公开(公告)号：WO2015075497A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：PCT/IB2013/002898

申请日：2013-11-22

申请人： FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. ,  SICARD, Thierry ,  PERRUCHOUD, Philippe

发明人： SICARD, Thierry ,  PERRUCHOUD, Philippe

IPC分类号： G05F3/16

CPC分类号： H03K17/567 ,  H03K17/163 ,  H03K17/168 ,  H03K17/605 ,  H03K17/689

摘要： The present invention comprises a method and apparatus for controlling an IGBT device. The method comprises, upon receipt of a first and at least one further IGBT control signals, the first IGBT control signal indicating a required change in operating state of the IGBT device, controlling an IGBT driver module for the IGBT device to change an operating state of the IGBT device by applying a first logical state modulation at an input of an IGBT coupling channel, and applying at least one further modulation to the logical state at the input of the IGBT coupling channel in accordance with the at least one further IGBT control signal within a time period from the first logical state modulation, the time period being less than a state change reaction period ∆t for the at least one IGBT device.

摘要翻译： 本发明包括用于控制IGBT器件的方法和装置。 该方法包括：在接收到第一和至少一个另外的IGBT控制信号时，所述第一IGBT控制信号指示所述IGBT器件的工作状态所需的变化，控制所述IGBT器件的IGBT驱动器模块以改变所述IGBT器件的工作状态 所述IGBT器件通过在IGBT耦合沟道的输入处施加第一逻辑状态调制，并且根据所述至少一个另外的IGBT控制信号在所述IGBT耦合通道的输入处对所述逻辑状态施加至少一个另外的调制， 从所述第一逻辑状态调制的时间段，所述时间段小于所述至少一个IGBT器件的状态变化反应周期Δt。

公开(公告)号：WO2015053052A1

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：PCT/JP2014/074477

申请日：2014-09-17

申请人： トヨタ自動車株式会社

发明人： 大西　悠季生

IPC分类号： H02M1/08 ,  H03K17/687

CPC分类号： H02M7/5387 ,  H02J7/022 ,  H02J7/345 ,  H03K17/08128 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/127 ,  H03K17/689 ,  H03K2217/0027 ,  H03K2217/0036

摘要： 　メイン素子と、前記メイン素子に並列に接続されたセンス素子とを有するスイッチング素子と、前記センス素子をオンさせる負電圧を前記センス素子のセンス電極にバイアスして、前記メイン素子に直列に接続される他のスイッチング素子のリーク電流を検出する制御回路とを備える、半導体制御装置。前記制御回路は、例えば、前記メイン素子がオンせずに前記センス素子がオンするように、前記負電圧を前記センス電極にバイアスする。

摘要翻译： 公开了一种半导体控制装置，包括：开关元件，包括主元件和与主元件并联连接的感测元件; 以及控制电路，其以感测元件的负电压偏置感测元件的感测电极，并且检测与主元件串联连接的另一开关元件的漏电流。 控制电路以这样的方式将感测电极偏压，使得例如感测元件接通而不使主元件接通。

公开(公告)号：WO2013137747A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：PCT/NZ2012/000037

申请日：2012-03-14

申请人： ADVANCED ENVIRONMENTAL TECHNOLOGIES LIMITED ,  CHIDA, Kamran ,  SIRAJUDDIN, Mohamed

发明人： CHIDA, Kamran ,  SIRAJUDDIN, Mohamed

IPC分类号： H03K17/785 ,  H03K17/60

CPC分类号： H03K17/6874 ,  H03K17/605 ,  H03K17/6871 ,  H03K17/689 ,  H03K17/691 ,  H03K17/785 ,  H03K2217/0009

摘要： A bilateral switch derives internal power for the operation of the switch control circuitry from a converter powered by the input signal, whether the input is AC or DC, and also operates the internal voltage isolated circuits powered by this from the input signal. The internal circuitry operates a pair of similar FET switches switching power on and off between their drain connections, relying on a reverse protection diode across the FETs to allow passage of either AC current or DC current in either direction.

摘要翻译： 双向开关由输入信号供电的转换器（无论输入为交流还是直流）为开关控制电路的运行提供内部电源，并且还可以通过输入信号来操作由此供电的内部电压隔离电路。 内部电路操作一对类似的FET开关，它们在漏极连接之间切换电源，依赖于跨FET的反向保护二极管，以允许任一方向上交流电流或直流电流通过。

公开(公告)号：WO2013123316A1

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：PCT/US2013/026325

申请日：2013-02-15

申请人： AZURE DYNAMICS, INC.

发明人： ARNET, Beat

IPC分类号： G06F9/00

CPC分类号： H02M7/5387 ,  H02M1/08 ,  H02M1/092 ,  H03K17/082 ,  H03K17/18 ,  H03K17/20 ,  H03K17/689 ,  H03K17/78 ,  Y10T307/747

摘要： Controlling power switches with a programmable gate controller system proximate associated power switches and remote from the central controller including sensing at least one predetermined condition local to the associated power switches; reporting the sensed conditions to the remote programmable gate controller system; developing, in response to the sensed condition at least one control signal in the remote programmable gate controller system; and applying the control signal to the associated power switches

摘要翻译： 控制具有可编程门控制器系统的功率开关，该系统靠近相关联的电力开关并且远离中央控制器，包括感测至少一个预定的相关功率开关的预定条件; 将感测到的条件报告给远程可编程门控制器系统; 响应于感测到的状态，在远程可编程门控制器系统中发展至少一个控制信号; 以及将控制信号施加到相关联的电力开关

公开(公告)号：WO2015040854A1

公开(公告)日：2015-03-26

申请号：PCT/JP2014/004750

申请日：2014-09-16

申请人： パナソニックIPマネジメント株式会社

发明人： 砂田　卓也 ,  小西　保司 ,  分木　優 ,  浅井　保至 ,  麦生田　沙知子

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H03K17/00 ,  H03K17/687

CPC分类号： H03K17/689 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0676

摘要： 　半導体基板の小型化を図ることのできる半導体装置及びそれを用いた半導体リレーを提供する。半導体装置（１）は、入力回路（発振回路（２０））と、出力回路（各ダイオード（２１２～２１４）及び充放電回路（２２））と、絶縁回路（２５）と、半導体基板（７）とを備える。絶縁回路（２５）は、入力回路と出力回路との間を電気的に絶縁するキャパシタ（２１０，２１１）を少なくとも１つ有する。キャパシタ（２１０，２１１）は、２つの電極のうち一方の第１電極（８０，８２）が入力回路に電気的に接続され、他方の第２電極（８１，８３）が出力回路に電気的に接続されるように構成される。半導体装置（１）は、半導体基板（７）の厚み方向においてキャパシタ（２１０，２１１）と半導体基板（７）との間に形成され且つ誘電体で構成される絶縁膜（９）をさらに備える。

摘要翻译： 本发明提供：半导体器件，其可以减小半导体衬底的尺寸; 以及使用所述半导体器件的半导体继电器。 所述半导体器件（1）包括输入电路（振荡电路（20）），输出电路（二极管（212至214）和充电/放电电路（22）），绝缘电路（25）和半导体 基板（7）。 绝缘电路（25）包括使输入电路和输出电路彼此电绝缘的一个或多个电容器（210,211）。 每个所述电容器（210,211）被设计成使得其两个电极中的一个电极（即第一电极（80,82））电连接到输入电路，另一个电极连接到第二电极（81） ，83）电连接到输出电路。 该半导体器件（1）还设置有在半导体衬底（7）的厚度方向上形成在电容器（210,211）和半导体衬底（7）之间的绝缘膜（9），并且包括电介质材料 。

公开(公告)号：WO2013097856A2

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：PCT/DK2012/050479

申请日：2012-12-19

申请人： VESTAS WIND SYSTEMS A/S

发明人： ANDERSEN, Thomas Lundgren ,  GLAVIND, Lars

CPC分类号： H03K17/689

摘要： A gate driver circuit (400) for controlling a semiconductor electronic device module, such as a power switching module (12), 14is discussed. The system comprises an optical fibre (418) mounted inside the power module and connected to a controller (414) located on the gate driver circuit (400). The optical fibre (418) is arranged so that it lies proximate to one or more semiconductor dies (304, 306) in the semiconductor device module (12, 14) to sense an operating condition, such as temperature, strain or current. The optical fibre sensor may operate using one or more Fibre Bragg Gratings written into the fibre, or via interferometry techniques.

摘要翻译： 已经讨论了用于控制半导体电子器件模块的栅极驱动电路（400），诸如功率开关模块（12）14。 该系统包括安装在功率模块内部并连接到位于栅极驱动电路（400）上的控制器（414）的光纤（418）。 光纤（418）布置成使得其靠近半导体器件模块（12,14）中的一个或多个半导体管芯（304,306），以感测诸如温度，应变或电流的操作条件。 光纤传感器可以使用写入光纤的一个或多个光纤布拉格光栅进行操作，或通过干涉测量技术进行操作。

公开(公告)号：WO2007106062A2

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：PCT/US2006/005814

申请日：2006-02-17

申请人： LEACH INTERNATIONAL CORPORATION ,  TOFIGH, Farshid ,  KHAN, Imtiaz ,  GHAHRAMANI, Iraj ,  LAWTON, David ,  POLICKY, Kent ,  KRUPPA, Otmar

发明人： TOFIGH, Farshid ,  KHAN, Imtiaz ,  GHAHRAMANI, Iraj ,  LAWTON, David ,  POLICKY, Kent ,  KRUPPA, Otmar

IPC分类号： H02H3/06

CPC分类号： H03K17/689 ,  H02H1/0015 ,  H02H3/0935 ,  H03K17/0822

摘要： Solid state power controllers are described that include a switch controlled by a microcontroller and communication contacts. In one aspect of the invention, the microcontroller is galvanically isolated from the communication contacts using magnetoresistive isolation. In another aspect of the invention a number of solid state power controllers are connected to an external microcontroller to form a power distribution array. In addition, messages exchanged between the external microcontroller and the solid state power controllers can be used to configure the solid state power controllers and provide a user interface.

摘要翻译： 描述了固态功率控制器，其包括由微控制器控制的开关和通信触点。 在本发明的一个方面，使用磁阻隔离将微控制器与通信触点电隔离。 在本发明的另一方面，许多固态功率控制器连接到外部微控制器以形成配电阵列。 另外，外部微控制器和固态电源控制器之间交换的信息可以用于配置固态电源控制器并提供用户界面。

公开(公告)号：WO2004090737A2

公开(公告)日：2004-10-21

申请号：PCT/US2004/010466

申请日：2004-04-02

申请人： SUN MICROSYSTEMS, INC. ,  SUTHERLAND, Ivan E. ,  BOSNYAK, Robert J. ,  DROST, Robert J.

发明人： SUTHERLAND, Ivan E. ,  BOSNYAK, Robert J. ,  DROST, Robert J.

IPC分类号： G06F13/00

CPC分类号： H03K5/003 ,  H01L23/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H03K3/037 ,  H03K17/689 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

摘要： A system is presented for latching and amplifying a capacitively coupled inter-chip communication signal that operates by receiving an input signal on a capacitive receiver pad and feeding the input signal through an inverter to produce an output signal. The output signal is fed back through a weakened inverter to produce a feedback signal that is fed into an input of the inverter to form a latch for the input signal. The weakened inverter is biased to produce a feedback signal that swings between a high bias voltage, VH, and a low bias voltage, VL. VH is set slightly higher than the switching threshold of the inverter, and VL is set slightly lower than the switching threshold. This feedback signal causes the input signal to reside within a narrow voltage range near the switching threshold of the inverter, making the inverter sensitive to small transitions in the input signal.

摘要翻译： 提出了一种用于锁存和放大电容耦合的芯片间通信信号的系统，其通过接收电容性接收器焊盘上的输入信号并通过反相器馈送输入信号以产生输出信号来操作。 输出信号通过弱化逆变器反馈，产生反馈信号，该反馈信号馈送到反相器的输入端，形成输入信号的锁存器。 弱化的逆变器被偏置以产生在高偏置电压VH和低偏置电压VL之间摆动的反馈信号。 将VH设置为略高于逆变器的开关阈值，并将VL设置为略低于开关阈值。 该反馈信号使输入信号驻留在接近逆变器开关阈值的窄电压范围内，使得反相器对输入信号中的小转换敏感。

公开(公告)号：WO2014164258A1

公开(公告)日：2014-10-09

申请号：PCT/US2014/021540

申请日：2014-03-07

申请人： MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED

发明人： DIX, Gregory ,  YACH, Randy

IPC分类号： H01G4/40

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01G4/06 ,  H01G4/40 ,  H01L23/642 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48265 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H03K17/689 ,  H04L25/0266 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： At least one high voltage rated isolation capacitor is formed on a face of a primary integrated circuit die. The isolation capacitor AC couples the primary integrated circuit in a first voltage domain to a second integrated circuit in a second voltage domain. The isolation capacitor DC isolates the primary integrated circuit from the second integrated circuit die.

摘要翻译： 在初级集成电路管芯的表面上形成至少一个高压额定绝缘电容器。 隔离电容器AC将第一电压域中的初级集成电路耦合到第二电压域中的第二集成电路。 隔离电容器DC将初级集成电路与第二集成电路管芯隔离。

公开(公告)号：WO2014024340A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：PCT/JP2013/001406

申请日：2013-03-06

申请人： パナソニック株式会社

发明人： 重谷　篤 ,  宮崎　崇仁 ,  野崎　雄介 ,  福泉　勝

IPC分类号： H03K17/693

CPC分类号： H03K17/689 ,  H03K17/162 ,  H03K17/6877 ,  H03K17/693 ,  H03K2017/066 ,  H03K2217/0054 ,  H04B1/48

摘要： 　経路切替用ＦＥＴ(１２１，１２２)及びシャント用ＦＥＴ(１２３，１２４)は、キャパシタ(１３１～１３８)でそれぞれ分離されている。経路切替用ＦＥＴのゲートと、シャント用ＦＥＴのゲートとは、第１の内部電源電圧ＩｎｔＶＤＤ１（例えば２．５Ｖ）を電源とするインバータ回路(３１１，３１２，３１５，３１６)を用いて制御される。経路切替用ＦＥＴのソース・ドレインと、シャント用ＦＥＴのソース・ドレインとは、ＩｎｔＶＤＤ１よりも小さい第２の内部電源電圧ＩｎｔＶＤＤ２（例えば１．２５Ｖ）を電源とするインバータ回路(３１３，３１４，３１７，３１８)を用いて制御される。

摘要翻译： 路径切换FET（121,122）和分路FET（123,124）通过电容器（131〜138）彼此分离。 使用使用第一内部电源电压IntVDD1（例如2.5V）作为电源电压的逆变器电路（311,312,315,316）来控制分路FET的路径切换FET和栅极的栅极。 使用使用比第二内部电源电压IntVDD2（例如1.25V）的逆变器电路（313,314,317,318）来控制分流FET的路径切换FET和源极和漏极的源极和漏极， IntVDD1作为电源电压。