METHOD FOR PRODUCING FLUTEMETAMOL
    2.
    发明申请
    METHOD FOR PRODUCING FLUTEMETAMOL 审中-公开
    制备氟苯咪胺的方法

    公开(公告)号:WO2017071980A1

    公开(公告)日:2017-05-04

    申请号:PCT/EP2016/074840

    申请日:2016-10-17

    IPC分类号: C07D277/66

    CPC分类号: C07D277/66 Y02P20/55

    摘要: Provided is a method for producing flutemetamol including the steps of: reacting a precursor compound represented by a predetermined general formula with a radioactive fluoride to obtain a 18 F labeling compound represented by a predetermined general formula;allowing a strong base to act on the reaction mixture of the above step containing the precursor compound and the 18 F labeling compound;after the above step, purifying the 18 F labeling compound using a reverse phase solid phase extraction cartridge;and removing a protective group to obtain [ 18 F] flutemetamol.

    摘要翻译: 提供了一种用于制备氟替米甲醇的方法,包括以下步骤:使由预定通式表示的前体化合物与放射性氟化物反应,以获得由以下表示的18 F标记化合物: 预定的通式;使强碱对包含前体化合物和18 F标记化合物的上述步骤的反应混合物起作用;在上述步骤后,纯化所述18 F标记化合物, 使用反相固相萃取柱;以及去除保护基团以获得[18 F] flutemetamol。

    芳香族ジアミン及びその中間体、並びにこれらの製造方法
    3.
    发明申请
    芳香族ジアミン及びその中間体、並びにこれらの製造方法 审中-公开
    芳族二胺,其中间体,生产芳族二胺的方法和生产芳族中间体的方法

    公开(公告)号:WO2016158907A1

    公开(公告)日:2016-10-06

    申请号:PCT/JP2016/060030

    申请日:2016-03-29

    IPC分类号: C07D277/66 C07D263/57

    CPC分类号: C07D277/66 C07D263/57

    摘要: 本発明は、新規な非対称ジアミンであるジアミノ-2-(ベンゾチアゾール-2-イル)ジフェニルエーテル及びその誘導体、並びに、該化合物の前駆体であるアミノニトロ-2-(ベンゾチアゾール-2-イル)ジフェニルエーテル及びジニトロ-2-(ベンゾチアゾール-2-イル)ジフェニルエーテル、並びにこれらの誘導体を提供する。また本発明者らは、新規な非対称ジアミンであるジアミノ-2-(ベンゾオキサゾール-2-イル)ジフェニルエーテル及びその誘導体、並びに、該化合物の前駆体であるアミノニトロ-2-(ベンゾオキサゾール-2-イル)ジフェニルエーテル及びジニトロ-2-(ベンゾオキサゾール-2-イル)ジフェニルエーテル、並びにこれらの誘導体を提供する。

    摘要翻译: 本发明提供:作为新型的不对称二胺的二氨基-2-(苯并噻唑-2-基)二苯基醚及其衍生物; 作为上述化合物的前体的氨基硝基-2-(苯并噻唑-2-基)二苯基醚和二硝基-2-(苯并噻唑-2-基)二苯基醚; 和这些前体的衍生物。 此外,本发明人提供:作为新型的不对称二胺的二氨基-2-(苯并恶唑-2-基)二苯基醚及其衍生物; 作为上述化合物的前体的氨基硝基-2-(苯并恶唑-2-基)二苯基醚和二硝基-2-(苯并恶唑-2-基)二苯基醚; 和这些前体的衍生物。

    메모리 소자용 유기 도핑 재료, 이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조방법
    5.
    发明申请
    메모리 소자용 유기 도핑 재료, 이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조방법 审中-公开
    记忆元件有机掺杂材料,包含其的非易失性存储元件及其制造方法

    公开(公告)号:WO2016017871A1

    公开(公告)日:2016-02-04

    申请号:PCT/KR2014/012670

    申请日:2014-12-23

    摘要: 본 발명은 메모리 소자용 유기 도핑 재료, 이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 메모리 소자용 유기 도핑 재료는 메모리 소자의 반도체에 도핑됨에 따라 상기 반도체가 비휘발성 메모리 특성을 나타내는 효과가 있다. 이에 따라, 강유전 특성을 갖는 게이트 절연체를 사용하지 않고 비휘발성 및 쌍안정성 메모리 거동 특성을 갖는 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조방법을 제공할 수 있는 효과가 있다.

    摘要翻译: 本发明提供了一种存储元件有机掺杂材料,包含该掺杂材料的非易失性存储元件及其制造方法。 根据本发明的存储元件有机掺杂材料具有这样的效果,其中存储元件的半导体根据半导体与有机掺杂材料的掺杂而呈现非易失性存储特性。 因此,提供了不使用具有铁电特性的栅极绝缘体的非易失性特性和双稳态记忆行为特性的非易失性存储元件及其制造方法。