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    TUNABLE LASER ARRAY SYSTEM
    1.
    发明申请
    TUNABLE LASER ARRAY SYSTEM 审中-公开
    可调激光阵列系统

    公开(公告)号：WO2014144998A3

    公开(公告)日：2014-11-13

    申请号：PCT/US2014029632

    申请日：2014-03-14

    Applicant: PRAEVIUM RESEARACH INC ,  THORLABS INC

    Inventor： JAYARAMAN VIJAYSEKHAR ,  BURGNER CHRISTOPHER ,  JOHN DEMIS ,  POTSAID BENJAMIN MICHAEL ,  CABLE ALEX EZRA

    IPC: A61B6/00 ,  G01B9/02 ,  H01S3/00

    CPC classification number: H01S5/18366 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18372 ,  H01S5/18377 ,  H01S5/2059 ,  H01S5/3095

    Abstract: A system for swept source optical coherence tomography, the system including a light source emitting multiplexed wavelength-swept radiation over a total wavelength range, the light source including N wavelength-swept vertical cavity lasers (VCL) emitting N tunable VCL outputs having N wavelength trajectories, a combiner for combining the N tunable VCL optical outputs into a common optical path to create the multiplexed wavelength-swept radiation, a splitter for splitting the multiplexed wavelength- swept radiation to a sample and a reference path, an optical detector for detecting an interference signal created by an optical interference between a reflection from the sample and light traversing the reference path, and a signal processing system which uses the interference signal to construct an image of the sample, wherein at least one of the N wavelength trajectories differs from another of the N wavelength trajectories with respect to at least one parameter.

    Abstract translation: 一种用于扫描源光学相干断层扫描的系统，所述系统包括在整个波长范围上发射多路复用波长扫描辐射的光源，所述光源包括N个波长扫描垂直腔激光器（VCL），所述N个波长扫描垂直腔激光器发射N个可调谐VCL输出， 用于将N个可调谐VCL光输出组合成公共光路以产生多路复用波长扫描辐射的组合器，用于将复用波长扫描辐射分成样本和参考路径的分路器，用于检测干扰的光学检测器 由来自样本的反射和穿过参考路径的光之间的光学干涉产生的信号，以及使用干涉信号构建样本的图像的信号处理系统，其中N个波长轨迹中的至少一个不同于 相对于至少一个参数的N个波长轨迹。

    面発光型半導体レーザおよびその製造方法
    3.
    发明申请
    面発光型半導体レーザおよびその製造方法 审中-公开
    平面光发射半导体激光器及其制造方法

    公开(公告)号：WO2007142184A1

    公开(公告)日：2007-12-13

    申请号：PCT/JP2007/061281

    申请日：2007-06-04

    Applicant: ソニー株式会社 ,  前田 修 ,  汐先 政貴 ,  山口 典彦 ,  山内 義則

    Inventor： 前田 修 ,  汐先 政貴 ,  山口 典彦 ,  山内 義則

    IPC: H01S5/183

    CPC classification number: H01S5/18355 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/1833 ,  H01S5/18372 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/423

    Abstract: 　簡易かつ安価に製造可能であり、レーザ光の偏光方向を一方向に安定化すると共に高出力化することの可能な面発光型半導体レーザを提供する。基板１０上に、下部第１ＤＢＲミラー層１２、下部第２ＤＢＲミラー層１３、下部スペーサ層１４、発光領域１５Ａを有する活性層１５、上部スペーサ層１６、電流狭窄層１７、上部ＤＢＲミラー層１８およびコンタクト層１９がこの順に積層された発光部２０を備える。下部第１ＤＢＲミラー層１２は、発光領域１５Ａと対応する領域の周辺に、発光領域１５Ａを中心にして回転する方向に不均一に分布する酸化部３０を有する。酸化部３０は一対の多層膜３１，３２からなり、低屈折率層１２Ａを酸化することにより形成される。これにより、多層膜３１，３２の不均一な分布に対応した異方的な応力が活性層１５に発生する。

    Abstract translation: 提供一种能够以低成本容易地制造并且可以将激光的偏振方向稳定到一个方向并增加输出的平面发光半导体激光器。 半导体激光器包括具有下第一DBR镜层（12），下第二DBR镜层（13），下间隔层（14），具有发光的有源层（15）的发光单元（20） 区域（15A），上间隔层（16），电流变窄层（17），上DBR镜层（18）和接触层（19）。 下部第一DBR镜层（12）包括围绕与发光区域（15A）对应的区域布置的氧化部分（30），并且围绕发光区域（15A）沿旋转方向不均匀地分布。 氧化部（30）由通过氧化低反射率层（12A）而获得的一对多层膜（31,32）形成。 这产生对应于有源层（15）中的多层膜（31,32）的不均匀分布的各向异性的应力。

    SEMICONDUCTOR WITH TUNNEL HOLE CONTACT SOURCES
    4.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR WITH TUNNEL HOLE CONTACT SOURCES 审中-公开
    半导体与隧道孔联系来源

    公开(公告)号：WO99005726A1

    公开(公告)日：1999-02-04

    申请号：PCT/US1998/015362

    申请日：1998-07-21

    IPC: H01L29/88 ,  H01L33/04 ,  H01L33/14 ,  H01L33/30 ,  H01S5/183 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/323 ,  H01L33/00 ,  H01S3/19

    CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L33/04 ,  H01L33/14 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18372 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/3095

    Abstract: Semiconductor devices and methods are disclosed in which the amount of p-type material can be minimized, with attendant advantages in electrical, thermal, and optical performance, and in fabrication. A form of the disclosure is directed to a generally planar semiconductor device wherein a layer of p-type semiconductor material (122, 119, 126) is disposed over a layer of n-type semiconductor material (105, 107, 110), and an electric potential is coupled between the p-type layer and the n-type layer, and wherein current in the device that is lateral to the plane of the layers is coupled into the p-type layer. A tunnel junction is adjacent the p-type layer for converting the lateral current into hole current. In an embodiment of this form of the disclosure, the tunnel junction is as an n+/p+ (132, 131) junction oriented with the p+ (131) portion thereof adjacent the p-type layer. The lateral current can be electron current in the n+ layer (132) and/or electron current in a further layer of n-type material disposed over the tunnel junction.

    Abstract translation: 公开了半导体器件和方法，其中p型材料的量可以最小化，同时具有电，热和光学性能以及制造中的优点。 本公开的一种形式涉及一种大致平面的半导体器件，其中p型半导体材料层（122,119,126）设置在n型半导体材料（105,107,110）的层上，并且 电位耦合在p型层和n型层之间，并且其中在该层的平面侧面的器件中的电流被耦合到p型层中。 隧道结邻近p型层，用于将横向电流转换成空穴电流。 在本公开的这种形式的实施例中，隧道结是作为n + / p +（132,131）结，其p +（131）部分与p型层相邻。 横向电流可以是n +层（132）中的电子电流和/或设置在隧道结上方的另一层n型材料中的电子电流。

    TUNABLE LASER ARRAY SYSTEM
    6.
    发明申请
    TUNABLE LASER ARRAY SYSTEM 审中-公开
    TUNNABLE激光阵列系统

    公开(公告)号：WO2014144998A2

    公开(公告)日：2014-09-18

    申请号：PCT/US2014/029632

    申请日：2014-03-14

    Applicant: PRAEVIUM RESEARACH, INC. ,  THORLABS, INC.

    Inventor： JAYARAMAN, Vijaysekhar ,  BURGNER, Christopher ,  JOHN, Demis ,  POTSAID, Benjamin, Michael ,  CABLE, Alex, Ezra

    IPC: A61B6/00

    CPC classification number: H01S5/18366 ,  A61B5/0059 ,  G01B9/02091 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18372 ,  H01S5/18377 ,  H01S5/2059 ,  H01S5/3095

    Abstract: A system for swept source optical coherence tomography, the system including a light source emitting multiplexed wavelength-swept radiation over a total wavelength range, the light source including N wavelength-swept vertical cavity lasers (VCL) emitting N tunable VCL outputs having N wavelength trajectories, a combiner for combining the N tunable VCL optical outputs into a common optical path to create the multiplexed wavelength-swept radiation, a splitter for splitting the multiplexed wavelength- swept radiation to a sample and a reference path, an optical detector for detecting an interference signal created by an optical interference between a reflection from the sample and light traversing the reference path, and a signal processing system which uses the interference signal to construct an image of the sample, wherein at least one of the N wavelength trajectories differs from another of the N wavelength trajectories with respect to at least one parameter.

    Abstract translation: 一种用于扫描光学相干断层摄影的系统，该系统包括在总波长范围内发射多波长扫描辐射的光源，该光源包括发射具有N个波长轨迹的N个可调谐VCL输出的N个波长扫描垂直腔激光器（VCL） ，用于将N个可调谐VCL光输出组合成公共光路以产生多路复用波长扫描辐射的组合器，用于将多路复用的波长扫描辐射分解成采样和参考路径的分离器，用于检测干扰的光检测器 由来自样品的反射和穿过基准通道的光之间的光学干涉产生的信号，以及使用干涉信号构成样品的图像的信号处理系统，其中，N个波长轨迹中的至少一个与 相对于至少一个参数的N个波长轨迹。

    METHODS FOR POLARIZATION CONTROL FOR VCSELS
    8.
    发明申请
    METHODS FOR POLARIZATION CONTROL FOR VCSELS 审中-公开
    VCSELS偏振控制方法

    公开(公告)号：WO2005082010A2

    公开(公告)日：2005-09-09

    申请号：PCT/US2005005894

    申请日：2005-02-25

    Applicant: FINISAR CORP ,  KIM JIN

    Inventor： KIM JIN

    IPC: H01S5/06 ,  H01S5/183

    CPC classification number: H01S5/18355 ,  H01S5/0607 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18338 ,  H01S5/18363 ,  H01S5/18372 ,  H01S5/18391

    Abstract: A vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) having strain or stress elements added for stable polarization control. The elements may disturb the symmetrical stress of the VCSEL structure to induce stable polarization control of its output. Such elements may be attached to the top surface or the sides of the VCSEL, or may be inserted in some of the layers of the VCSEL structure. Some elements may involve the removal of material from the sides of the VCSEL.

    Abstract translation: 垂直腔表面发射激光器（VCSEL），其具有用于稳定极化控制的应变或应力元素。 这些元件可能会扰乱VCSEL结构的对称应力，以引起其输出的稳定极化控制。 这些元件可以附接到VCSEL的顶表面或侧面，或者可以插入到VCSEL结构的一些层中。 某些元件可能涉及从VCSEL的侧面去除材料。

    LIGHT EMITTING DEVICE HAVING AN ELECTRICAL CONTACT THROUGH A LAYER CONTAINING OXIDIZED MATERIAL
    10.
    发明申请
    LIGHT EMITTING DEVICE HAVING AN ELECTRICAL CONTACT THROUGH A LAYER CONTAINING OXIDIZED MATERIAL 审中-公开
    具有通过包含氧化材料的层的电气接触器的发光装置

    公开(公告)号：WO1997047061A1

    公开(公告)日：1997-12-11

    申请号：PCT/US1997009559

    申请日：1997-06-05

    Applicant: PICOLIGHT INCORPORATED

    Inventor： PICOLIGHT INCORPORATED ,  JEWELL, Jack, L.

    IPC: H01S03/103

    CPC classification number: H01S5/18341 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18372 ,  H01S5/2059 ,  H01S5/2081

    Abstract: An improved light emitting device (10) comprises: a first conductive layer (16) having a first conductivity type; a light emitting material (20) disposed above the first conductive layer and in electrical communication therewith; a current aperture region (24) comprising at least one layer of oxidizable material, the oxidizable material having a first region (36) which is non-oxidized surrounded by a second region (34) which is oxidized in order to form a current aperture in the oxidizable material, the current aperture region (24) further comprising a third region (36) being non-oxidized and at least adjacent to the second region (34), the current aperture region (24) disposed above the light emitting material and in electrical communication therewith; a second conductive layer (28) having a second conductivity type, the second conductive layer being disposed above the current aperture region (24) and in electrical communication therewith; at least one electrically conductive channel (38, 12) for providing electrical communication to the light emitting material, the channel extending through the third region of the oxidizable material. Additionally, a method for constructing the light emitting device (10) is also provided.

    Abstract translation: 改进的发光器件（10）包括：具有第一导电类型的第一导电层（16） 设置在所述第一导电层上方并与其电连通的发光材料（20）; 包含至少一层可氧化材料的电流开口区域（24），所述可氧化材料具有第一区域（36），所述第一区域（36）被被氧化的第二区域（34）围绕，所述第二区域被氧化以形成电流孔 所述电流开口区域（24）还包括未被氧化并且至少邻近所述第二区域（34）的第三区域（36），所述电流开口区域（24）设置在所述发光材料的上方， 与其通电; 具有第二导电类型的第二导电层（28），所述第二导电层设置在所述电流开口区域（24）的上方并与之电连通; 至少一个用于向所述发光材料提供电连通的导电通道（38,12），所述通道延伸穿过可氧化材料的第三区域。 此外，还提供了一种用于构造发光器件（10）的方法。

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