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公开(公告)号：WO2017182884A1
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：PCT/IB2017/000612
申请日：2017-04-19
申请人： 阿尔卡特朗讯
CPC分类号： H03F1/523 , H03F1/305 , H03F3/19 , H03F3/2171 , H03F2200/15 , H03F2200/18 , H03F2200/27 , H03F2200/451
摘要： 本公开的实施例提供了一种用于氮化镓 GaN器件的电路系统和和方法。该电路系统包括：负偏压电路，被配置为提供 GaN器件的栅极负偏压；漏极开关电路，被配置为接通或断开 GaN器件的漏极正电压；以及控制电路，被配置为基于负偏压的提供来控制漏极开关电路，以使得漏极正电压在栅极电压达到负偏压之后接通并且在负偏压完全消失之前断开。
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公开(公告)号：WO2017001599A1
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：PCT/EP2016/065382
申请日：2016-06-30
发明人： GREDE, André , ALT, Alexander , GRUNER, Daniel , LABANC, Anton
CPC分类号： H03F1/523 , H01J37/32174 , H01L23/66 , H01L27/0629 , H01L29/7816 , H01L2223/6616 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/2176 , H03F3/3001 , H03F2200/451
摘要： Eine nicht lineare Hochfrequenzverstärkeranordnung (1), die geeignet ist, Ausgangsleistungen ≥ 1kW bei Frequenzen ≥ 1MHz zur Plasmaanregung zu erzeugen, umfassend: a. zwei LDMOS-Transistoren (S1, S2), die mit ihrem Sourceanschluss jeweils mit einem Masseverbindungspunkt (5) verbunden sind, wobei die LDMOS-Transistoren (S1, S2) gleichartig ausgebildet sind und in einer Baugruppe (Package) (3) angeordnet sind, b. einen Leistungsübertrager (7), dessen Primärwicklung (6) mit den Drainanschlüssen der LDMOS-Transistoren (S1, S2) verbunden ist, c. einen Signalübertrager (11), dessen Sekundärwicklung (13) mit einem ersten Ende mit dem Gateanschluss (15) des einen LDMOS-Transistors (Sl) verbunden ist und mit einem zweiten Ende mit dem Gateanschluss (17) des anderen LDMOS-Transistors (S2) verbunden ist, d. jeweils einen Rückkoppelpfad (34, 35) von dem Drainanschluss zu dem Gateanschluss (15, 17) jedes LDMOS-Transistors (S1, S2).
摘要翻译： 其适于产生输出在频率≥1兆赫等离子体激发≥1千瓦，包含非线性高频放大器装置（1）：一。 2个LDMOS晶体管（S1，S2），其具有分别连接到接地连接点（5）它们的源极端子，所述LDMOS晶体管（S1，S2）是在一个包（package）（3）被布置的相同的设计，并且 湾 电力变压器（7），其初级绕组（6）连接到LDMOS晶体管（S1，S2）的漏极端被连接，C。 具有第一端部连接到LDMOS晶体管（S1）的栅极端子（15）的信号变压器（11），其次级绕组（13）连接并具有第二端连接至另一个LDMOS晶体管的栅极端子（17）（S2） 连接峰，d。 每一个都具有从漏极端子到每个LDMOS晶体管（S1，S2）的栅极端子（15，17）的反馈路径（34，35）。
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公开(公告)号：WO2016125424A1
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：PCT/JP2016/000017
申请日：2016-01-05
申请人： 日本電気株式会社
CPC分类号： H03K17/04 , H03F1/523 , H03F1/56 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F3/601 , H03F2200/12 , H03F2200/255 , H03F2200/423 , H04B1/04 , H04B1/40 , H04B1/44 , H04L5/1461 , H04W88/08
摘要： 電源供給回路は、互いに異なる電源電圧を発生する複数の電源（１１－１，１１－２）と、複数の電源（１１－１，１１－２）にて発生した電源電圧を切り替えて出力するスイッチ回路（１４）と、スイッチ回路（１４）から出力された電源電圧を外部に出力する電圧出力端子（１６）と、スイッチ回路（１４）と電圧出力端子（１６）との間に設けられ、第１キャパシタを含むＲＦチョーク回路（１５）と、複数の電源（１１－１，１１－２）とスイッチ回路（１４）との間に設けられ、第１キャパシタよりも容量が大きな第２キャパシタ（１２－１，１２－２）と、を備える。
摘要翻译： 一种电源供给电路，具备：多个电源（11-1,11-2），用于产生彼此不同的电源电压; 用于切换和输出在电源（11-1,11-2）中产生的电源电压的开关电路（14）; 电压输出端子（16），用于内部输出从开关电路（14）输出的电源电压; 设置在开关电路（14）和电压输出端子（16）之间的RF扼流圈电路（15），所述RF扼流电路（15）包括第一电容器; 以及设置在所述电源（11-1,11-2）和所述开关电路（14）之间的第二电容器（12-1,12-2），所述第二电容器（12-1,12-2）具有较大的容量 比第一个电容器。
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公开(公告)号：WO2016071479A2
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：PCT/EP2015/075874
申请日：2015-11-06
CPC分类号： H03F3/2178 , H03F1/523 , H03F3/21 , H03F3/423
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft einen Leistungsverstärker, der eine Schaltungsanordnung aus mehreren Transistoren aufweist, die zwischen einem ersten Spannungsanschluss für eine oberste Versorgungsspannung und einem zweiten Spannungsanschluss für eine unterste Versorgungsspannung des Leistungsverstärkers einen Transistorstapel bilden. Bei dem vorgeschlagenen Leistungsverstärker sindmehrere Transistoren des Transistorstapels für eine aktive Ansteuerung durch eine Spannungspulsfolge verschaltet. Der vorgeschlagene Leistungsverstärker ermöglicht die Erzeugung von Signalen hoher Leistung durch Vergrößerung der Versorgungsspannung bei gleichzeitig hoher Bandbreite.
摘要翻译： 本发明涉及一种具有多个形成用于顶电源电压的第一电压端子和用于功率放大器的最低电源电压的第二电压端子之间的晶体管堆叠的晶体管的电路结构的功率放大器。 在所提出的功率放大器是由相互连接的电压脉冲串的有源驱动多个所述晶体管堆叠的晶体管。 所提出的功率放大器允许高功率信号的产生通过用高带宽增加电源电压。
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公开(公告)号：WO2014205120A1
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：PCT/US2014/043013
申请日：2014-06-18
CPC分类号： H03F1/305 , H02H9/045 , H03F1/523 , H03F3/187 , H03F3/68 , H03F2200/441 , H03F2200/444 , H03F2200/555 , H03K17/6874 , H03K2217/0018
摘要： In described examples, a charge pump (2) is powered by a first reference voltage (VDD) and produces a control voltage signal (VCP) on a control conductor (3). A ground switch circuit (15) includes a depletion mode transistor (MP 1) having a well region (4-1), a source coupled to an output conductor (6- 1), a gate coupled to receive the control voltage signal (VCP), and a drain coupled to a second reference voltage (GND). A protection circuit (17- 1) includes first and second depletion mode protection transistors (MP3- 1, MP4- 1), which have respective gates coupled to the control voltage signal (VCP) and have respective sources coupled to each other. The first depletion mode protection transistor (MP3- 1) has a drain coupled to the well region (4-1), and the second depletion mode protection transistor (MP4- 1) has a drain coupled to an output signal (VQUTI) on the output conductor (6- 1).
摘要翻译： 在上述实施例中，电荷泵（2）由第一参考电压（VDD）供电，并在控制导体（3）上产生控制电压信号（VCP）。 接地开关电路（15）包括具有阱区（4-1）的耗尽型晶体管（MP 1），耦合到输出导体（6-1）的源极，耦合以接收控制电压信号（VCP） ）和耦合到第二参考电压（GND）的漏极。 保护电路（17-1）包括第一和第二耗尽模式保护晶体管（MP3-1，MP4-1），其具有耦合到控制电压信号（VCP）的相应门并且具有彼此耦合的相应源。 第一耗尽型保护晶体管（MP3-1）具有耦合到阱区（4-1）的漏极，并且第二耗尽型保护晶体管（MP4-1）具有耦合到输出信号（VQUTI）上的漏极 输出导体（6- 1）。
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公开(公告)号：WO2014078742A2
公开(公告)日：2014-05-22
申请号：PCT/US2013/070434
申请日：2013-11-15
IPC分类号： H03F1/02
CPC分类号： H03F1/0277 , H03F1/223 , H03F1/523 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F2200/61 , H03K17/102
摘要： Techniques for providing adjustable gain in an amplifier. In an aspect, a composite amplifier having adjustable gain includes a plurality of amplifiers coupled in parallel, wherein each of the amplifiers may be turned on or off to adjust the overall gain of the composite amplifier. Each amplifier may include an input transistor and at least two cascode transistors. To turn each amplifier off, the gate voltage of a second or lowermost cascode transistor coupled to the input transistor may be grounded, and the gate voltage of a first cascode transistor coupled to the output voltage may be coupled to a first turn-off voltage to reduce the drain-to-gate voltage drop across the first cascode transistor. Further aspects provide for decoupling a capacitor coupled to the gates of the cascode transistors from AC ground when the amplifier is turned off.
摘要翻译：
在放大器中提供可调增益的技术。 一方面，具有可调节增益的复合放大器包括并联耦合的多个放大器，其中每个放大器可以被开启或关闭以调节复合放大器的整体增益。 每个放大器可以包括输入晶体管和至少两个共源共栅晶体管。 为了关闭每个放大器，耦合到输入晶体管的第二或最低级联晶体管的栅极电压可以接地，并且耦合到输出电压的第一级联晶体管的栅极电压可以耦合到第一关断电压以 降低第一共源共栅晶体管两端的漏极至栅极压降。 进一步的方面提供了当放大器关闭时将耦合到共源共栅晶体管的栅极的电容器与交流地断开。
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公开(公告)号：WO2013094626A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：PCT/JP2012/082872
申请日：2012-12-19
申请人： ヤマハ株式会社
发明人： 外川 武史
摘要： 入力音響信号を電力増幅して音声出力端子（２２ａ）の正側に供給する第１Ｄ級増幅部と、反転器（Ｅ１）において反転された入力音響信号を電力増幅して音声出力端子（２２ａ）の負側に供給する第２Ｄ級増幅部とを設け、モード制御部（２０４）が、第１のモードが指定されたとき、上記第１及び第２Ｄ級増幅部を有効にすると共に、電流制限回路（Ｉ１，Ｉ２）の最大電流値を第１電流値に設定し、第２のモードが指定されたとき、第１Ｄ級増幅部を有効にし、第２Ｄ級増幅部を無効にし、音声出力端子（２２ａ）の負側を接地すると共に、電流制限回路（Ｉ１）の最大電流値を上記第１電流値より大きい第２電流値に設定するようにした。
摘要翻译： 本发明提供了一种用于放大输入的声音信号的音频输出端子（22a）的正极的功率并向其提供的第一D类放大单元和用于放大输入的声音信号的功率的第二D类放大单元 向音频输出端子（22a）的负侧提供已经在反相器（E1）处被反相的输入声信号。 电动机控制单元（204）激活第一和第二D类放大单元，并且当已经指定了第一模式时，将限流电路（I1，I2）的最大电流值设置为第一电流值，但是当第二 模式已经被指定，激活第一D类放大单元，使第二D类放大单元失效，使音频输出端（22a）的负极接地，并设置限流电路的最大电流值（I1 ）到大于第一当前值的第二电流值。
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公开(公告)号：WO2013090849A1
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：PCT/US2012/069946
申请日：2012-12-14
发明人： SHAH, Peter J. , MEHRABI, Arash
CPC分类号： H03F1/523 , H03F3/187 , H03F3/3022 , H03F2200/426 , H03F2200/453 , H03F2200/456 , H03F2200/474 , H04R3/007 , H04R29/001
摘要： Techniques for determining the impedance of a load coupled to an amplifier. In an exemplary embodiment, a mirroring transistor is provided to mirror the current through a transistor of the amplifier output stage to a predetermined ratio. The impedance of the load may be calculated based on the mirrored current and the amplifier output voltage provided to the load. In an exemplary embodiment, the mirrored current may be digitized and provided to a digital load impedance calculation block, which estimates the load impedance based on the digitized current and an indication of the amplifier output voltage. Further techniques are described for calibrating the load impedance calculation scheme, and for differentiating between stereo and mono audio plugs using said techniques.
摘要翻译： 用于确定耦合到放大器的负载的阻抗的技术。 在示例性实施例中，提供镜像晶体管以将通过放大器输出级的晶体管的电流镜像到预定比率。 可以根据提供给负载的镜像电流和放大器输出电压来计算负载的阻抗。 在示例性实施例中，镜像电流可以被数字化并提供给数字负载阻抗计算块，其基于数字化电流和放大器输出电压的指示来估计负载阻抗。 描述了用于校准负载阻抗计算方案以及使用所述技术区分立体声和单声道音频插头的其它技术。
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公开(公告)号：WO2012150026A1
公开(公告)日：2012-11-08
申请号：PCT/EP2012/001870
申请日：2012-05-01
申请人： ST-ERICSSON SA , KNOPIK, Vincent
发明人： KNOPIK, Vincent
CPC分类号： H03F3/193 , H01L27/0251 , H03F1/0261 , H03F1/223 , H03F1/3205 , H03F1/52 , H03F1/523 , H03F3/19 , H03F3/245 , H03F2200/18 , H03F2200/27 , H03F2200/451 , H03F2200/471
摘要： A Power amplifier circuit based on a cascode structure and to be powered by a power source voltage, e.g. a battery, said circuit comprising - a first transistor (11) having a grid, source and drain terminal; said first transistor being connected in a common source mode; - a second grid source transistor (12) having grid, source and drain terminal, said second transistor being connected in common grid mode; - a biasing circuit for biasing said first transistor and said second transistor. The PA is characterized in that it includes a circuit for sensing the value of the power source voltage (VBAT) and for generating at least a first and a second biasing voltage for the grid of said second transistor (12) in accordance with the power source voltage sensed, said first biasing voltage providing substantially equal protection to said first and second transistors (11, 12) when said power source voltage (VBAT) is sensed to be at a high voltage and said second biasing voltage providing more voltage to said first transistor (11) when said power source voltage (VBAT) is sensed to be at a low voltage.
摘要翻译： 基于共源共栅结构并由电源电压供电的功率放大器电路，例如， 电池，所述电路包括 - 具有栅格，源极和漏极端子的第一晶体管（11） 所述第一晶体管以公共源模式连接; - 具有栅极，源极和漏极端子的第二栅极源极晶体管（12），所述第二晶体管以公共栅格模式连接; - 用于偏置所述第一晶体管和所述第二晶体管的偏置电路。 PA的特征在于其包括用于感测电源电压（VBAT）的值的电路，并且用于根据电源产生用于所述第二晶体管（12）的电网的至少第一和第二偏置电压 当所述电源电压（VBAT）被感测为高电压时，所述第一偏置电压提供与所述第一和第二晶体管（11,12）基本相同的保护，并且所述第二偏置电压向所述第一晶体管提供更多电压 （VBAT）被检测为低电压时，（11）。
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公开(公告)号：WO2010135711A1
公开(公告)日：2010-11-25
申请号：PCT/US2010/035863
申请日：2010-05-21
CPC分类号： H04B1/0466 , H03F1/523 , H03F3/24 , H03F2200/447 , H03F2200/468
摘要： A device including a gain control element coupled prior to or within a radio frequency (RF) power amplifier (PA) with an adaptive parametric PA protection circuit is described. In an exemplary embodiment, the device includes a gain control element coupled prior to a radio frequency power amplifier with a power stage with corresponding transistor breakdown threshold values, having an adaptive parametric PA protection circuit configured to receive at least one power stage drain-source voltage parameter value, at least one power stage drain-gate voltage parameter value, and at least one power stage drain-source current parameter value, and including an adaptive parametric PA protection circuit having a first section for processing the parameter values and a second section for generating a gain correction signal to adjust the gain control element with optimal power added efficiency (PAE) for the power stage within the corresponding transistor breakdown threshold values.
摘要翻译： 描述了在具有自适应参数PA保护电路的射频（RF）功率放大器（PA）之前或之内耦合的增益控制元件的装置。 在示例性实施例中，该装置包括增益控制元件，该增益控制元件在具有相应的晶体管击穿阈值的功率级的射频功率放大器之前耦合，具有自适应参数PA保护电路，该自适应参数PA保护电路被配置为接收至少一个功率级漏 - 源电压 参数值，至少一个功率级漏极栅极电压参数值和至少一个功率级漏源电流参数值，并且包括具有用于处理参数值的第一部分的自适应参数PA保护电路和用于 产生增益校正信号，以在相应的晶体管击穿阈值内对功率级的最佳功率附加效率（PAE）调节增益控制元件。
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