ELECTROLUMINESCENT DEVICES WITH NITROGEN BIDENTATE LIGANDS
    4.
    发明申请
    ELECTROLUMINESCENT DEVICES WITH NITROGEN BIDENTATE LIGANDS 审中-公开
    具有氮元素配位体的电致发光器件

    公开(公告)号:WO2007005252A1

    公开(公告)日:2007-01-11

    申请号:PCT/US2006/023777

    申请日:2006-06-16

    Abstract: An OLED device comprises a cathode, an anode, a light-emitting layer, and, between the cathode and the light emitting layer, a non-emitting layer containing a metal complex of "n" bidentate ligands having Formula (1): [insert structure here] wherein: M represents Ga, Al, Be, or Mg; n is 3 in the case of Ga or Al and 2 in the case of Be or Mg; and each Za and each Zb is independently selected and each represents the atoms necessary to complete an unsaturated ring; Za and Zb are directly bonded to one another provided Za and Zb may be further linked together to form a fused ring system; provided that the light emitting layer is substantially free of said metal complex present in the non-emitting layer. Such a device exhibits improved luminous efficiency.

    Abstract translation: OLED器件包括阴极,阳极,发光层,并且在阴极和发光层之间,包含具有式(1)的具有“n”个二配位体的金属络合物的非发射层:[插入 其中:M表示Ga,Al,Be或Mg; 在Ga或Al的情况下,n为3,在Be或Mg的情况下为2; 并且每个Za和每个Zb被独立地选择,并且每个表示完成不饱和环所必需的原子; Za和Zb彼此直接键合,只要Za和Zb可以进一步连接在一起形成稠环体系; 条件是发光层基本上不含存在于非发光层中的所述金属络合物。 这种装置表现出提高的发光效率。

    半導体発光素子
    5.
    发明申请
    半導体発光素子 审中-公开
    半导体发光元件

    公开(公告)号:WO2016072276A1

    公开(公告)日:2016-05-12

    申请号:PCT/JP2015/079805

    申请日:2015-10-22

    Abstract:  第1及び第2の発光層を含む発光機能層を有する半導体発光素子であって、第1の発光層は、第1の半導体層から応力歪を受ける組成を有してランダムな網目状に区画された複数の第1のベースセグメントを有する第1のベース層と、第1のベースセグメントのセグメント形状を残存しつつ第1のベース層上に形成された第1の量子井戸層と、第1のベース層及び第1の量子井戸層を埋め込んで平坦化された平坦面を有する第1の障壁層と、を有し、第2の発光層は、第1の障壁層から応力歪を受ける組成を有してランダムな網目状に区画された複数の第2のベースセグメントを有する第2のベース層と、第2のベースセグメントのセグメント形状を残存しつつ第2のベース層上に形成された第2の量子井戸層と、第2の量子井戸層上に形成された第2の障壁層と、を有する。

    Abstract translation: 一种具有包括第一和第二发光层的发光功能层的半导体发光元件。 第一发光层具有:第一基底层,具有多个第一基底部分,其具有从第一半导体层接收应力应变并被分割成无规网格形状的组成; 第一量子阱层,其保持所述第一基极段的所述段形状并且形成在所述第一基极层上; 以及具有平坦平坦表面的第一阻挡层,第一基底层和第一量子层被嵌入其中。 第二发光层具有:第二基底层,其具有从第一阻挡层接收应力应变并具有被划分为无规网格形状的多个第二基部段的组成; 第二量子阱层,保持第二基部段的段形状并形成在第二基极层上; 以及形成在第二量子阱层上的第二阻挡层。

    半導体発光素子
    10.
    发明申请
    半導体発光素子 审中-公开
    半导体发光元件

    公开(公告)号:WO2016072275A1

    公开(公告)日:2016-05-12

    申请号:PCT/JP2015/079803

    申请日:2015-10-22

    Abstract:  第1及び第2の発光層を有する半導体発光素子であって、第1の発光層は、第1の半導体層から応力歪を受ける組成を有してランダムな網目状に区画された複数のベースセグメントを有するベース層と、複数のベースセグメントのセグメント形状を残存しつつベース層上に形成された少なくとも1つの量子井戸層及び少なくとも1つの障壁層からなる第1の量子井戸構造層と、を有し、第2の発光層は、第1の量子井戸構造層の少なくとも1つの障壁層とは異なる組成を有する複数の障壁層と少なくとも1つの量子井戸層とからなる第2の量子井戸構造層を有し、複数の障壁層のうち、最も第1の発光層側に位置する端部障壁層の表面には、セグメント形状を残存する溝を有する。

    Abstract translation: 一种具有第一和第二发光层的半导体发光元件。 第一发光层具有:基底层,具有多个基部段,其具有从第一半导体层接收应力应变的组成,所述基部段以无规网格图案划分; 以及第一量子阱结构层,其保留所述多个基极段的所述段形状并且包括形成在所述基极层上的至少一个量子阱层和至少一个势垒层。 第二发光层具有:第二量子阱结构层,其包含至少一个量子阱层和与第一量子阱结构层中的至少一个阻挡层具有不同组成的多个势垒层; 以及在所述多个阻挡层中位于最靠近的端部阻挡层的表面上保持所述段状的槽到所述第一发光层侧。

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