公开(公告)号：WO2018227668A1

公开(公告)日：2018-12-20

申请号：PCT/CN2017/091084

申请日：2017-06-30

申请人： 上海集成电路研发中心有限公司

发明人： 康晓旭 ,  曾绍海

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01J37/317 ,  H01L21/265

摘要： 提供一种离子注入系统，包括离子发射装置和靶盘装置，其中，所述靶盘装置包括石墨电极单元和供电单元，支撑架（19）的下端安装石墨电极单元，所述石墨电极单元为中空结构，包括石墨电极（14）和中空区域Ⅰ（15），石墨电极（14）和供电单元连接，中空区域Ⅰ（15）的面积小于待加工晶圆（13）的面积，石墨电极（14）的面积加上中空区域Ⅰ（15）的面积大于离子束的入射面积，当离子束入射到靶盘平台（12）上的待加工晶圆（13）上进行离子注入时，供电单元对石墨电极（14）施加电压，产生和离子束运动形成的电场方向相反的电场，减小入射到待加工晶圆（13）以外的离子束的运动速度，从而防止离子注入过程中产生二次污染，更高效地进行离子注入工艺。

公开(公告)号：WO2018110831A1

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：PCT/KR2017/012441

申请日：2017-11-03

申请人： 주식회사 웨이비스

发明人： 이상민 ,  구황섭 ,  김현제 ,  정희석

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768 ,  H01L21/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/265 ,  H01L21/225 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/04 ,  H01L21/18 ,  H01L21/225 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234

摘要： 본 발명은 질화물계 전자소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판의 상부에 순차적층되는 채널층, 장벽층 및 보호층과, 보호층의 개구 부분을 통해 노출되는 보호층의 하부층에 접촉되는 오믹 콘택을 포함하는 질화물계 전자소자에 있어서, 상기 오믹 콘택은 개구 부분으로 노출된 상기 보호층의 하부층의 상부 및 상기 개구 부분 주변의 상기 보호층의 일부 상부에 위치하도록 구성된다.

公开(公告)号：WO2017217129A1

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：PCT/JP2017/017184

申请日：2017-05-01

申请人： 信越半導体株式会社

发明人： 小林　徳弘 ,  阿賀　浩司

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

摘要： 本発明は、シリコン単結晶ウェーハからなるボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入して前記ボンドウェーハの内部にイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを直接又は絶縁膜を介して貼り合わせた後、剥離熱処理を行うことによって前記イオン注入層で前記ボンドウェーハを剥離させて貼り合わせウェーハを製造する貼り合わせウェーハの製造方法において、前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとを貼り合わせた後、前記剥離熱処理を行うまで、貼り合わせた前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとの貼り合わせ界面が水分子の寄与によって結合している状態で前記貼り合わせたボンドウェーハとベースウェーハを室温で１２時間以上保持し、前記剥離熱処理は、炉内温度が４００℃以上５００℃以下の一定温度に設定された熱処理炉内に前記貼り合わせたボンドウェーハとベースウェーハを昇温工程なしで直接投入し、前記一定温度で熱処理するか、又は、前記一定温度から＋５０℃以内の所定温度に昇温したのち該所定温度で熱処理する貼り合わせウェーハの製造方法である。これにより、例えばＳＯＩウェーハのような貼り合わせウェーハの剥離後の剥離面の表面粗さを低減させることで、より低い温度での平坦化熱処理により最終的な貼り合わせウェーハの表面の表面粗さを低下させることができる貼り合わせウェーハの製造方法が提供される。

摘要翻译：

本发明中，从上述接合晶片的制造晶片的表面的单晶硅的氢离子，通过稀有气体离子的离子注入中的至少一种结合晶片内的气体离子的离子注入层 ，直接或通过绝缘膜将键合晶片的离子注入表面和基底晶片的表面键合，然后进行分离热处理，使得键合晶片被离子注入层剥离并附着 一种制造用于制造键合晶片的键合晶片的方法，其特征在于，在键合晶片与基底晶片彼此键合之后，键合晶片与基底晶片之间的键合界面 在键合状态下，由水分子，键合键合晶片和基底的贡献 手持EHA室温下搅拌12小时或更长时间，分离的热处理是将接合晶片与基底晶片，以将炉中的温度贴合中设定在一个恒定的温度500℃以下400℃以上的无加热处理的热处理炉 在恒定温度下进行热处理或者从恒定温度升高至+ 50℃内的预定温度，然后在预定温度下进行热处理。 由此，通过降低SOI晶片等贴合晶片剥离后的剥离面的表面粗糙度，能够通过在较低温度下的平坦化热处理来降低最终贴合晶片的表面粗糙度 由此减小了键合晶片的厚度。

公开(公告)号：WO2017143324A1

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：PCT/US2017/018604

申请日：2017-02-20

申请人： INTEVAC, INC.

发明人： ADIBI, Babak ,  BLUCK, Terry

IPC分类号： G02B1/12 ,  B01J35/02

CPC分类号： G06F3/041 ,  C03C17/00 ,  G06F2203/04103 ,  H01L21/265 ,  Y02P40/57

摘要： Mechanical properties of a cover glass for a touch screen are improved by ion implanting the front surface. The implant process uses non-mass analyzed ions that physically embed in voids between inter-connected molecules of the glass. The embedded ions create compression stress on the molecular structure, thus enhancing the mechanical properties of the glass to avoid scratches. Also, implanting ions containing fluoride enhances the hydrophobic and oleophobis properties of the glass to prevent finger prints.

摘要翻译： 用于触摸屏的保护玻璃的机械特性通过离子注入前表面而得到改善。 注入工艺使用物理嵌入玻璃相互连接的分子之间的空隙中的非质量分析离子。 嵌入的离子在分子结构上产生压缩应力，从而增强玻璃的机械性能以避免划伤。 另外，植入含有氟离子的离子会增强玻璃的疏水性和疏油性，以防指纹。

公开(公告)号：WO2017115633A1

公开(公告)日：2017-07-06

申请号：PCT/JP2016/086611

申请日：2016-12-08

申请人： 帝人株式会社

发明人： 添田　淳史 ,  池田　吉紀

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266

CPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266

摘要： 高温耐熱性かつ導電性を有し、半導体基材に対して金属不純物を生じる懸念がなく、パターン形成が可能で、かつ低コストで高温のイオン注入プロセスに適用できる、感光性樹脂組成物及びそのような組成物を用いる半導体デバイスの製造方法を提供する。　本発明の感光性樹脂組成物は、感光性樹脂、並びに導電性材料及び／又は半導体材料の粒子を含有している。また、半導体デバイスを製造する本発明の方法は、本発明の感光性樹脂組成物の膜のパターン（１１）を、半導体層又は基材（２）上に形成する工程、感光性樹脂組成物の膜のパターンを焼成して、イオン注入用マスク（１３）を形成する工程、イオン注入用マスクのパターン開口部（１２）を通して、半導体層又は基材（２）にイオンを注入する工程、及びイオン注入用マスク（１３）を除去する工程を含む。

摘要翻译：

具有耐高温，导电的，也不用担心导致金属杂质的半导体衬底，可以形成图案，并且可以以低成本被施加到高温离子注入工艺 ，一种光敏树脂组合物和使用这种组合物制造半导体器件的方法。 本发明的光敏树脂组合物含有光敏树脂，导电材料和/或半导体材料的颗粒。 此外，用于制造半导体器件的本发明的方法包括在半导体层或衬底（2）上形成本发明的光敏树脂组合物的膜的图案（11）的步骤， 烧制膜的图案以形成离子注入掩模（13）的步骤，通过离子注入掩模的图案开口部分（12）将离子注入到半导体层或基板（2）中的步骤， 并移除植入掩模（13）。

公开(公告)号：WO2017092408A1

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：PCT/CN2016/096045

申请日：2016-08-19

申请人： 无锡华润上华半导体有限公司

发明人： 李伟 ,  郝龙

IPC分类号： H01L23/64 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L21/265 ,  H01L23/64

摘要： 一种多晶硅高阻的制造方法，包括：提供半导体衬底（300），该半导体衬底包括PMOS区、NMOS区和多晶硅高阻区，在该多晶硅高阻区内形成图案化的多晶硅电阻层（304）；对该NMOS区内预定形成源/漏区的区域和该多晶硅电阻层同时进行N型离子注入，对该PMOS区内预定形成源/漏区的区域和该多晶硅电阻层同时进行P型离子注入，以通过该P型离子和该N型离子的中和掺杂而形成该多晶硅电阻层的高阻区；其中，该N型离子注入的注入剂量与该P型离子注入的注入剂量不同。

公开(公告)号：WO2016092700A9

公开(公告)日：2017-05-04

申请号：PCT/JP2014082986

申请日：2014-12-12

申请人： CANON KK

发明人： FUNABASHI NAOKI

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/265 ,  G03F7/707 ,  G03F7/70783 ,  H01L21/2633

摘要： The objective of the invention is to provide: a substrate holding apparatus that is advantageous in terms of separating a substrate from a seal member in a short time when the substrate is to be unloaded; and a lithography apparatus. The present invention relates to a substrate holding apparatus 10 that holds a substrate 3. The substrate holding apparatus 10 has: a holding member 16 that includes a center portion 40 having suction holes 32 that are formed for the purpose of evacuating a space 42 between the substrate 3 and the holding member, and an outer peripheral portion 41 which surrounds the center portion 40, and which is formed in a position lower than that of the center portion 40; and a seal member 31 with which the holding member 16 is provided, and which defines the space 42. Holes 33 independent from an evacuating system, which is connected to the suction holes 32, are formed in the outer peripheral portion 41 and/or the sealing member 31.

摘要翻译： 本发明的目的在于提供一种基板保持装置，该基板保持装置在基板卸载时能够在短时间内将基板从密封部件分离的方面有利， 和光刻设备。 基板保持装置10具有保持部件16，该保持部件16具有中央部40，该中央部40具有吸引孔32，该吸引孔32为了排出 基板3和保持部件;外周部41，其包围中央部40，形成在比中央部40低的位置; 以及设置有保持部件16的密封部件31，该密封部件31限定空间42.在外周部41和/或外周部41上形成与抽吸孔32连接的独立于抽空系统的孔33。 密封构件31。

公开(公告)号：WO2017057349A1

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：PCT/JP2016/078422

申请日：2016-09-27

申请人： 東洋アルミニウム株式会社

发明人： ダムリン　マルワン ,  鈴木　紹太 ,  菊地　健 ,  中原　正博 ,  森下　直哉

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01B1/22 ,  H01L21/225 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01B1/22 ,  H01L21/225 ,  H01L21/265 ,  H01L31/18

摘要： 半導体基板上に、ｎ型ドーパント元素の濃度が高い拡散層を容易に形成することができるペースト組成物を提供する。　半導体基板上に被膜を形成するためのペースト組成物である。該ペースト組成物は、アルミニウム粉末と、ｎ型ドーパント元素を含有する化合物と、樹脂と、溶剤とを含有し、前記ｎ型ドーパント元素は、リン、アンチモン、砒素及びビスマスからなる群から選択される１種または２種以上の元素であり、前記ｎ型ドーパント元素を含有する化合物中における前記ｎ型ドーパント元素の含有量が、前記アルミニウム粉末に含まれるアルミニウム１００質量部に対し、１．５質量部以上、１０００質量部以下である。

摘要翻译： 提供了一种糊状组合物，其可以容易地在半导体衬底上形成具有高n型掺杂剂元素浓度的扩散层。 一种用于在半导体衬底上形成涂层的糊剂组合物。 糊料组合物含有铝粉末，含有n型掺杂剂元素的化合物，树脂和溶剂。 n型掺杂剂元素是选自磷，锑，砷和铋中的一种或多种元素。 含有n型掺杂剂元素的化合物的n型掺杂元素含量为铝粉中所含有的铝100-1000质量份至100质量份。

公开(公告)号：WO2017014948A1

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：PCT/US2016/041101

申请日：2016-07-06

申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.

发明人： AMATO, Mark R. ,  LEE, William Davis ,  RENO, Jillian

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01J37/3171 ,  C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3026 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/31761 ,  H01J2237/31766 ,  H01L21/265 ,  H01L21/425

摘要： Systems and methods for the selective processing of a particular portion of a workpiece are disclosed. For example, the outer portion may be processed by directing an ion beam toward a first position on the workpiece, where the ion beam extends beyond the outer edge of the workpiece at two first locations. The workpiece is then rotated relative to the ion beam about its center so that certain regions of the outer portion are exposed to the ion beam. The workpiece is then moved relative to the ion beam to a second position and rotated in the opposite direction so that all regions of the outer portion are exposed to the ion beam. This process may be repeated a plurality of times. The ion beam may perform any process, such as ion implantation, etching or deposition.

摘要翻译： 公开了用于选择性处理工件的特定部分的系统和方法。 例如，可以通过将离子束引导到工件上的第一位置来处理外部部分，其中离子束在两个第一位置处延伸超过工件的外边缘。 然后工件相对于离子束绕其中心旋转，使得外部部分的某些区域暴露于离子束。 然后将工件相对于离子束移动到第二位置并沿相反方向旋转，使得外部部分的所有区域暴露于离子束。 该过程可以重复多次。 离子束可以执行任何过程，例如离子注入，蚀刻或沉积。

公开(公告)号：WO2017007138A1

公开(公告)日：2017-01-12

申请号：PCT/KR2016/006190

申请日：2016-06-10

申请人： 주식회사 밸류엔지니어링

发明人： 황규태 ,  임경태 ,  김성균

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01J37/317 ,  H01L21/265

摘要： 본 발명은 이온주입기용 리펠러 및 이를 포함하는 이온발생장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따르면, 반도체 소자의 제조에 이용되는 이온주입용 이온발생장치의 아크챔버를 구성하는 리펠러, 캐소드, 챔버 월, 또는 슬릿 부재 등의 부품에 열변형 안정화 용도, 마모 보호 용도 혹은 증착물 박리 저항 용도로 세미카바이드층 포함 코팅구조를 제공함으로써 이온발생위치가 틀어지거나 장비의 틀어짐 없이 정밀한 이온주입공정을 가능케 하고, 아크챔버 내부로 전자를 균일하게 반사시킬 수 있으므로 플라즈마의 균일도를 증가시켜 이온소스기체의 분해 효율을 향상시킬 뿐 아니라 기존 부품 대비 수명을 현저하게 개선시킨 이온주입기용 부품 및 이를 포함하는 이온발생장치를 제공할 수 있다.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于离子注入机的推斥器和包括该离子注入机的离子发生装置。 根据本发明，可以提供一种用于离子注入机的部件和包括该离子注入机的离子产生装置，其中构成电弧的部件如反转器，阴极，室壁或狭缝部件 或用于制造半导体元件的用于离子注入的离子发生装置的腔室设置有用于热变形稳定的目的的半碳化物层包覆结构，用于磨损保护，或为了 从而能够进行精确的离子注入工艺，其没有离子产生位置的变形和设备的变形，并且电子可以均匀地反射到电弧室中，使得通过提高等离子体的均匀性，不仅 提高了离子源气体的分解效率，但与现有部件相比，使用寿命大大提高。