公开(公告)号：WO2008090728A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：PCT/JP2008/000031

申请日：2008-01-16

Applicant: 日本電気株式会社 ,  弓削亮太 ,  湯田坂雅子 ,  飯島澄男

Inventor： 弓削亮太 ,  湯田坂雅子 ,  飯島澄男

IPC: B01J35/02 ,  B01J23/10 ,  B01J23/42 ,  B01J35/10 ,  B01J37/08 ,  B01J37/14 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C01B31/02

CPC classification number: B01J21/185 ,  B01J23/10 ,  B01J23/42 ,  B01J23/74 ,  B01J37/0203 ,  B01J37/14 ,  B82Y30/00 ,  H01M4/926 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/743 ,  Y10S977/744 ,  Y10S977/745 ,  Y10S977/746 ,  Y10S977/747 ,  Y10S977/748 ,  Y10S977/749 ,  Y10S977/75 ,  Y10S977/751 ,  Y10S977/752 ,  Y10S977/753 ,  Y10S977/754 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/844 ,  Y10S977/845 ,  Y10S977/846 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/848 ,  Y10T428/2918

Abstract: 　カーボンナノホーン（ＣＮＨ）１００を酸化処理してＣＮＨ１００の側面を開孔する。次に、この開孔部からＣＮＨ１００内部に金属などの内包物質１０２を取り込む。次いで、真空または不活性ガス中での加熱処理により内包物質１０２をカーボンナノホーン１００の先端部に移動させる。さらに、低濃度の酸素雰囲気中の加熱処理により内包物質１０２の触媒効果を利用して先端部のカーボン層を取り除き、内包物質１０２の表面を露出させる。真空または不活性ガス中での熱処理をすることにより金属が先端部に移動しない内包物質１０２の場合には、触媒微粒子を覆っている周囲のカーボン部分を触媒作用を利用し低濃度の酸素雰囲気中の加熱処理により特異的に燃焼させ、ＣＮＨ１００先端部に触媒微粒子を固定化する。

Abstract translation: 碳纳米角（CNH）（100）被氧化以在CNH（100）的一侧形成开口。 要包括的物质（102），例如金属，通过开口引入CNH（100）。 通过在真空或惰性气体中的热处理将包合物（102）移动到碳纳米角（100）的尖端部分。 CNH进一步在含有低浓度氧的气氛中进行热处理，从而基于夹杂物质（102）的催化除去顶端部的碳层。 因此，包覆物质（102）的表面露出。 在包含物质（102）是通过在真空或惰性气体中进行热处理而不移动到尖端部分的金属的情况下，微小催化剂粒子周围的碳部分通过在大气中的热处理特别地燃烧 含有低浓度的氧，同时充分利用催化作用。 因此，催化剂微粒被固定在CNH（100）的前端部。

公开(公告)号：WO2014091422A1

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：PCT/IB2013/060805

申请日：2013-12-11

Applicant: UNIVERSITE BLAISE PASCAL-CLERMONT-FERRAND II

Inventor： GUERIN ARAUJO DA SILVA, Katia ,  DUBOIS, Marc Denis Alphonse ,  HAMWI, André

IPC: H01M4/36 ,  C01B31/00 ,  H01M4/583 ,  H01M6/14 ,  H01M4/02

CPC classification number: H01M4/5835 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01M4/04 ,  H01M4/06 ,  H01M4/08 ,  H01M4/366 ,  H01M4/623 ,  H01M6/14 ,  H01M2004/028 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/749 ,  Y10S977/752 ,  Y10S977/846 ,  Y10S977/948

Abstract: L'invention concerne l'utilisation de nanoobjets en carbone sous fluoré en tant que matériau d'électrode de batteries primaires au lithium, l'électrode obtenue par cette utilisation ainsi qu'une batterie au lithium comprenant une telle électrode. Les nanoobjets en carbone sous fluoré utilisés dans l'invention ont une partie centrale en carbone non fluoré et une partie périphérique en carbone fluoré de formule CF X où x représente le rapport atomique F/C qui est tel que 0,25 19 F MAS RMN présente un seul pic entre -150 et -190 ppm/CFCl 3 (hors bandes de rotation). L'invention trouve application dans le domaine du stockage et de la restitution d'énergie, en particulier.

Abstract translation: 本发明涉及使用二氟化碳纳米材料作为一次锂电池的电极材料，通过该用途获得的电极和包含这种电极的锂电池。 用于本发明的二氟碳纳米体具有由非氟化碳制成的中心部分和由式CFX的氟化碳制成的周边部分，其中x表示F / C原子比，其为0.25

公开(公告)号：WO2011085363A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：PCT/US2011/020817

申请日：2011-01-11

Applicant: WILLIAM MARSH RICE UNIVERSITY ,  MARTI-ARBONA, Angel, A. ,  SAHA, Avishek ,  PASQUALI, Matteo

Inventor： MARTI-ARBONA, Angel, A. ,  SAHA, Avishek ,  PASQUALI, Matteo

IPC: C01B31/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B05D3/107 ,  B05D1/18 ,  B05D5/00 ,  B05D7/24 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/00 ,  C01B32/166 ,  C01B32/174 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/04 ,  C01B2202/06 ,  C01B2202/30 ,  C01B2202/34 ,  C01B2202/36 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/743 ,  Y10S977/744 ,  Y10S977/745 ,  Y10S977/746 ,  Y10S977/748 ,  Y10S977/749 ,  Y10S977/75 ,  Y10S977/752 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/953 ,  Y10T428/249978 ,  Y10T428/25

Abstract: In some embodiments, the present invention provides methods of immobilizing carbon nanotubes on a surface, wherein the method comprises: (1) mixing carbon nanotubes with a superacid to form a carbon nanotube solution; and (2) exposing the carbon nanotube solution to the surface. The exposing results in the immobilization of the carbon nanotubes on the surface. In some embodiments, the method occurs without the utilization of carbon nanotube wrapping molecules. Other embodiments of the present invention pertain to systems that comprise immobilized carbon nanotubes on a surface, as developed by the aforementioned methods.

Abstract translation: 在一些实施方案中，本发明提供了将碳纳米管固定在表面上的方法，其中所述方法包括：（1）将碳纳米管与超强酸混合以形成碳纳米管溶液; 和（2）将碳纳米管溶液暴露于表面。 曝光导致碳纳米管固定在表面上。 在一些实施方案中，该方法在不利用碳纳米管包裹分子的情况下发生。 本发明的其它实施方案涉及通过上述方法开发的在表面上包含固定碳纳米管的体系。

公开(公告)号：WO2007089550A2

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：PCT/US2007/002104

申请日：2007-01-26

Applicant: NANOSELECT, INC. ,  PACE, Salvatore, J. ,  MAN, Piu, Francis ,  PATIL, Ajeeta, Pradip ,  TAN, Kah, Fatt

Inventor： PACE, Salvatore, J. ,  MAN, Piu, Francis ,  PATIL, Ajeeta, Pradip ,  TAN, Kah, Fatt

IPC: G01N27/414 ,  G01N33/18 ,  G01N33/543

CPC classification number: G01N27/4146 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  G01N27/414 ,  G01N27/4145 ,  H01L51/0048 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/748 ,  Y10S977/749 ,  Y10S977/752

公开(公告)号：WO2006073477A2

公开(公告)日：2006-07-13

申请号：PCT/US2005/018201

申请日：2005-05-24

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION ,  FORSCHUNGSZENTRUM JULICH GMBH ,  APPENZELLER, Joerg ,  KNOCH, Joachim

Inventor： APPENZELLER, Joerg ,  KNOCH, Joachim

IPC: H01L29/80

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/739 ,  H01L29/88 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0562 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/749 ,  Y10S977/755 ,  Y10S977/815 ,  Y10S977/855 ,  Y10S977/938

Abstract: A method of fabricating a tunneling nanotube field effect transistor includes forming in a nanotube an n-doped region and a p-doped region which are separated by an undoped channel region of the transistor. Electrical contacts are provided for the doped regions and a gate electrode that is formed upon a gate dielectric layer deposited on at least a portion of the channel region of the transistor.

Abstract translation: 制造隧道状纳米管场效应晶体管的方法包括在纳米管中形成由晶体管的未掺杂沟道区分离的n掺杂区域和p掺杂区域。 为掺杂区域提供电触点，以及形成在沉积在晶体管的沟道区域的至少一部分上的栅极电介质层上的栅电极。

公开(公告)号：WO2009055181A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：PCT/US2008/077419

申请日：2008-09-24

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION ,  HAIGHT, Richard A. ,  REUTER, Mark C.

Inventor： HAIGHT, Richard A. ,  REUTER, Mark C.

IPC: B82B3/00

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L21/22 ,  H01L21/2254 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  Y10S977/749 ,  Y10S977/762

Abstract: A catalyst particle on a substrate is exposed to reactants containing a semiconductor material in a reactor. An intrinsic semiconductor nanowire having constant lateral dimensions is grown at a low enough temperature so that pyrolysis of the reactant is suppressed on the sidewalls of the intrinsic semiconductor nanowire. Once the intrinsic semiconductor nanowire grows to a desired length, the temperature of the reactor is raised to enable pyrolysis on the sidewalls of the semiconductor nanowire, and thereafter dopants are supplied into the reactor with the reactant. A composite semiconductor nanowire having an intrinsic inner semiconductor nanowire and a doped semiconductor shell is formed. The catalyst particle is removed, followed by an anneal that distributes the dopants uniformly within the volume of the composite semiconductor nanowire, forming a semiconductor nanowire having constant lateral dimensions and a substantially uniform doping.

Abstract translation: 在反应器中将基材上的催化剂颗粒暴露于含有半导体材料的反应物。 具有恒定横向尺寸的本征半导体纳米线在足够低的温度下生长，使得反应物的热解被抑制在本征半导体纳米线的侧壁上。 一旦本征半导体纳米线生长到期望的长度，则升高反应器的温度以使得能够在半导体纳米线的侧壁上进行热解，然后将掺杂剂与反应物一起供入反应器中。 形成具有本征内半导体纳米线和掺杂半导体外壳的复合半导体纳米线。 除去催化剂颗粒，然后进行退火，将掺杂剂均匀地分布在复合半导体纳米线的体积内，形成具有恒定横向尺寸和基本均匀掺杂的半导体纳米线。

公开(公告)号：WO2006073477A3

公开(公告)日：2007-01-25

申请号：PCT/US2005018201

申请日：2005-05-24

Applicant: IBM ,  FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH ,  APPENZELLER JOERG ,  KNOCH JOACHIM

Inventor： APPENZELLER JOERG ,  KNOCH JOACHIM

IPC: H01B1/04 ,  H01L21/4763 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/76 ,  H01L29/80 ,  H01L29/88 ,  H01L51/00 ,  H01L51/30

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/739 ,  H01L29/88 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0562 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/749 ,  Y10S977/755 ,  Y10S977/815 ,  Y10S977/855 ,  Y10S977/938

Abstract: A method of fabricating a tunneling nanotube field effect transistor includes forming in a nanotube (202) an n-doped region (220) an a p-doped region (224) which are separated by an undoped channel region (222) of the transistor. Electrical contacts (208), (210) an (212) are provided for the doped regions and a gate electrode (206) that is formed upon a gate dielectric layer (204) deposited on at least a portion of the channel region of the transistor.

Abstract translation: 一种制造隧道状纳米管场效应晶体管的方法包括在纳米管（202）中形成由掺杂晶体管的未掺杂沟道区（222）分离的p掺杂区（224）的n掺杂区（220）。 为掺杂区域提供电触点（208），（210）an（212）和形成在沉积在晶体管的沟道区域的至少一部分上的栅极介电层（204）上的栅电极（206） 。

公开(公告)号：WO2004106223A1

公开(公告)日：2004-12-09

申请号：PCT/JP2003/013725

申请日：2003-10-27

Applicant: 富士ゼロックス株式会社 ,  平方 昌記 ,  磯崎 隆司 ,  岸 健太郎 ,  重松 大志 ,  真鍋 力 ,  穴澤 一則 ,  渡邊 浩之 ,  清水 正昭

Inventor： 平方 昌記 ,  磯崎 隆司 ,  岸 健太郎 ,  重松 大志 ,  真鍋 力 ,  穴澤 一則 ,  渡邊 浩之 ,  清水 正昭

IPC: B82B1/00

CPC classification number: H01L51/102 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/168 ,  C01B32/174 ,  H01L51/0018 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0049 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0595 ,  H01L51/5203 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S977/721 ,  Y10S977/726 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/749 ,  H01L2924/00

Abstract: 本発明は、カーボンナノチューブの電気的あるいは物理的な各種特性を効果的に生じさせることが可能なカーボンナノチューブデバイスを提供すべく、基体の表面に、少なくとも、複数のカーボンナノチューブが相互に架橋した網目構造を構成するカーボンナノチューブ構造体層が、任意のパターンで形成されてなるカーボンナノチューブデバイス、並びに、それを好適に製造し得るカーボンナノチューブデバイスの製造方法を提供する。

Abstract translation: 一种能够有效地发挥碳纳米管的各种电学和物理性质的碳纳米管装置。 具体地说，一种碳纳米管装置，其特征在于，包括基材，并且在其表面上以任意图案叠加至少一层构成相互交联的多个碳纳米管的网状结构的碳纳米管结构的层; 以及有效地制造这种碳纳米管装置的方法。