,  KLEIN, Lior ,  BASSON, Yosef ,  HONG, Xia ,  YAU, Jen-Bang

Inventor： AHN, Charles ,  KLEIN, Lior ,  BASSON, Yosef ,  HONG, Xia ,  YAU, Jen-Bang

IPC: G01R33/09

CPC classification number: G01R33/093 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/07 ,  G01R33/09 ,  G11C11/18 ,  H01F1/407 ,  H01F10/1933 ,  H01L43/06

Abstract: The present invention is directed to the use of perovskite manganite thin films and other magnetic films that exhibit both planar Hall effect and biaxial magnetic anisotropy to form the active area in magnetic sensor devices and in magnetic bit cells used in magnetoresistive random access memory (MRAM) devices. The manganite thin films of the invention are ferromagnetic manganites of the formula R 1-x A x MnO 3 , wherein R is a rare-earth metal, A is an alkaline earth metal, and x is generally between about 0.15 and about 0.5.

Abstract translation: 本发明涉及使用表现出平面霍尔效应和双轴磁各向异性两者的钙钛矿亚锰酸盐薄膜和其它磁性膜来形成磁传感器装置和磁阻随机存取存储器（MRAM）中使用的磁位元件中的有效面积的方法， 设备。 本发明的亚锰酸盐薄膜是式R1-xAxMnO3的铁磁锰矿，其中R是稀土金属，A是碱土金属，x通常在约0.15和约0.5之间。

公开(公告)号：WO2019125388A1

公开(公告)日：2019-06-27

申请号：PCT/US2017/067106

申请日：2017-12-18

Applicant: INTEL CORPORATION

Inventor： GOSAVI, Tanay ,  MANIPATRUNI, Sasikanth ,  NIKONOV, Dmitri, E. ,  OGUZ, Kaan ,  YOUNG, Ian, A.

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/08 ,  H01L43/06 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H03B15/006

Abstract: An apparatus is provided which comprises: a first magnetic junction; a second magnetic junction; an interconnect adjacent to the first and second magnetic junctions; a first structure adjacent to the interconnect such that the first structure is adjacent to the first magnetic junction, wherein the first structure comprises a magnet with a first magnetization relative to a plane of a device; and a second structure adjacent to the interconnect such that the second structure is adjacent the second magnetic junction, wherein the second structure comprises a magnet with a second magnetization relative to the x-y plane of the device.