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    METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DIE AND A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING THE SEMICONDUCTOR DIE OBTAINED THEREBY
    2.
    发明申请
    METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DIE AND A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING THE SEMICONDUCTOR DIE OBTAINED THEREBY 审中-公开
    制造半导体裸片的方法和包括由其获得的半导体裸片的半导体器件

    公开(公告)号：WO2009032536A2

    公开(公告)日：2009-03-12

    申请号：PCT/US2008/073797

    申请日：2008-08-21

    Applicant: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY ,  JO, Kwang-jae ,  JANG, Kyung-ho

    Inventor： JO, Kwang-jae ,  JANG, Kyung-ho

    IPC: H01L21/78

    CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3127

    Abstract: Disclosed is a method for dicing a semiconductor wafer. The method for dicing a semiconductor wafer prevents a die from being contaminated with silicon dust, generated during the dicing of the wafer, and thus prevents defects in a subsequent wire bonding step, such as defects in bonding wire, contamination of a semiconductor device, etc. The method for dicing a semiconductor wafer comprises the steps of: applying a fluorine-containing polymer coating agent onto one surface of a wafer having a circuit pattern formed thereon to form a polymer coating layer, before dicing the wafer.

    Abstract translation: 公开了一种用于切割半导体晶片的方法。 用于切割半导体晶片的方法防止了管芯被在晶片切割过程中产生的硅尘污染，并且因此防止了在随后的焊线步骤中的缺陷，例如焊线中的缺陷，半导体器件的污染等 切割半导体晶片的方法包括以下步骤：在切割晶片之前，将含氟聚合物涂层剂施加到其上形成有电路图案的晶片的一个表面上以形成聚合物涂层。

    ELECTRON BEAM PROCESSING METHOD USING CARBON NANOTUBE EMITTER
    3.
    发明申请
    ELECTRON BEAM PROCESSING METHOD USING CARBON NANOTUBE EMITTER 审中-公开
    碳纳米管发射管的电子束加工方法

    公开(公告)号：WO2008021363A2

    公开(公告)日：2008-02-21

    申请号：PCT/US2007/017995

    申请日：2007-08-14

    Applicant: MICRON TECHNOLOGY, INC. ,  RUEGER, Neal R. ,  WILLIAMSON, Mark J. ,  SANDHU, Gurtej S.

    Inventor： RUEGER, Neal R. ,  WILLIAMSON, Mark J. ,  SANDHU, Gurtej S.

    CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3127

    Abstract: Methods and devices for selective etching in a semiconductor process are shown. Chemical species generated in a reaction chamber provide both a selective etching function and concurrently form a protective coating on other regions. An electron beam provides activation to selective chemical species. In one example, reactive species are generated from a plasma source to provide an increased reactive species density. Addition of other gasses to the system can provide functions such as controlling a chemistry in a protective layer during a processing operation. In one example an electron beam array such as a carbon nanotube array is used to selectively expose a surface during a processing operation.

    Abstract translation: 示出了用于半导体工艺中的选择性蚀刻的方法和装置。 在反应室中产生的化学物种提供了选择性蚀刻功能并且同时在其他区域上形成保护涂层。 电子束提供对选择性化学物质的激活。 在一个实例中，从等离子体源产生反应性物质以提供增加的反应性物质密度。 向系统添加其他气体可以提供诸如在处理操作期间控制保护层中的化学物质的功能。 在一个示例中，诸如碳纳米管阵列的电子束阵列被用于在处理操作期间选择性地暴露表面。

    プラズマ処理方法及び装置
    4.
    发明申请
    プラズマ処理方法及び装置 审中-公开
    等离子体处理方法和设备

    公开(公告)号：WO2008001853A1

    公开(公告)日：2008-01-03

    申请号：PCT/JP2007/063013

    申请日：2007-06-28

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  吹上 紀明

    Inventor： 吹上 紀明

    IPC: H01L21/314 ,  C23C16/52 ,  H05H1/46

    CPC classification number: H01L21/0212 ,  C23C16/00 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3127

    Abstract: 　処理容器内へ不活性ガスと処理ガスとを供給してプラズマの存在下にて被処理体Ｗに対して所定の処理例えば成膜処理を施すにあたって、処理容器内へ不活性ガスの供給を開始して処理容器内の圧力をプラズマが着火できるような圧力に設定する着火圧力設定工程と、処理容器内への処理ガスの供給を開始すると共に、処理ガスの分圧の増大によってプラズマが着火不能になる前にプラズマを着火するプラズマ着火工程と、処理容器内の圧力を前記所定の処理を行うためのプロセス圧力に変化させる圧力調整工程と、プラズマを着火して維持するために供給しているプラズマ電力を前記所定の処理を行うためのプラズマ電力の値に変更して前記所定の処理を行う処理実行工程と、を順次実施する。処理実行工程の開始直後から前記所定の処理が被処理体に有効に施されるため、スループットを大幅に向上させることができる。

    Abstract translation: 当预定的处理，例如 在等离子体存在下通过向处理容器供给惰性气体和处理气体而在工件（W）上进行成膜处理，将处理容器中的压力设定为能够通过开始惰性而点燃等离子体的压力的步骤 气体供应到处理容器中，用于开始处理气体供应到处理容器中并在由于处理气体的分压增加而变得不可燃之前点燃等离子体的步骤，用于将处理容器中的压力调节到 用于执行预定处理的处理压力，以及用于通过改变为了点燃和维持等离子体而提供的等离子体功率到执行预定处理的等离子体功率的值而执行预定处理的步骤。 由于在开始执行预定处理的步骤之后立即在工件上有效地执行预定处理，所以可以大幅提高生产量。

    成膜装置及び成膜方法
    6.
    发明申请
    成膜装置及び成膜方法 审中-公开
    薄膜成型设备和薄膜成型方法

    公开(公告)号：WO2006049125A1

    公开(公告)日：2006-05-11

    申请号：PCT/JP2005/020004

    申请日：2005-10-31

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  野沢 俊久 ,  石橋 清隆

    Inventor： 野沢 俊久 ,  石橋 清隆

    IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/0212 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/46 ,  C30B25/08 ,  C30B25/10 ,  C30B25/12 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3127

    Abstract: 　本発明は、内部が真空引き可能な処理容器と、被処理体を載置するために前記処理容器内に設けられた載置台と、前記処理容器内へ成膜用ガスを含む所定のガスを供給するためのガス供給手段と、前記処理容器内でプラズマを立てるためのプラズマ形成手段と、前記被処理体を加熱するための加熱手段と、前記載置台の上面の周辺部に、前記被処理体の周辺部よりも外側で当該被処理体から隙間を介して僅かに離間するように設けられた補助加熱手段と、装置全体の動作を制御するための制御手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置である。

    Abstract translation: 成膜设备的特征在于设备具有能够被抽真空的处理室; 处理室中的放置台，用于放置待处理的工件; 用于向处理室供应包括用于成膜的气体的规定气体的气体供给装置; 用于在处理室中形成等离子体的等离子体形成装置; 用于加热待加工的加工装置; 辅助加热装置，设置在所述放置台的上平面的周边的外边缘处，待加工的工件的周边与待加工的工件略微分开; 以及用于控制整个设备的操作的控制装置。

    プラズマ成膜方法およびプラズマ成膜装置
    7.
    发明申请
    プラズマ成膜方法およびプラズマ成膜装置 审中-公开
    等离子体膜形成方法和等离子体膜形成装置

    公开(公告)号：WO2006038623A1

    公开(公告)日：2006-04-13

    申请号：PCT/JP2005/018364

    申请日：2005-10-04

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  小林 保男 ,  太田 与洋 ,  康 松潤 ,  沢田 郁夫

    Inventor： 小林 保男 ,  太田 与洋 ,  康 松潤 ,  沢田 郁夫

    IPC: H01L21/314 ,  C23C16/26

    CPC classification number: C23C16/26 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3127

    Abstract: 　気密な処理容器（１）内に載置された基板（Ｗ）に対し、ラジアルラインスロットアンテナ（４）にマイクロ波を導くことによりプラズマを発生させる。処理容器内の圧力が７．３２Ｐａ以上８．６５Ｐａ以下、マイクロ波電力が２０００Ｗ以上２３００Ｗ以下、基板表面と原料ガス供給部材（３）の対向面との間の距離（Ｌ１）が７０ｍｍ以上１０５ｍｍ以下、基板表面と放電ガス供給部材（２）との距離（Ｌ２）が１００ｍｍ以上１４０ｍｍ以下の条件を設定する。その条件下で、環状Ｃ 5 Ｆ 8 ガスよりなる原料ガスをマイクロ波のエネルギーに基づいて活性化する。これにより、Ｃ 4 Ｆ 6 のイオンやラジカルを多く含む成膜種が得られる。これによりリーク特性や熱的安定性に優れたフッ素添加カーボン膜を成膜する。

    Abstract translation: 通过向径向线槽天线（4）引入微波，在放置在气密处理容器（1）的基板（W）上产生等离子体。 这样的条件被设定为处理容器的压力为7.32Pa至8.65Pa，微波功率为2000W至2300W，衬底表面与材料气体供应构件（3）的相对表面之间的距离（L1）为70mm 通过105mm，衬底表面和放电气体供应构件（2）之间的距离（L2）为100mm至140mm。 在这些条件下，由循环C

    METHOD OF PREPARATION OF ORGANIC OPTOELECTRONIC AND ELECTRONIC DEVICES AND DEVICES THEREBY OBTAINED
    10.
    发明申请
    METHOD OF PREPARATION OF ORGANIC OPTOELECTRONIC AND ELECTRONIC DEVICES AND DEVICES THEREBY OBTAINED 审中-公开
    有机光电和电子器件的制备方法及其获得的器件

    公开(公告)号：WO2003083960A1

    公开(公告)日：2003-10-09

    申请号：PCT/GB2003/001214

    申请日：2003-03-21

    Applicant: CAMBRIDGE DISPLAY TECHNOLOGY LIMITED ,  GUNNER, Alec ,  CACHEIRO, Martin

    Inventor： GUNNER, Alec ,  CACHEIRO, Martin

    IPC: H01L51/40

    CPC classification number: G03F7/0387 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/3127 ,  H01L27/3283 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/56 ,  Y02E10/549

    Abstract: A method for preparing an organic electronic or optoelectronic device is described. The method comprises depositing a layer of fluorinated polymer (103) on a substrate (101, 102), patterning the layer of fluorinated polymer to form a relief pattern and depositing from solution a layer of organic semiconductive or conductive material on the substrate (105, 106). The fluorinated polymer may be a fluorinated photoresist and may be treated by exposure to ultraviolet light and ozone prior to the deposition of the layer of organic semiconductive or conductive material. The method has particular application in the preparation of organic light emitting devices by ink jet printing.

    Abstract translation: 描述了制备有机电子或光电子器件的方法。 该方法包括在衬底（101,102）上沉积氟化聚合物层（103），图案化氟化聚合物层以形成浮雕图案，并从溶液沉积有机半导体或导电材料层到衬底 106）。 氟化聚合物可以是氟化光致抗蚀剂，并且可以在沉积有机半导体或导电材料层之前通过暴露于紫外光和臭氧来处理。 该方法特别适用于通过喷墨印刷制备有机发光装置。

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