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    ARTIFICIAL DIELECTRICS USING NANOSTRUCTURES
    4.
    发明申请
    ARTIFICIAL DIELECTRICS USING NANOSTRUCTURES 审中-公开
    人造电子使用纳米结构

    公开(公告)号：WO2006110162A2

    公开(公告)日：2006-10-19

    申请号：PCT/US2005/029122

    申请日：2005-08-16

    申请人： NANOSYS, INC. ,  STUMBO, David ,  EMPEDOCLES, Steve ,  LEON, Francisco ,  PARCE, J. Wallace

    发明人： STUMBO, David ,  EMPEDOCLES, Steve ,  LEON, Francisco ,  PARCE, J. Wallace

    IPC分类号： H05B37/00

    CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G11C2213/16 ,  G11C2213/81 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/0537 ,  Y10S977/743 ,  Y10S977/745 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/813 ,  Y10S977/936

    摘要： Artificial dielectrics using nanostructures, such as nanowires, are disclosed. In embodiments, artificial dielectrics using other nanostructures, such as nanorods, nanotubes or nanoribbons and the like are disclosed. The artificial dielectric includes a dielectric material with a plurality of nanowires (or other nanostructures) embedded within the dielectric material. Very high dielectric constants can be achieved with an artificial dielectric using nanostructures. The dielectric constant can be adjusted by varying the length, diameter, carrier density, shape, aspect ration, orientation and density of the nanostructures. Additionally, a controllabe artificial dielectric using nanostructures, such as nanowires, is disclosed in which the dielectric constant can be dynamically adjusted by applying an electric field to the controllable artificial dielectric. A wide range of electronic devices can use artificial dielectrics with nanostructures to improve performance. Example devices include, capacitors thin film transistors, other types of thin film electronic devices, microstrip devices, surface acoustic wave (SAW) filters, other types of filters, and radar attenuating materials (RAM).

    摘要翻译： 公开了使用纳米结构的人造电介质，例如纳米线。 在实施例中，公开了使用其他纳米结构的人造电介质，例如纳米棒，纳米管或纳米带等。 人造电介质包括具有嵌入电介质材料内的多个纳米线（或其他纳米结构）的电介质材料。 使用纳米结构的人造电介质可以实现非常高的介电常数。 可以通过改变纳米结构的长度，直径，载流子密度，形状，方面比例，取向和密度来调节介电常数。 此外，公开了一种使用纳米结构的可控制人造电介质，例如纳米线，其中可以通过向可控的人造电介质施加电场来动态地调整介电常数。 各种电子器件可以使用具有纳米结构的人造电介质来提高性能。 示例性器件包括电容器薄膜晶体管，其他类型的薄膜电子器件，微带器件，表面声波（SAW）滤波器，其它类型的滤波器和雷达衰减材料（RAM）。

    CARBON NANOTUBE SUBSTRATES AND CATALYZED HOT STAMP FOR POLISHING AND PATTERNING THE SUBSTRATES
    5.
    发明申请
    CARBON NANOTUBE SUBSTRATES AND CATALYZED HOT STAMP FOR POLISHING AND PATTERNING THE SUBSTRATES 审中-公开
    碳纳米管基材和催化热烫印刷，用于抛光和图案化基板

    公开(公告)号：WO2006086074A2

    公开(公告)日：2006-08-17

    申请号：PCT/US2005045740

    申请日：2005-12-14

    申请人： UNIV RICE WILLIAM M ,  WANG YUHUANG ,  HAUGE ROBERT H ,  SCHMIDT HOWARD K ,  KIM MYUNG JONG ,  KITTRELL W CARTER

    发明人： WANG YUHUANG ,  HAUGE ROBERT H ,  SCHMIDT HOWARD K ,  KIM MYUNG JONG ,  KITTRELL W CARTER

    IPC分类号： C01B31/02

    CPC分类号： B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/168 ,  C01B2202/02 ,  Y10S977/745

    摘要： The present invention is generally directed to catalyzed hot stamp methods for polishing and/or patterning carbon nanotube-containing substrates. In some embodiments, the substrate, as a carbon nanotube fiber end, is brought into contact with a hot stamp (typically at 200-800 °C), and is kept in contact with the hot stamp until the morphology/patterns on the hot stamp have been transferred to the substrate. In some embodiments, the hot stamp is made of material comprising one or more transition metals (Fe, Ni, Co, Pt, Ag, Au, etc.), which can catalyze the etching reaction of carbon with H 2 , CO 2 , H 2 O, and/or O 2 . Such methods can (1) polish the carbon nanotube-containing substrate with a microscopically smooth finish, and/or (2) transfer pre-defined patterns from the hot stamp to the substrate. Such polished or patterned carbon nanotube substrates can find application as carbon nanotube electrodes, field emitters, and field emitter arrays for displays and electron sources.

    摘要翻译： 本发明一般涉及用于研磨和/或构图含碳纳米管的基底的催化热印方法。 在一些实施例中，作为碳纳米管纤维端的衬底与热压印（通常在200-800℃）接触，并且与热压印件保持接触，直到热标记上的形态/图案 已经转移到基底。 在一些实施例中，热压印由包含一种或多种过渡金属（Fe，Ni，Co，Pt，Ag，Au等）的材料制成，其可以催化碳与H 2的蚀刻反应， CO 2 CO 2，H 2 O和/或O 2。 这样的方法可以（1）用微观平滑光洁度抛光含碳纳米管的基底，和/或（2）将预定义的图案从热印刷转印到基底上。 这种抛光或图案化的碳纳米管基底可以用作碳纳米管电极，场致发射体和用于显示器和电子源的场发射极阵列。

    ARTIFICIAL DIELECTRICS USING NANOSTRUCTURES
    9.
    发明申请
    ARTIFICIAL DIELECTRICS USING NANOSTRUCTURES 审中-公开
    人造电子使用纳米结构

    公开(公告)号：WO2006110162A3

    公开(公告)日：2007-09-13

    申请号：PCT/US2005029122

    申请日：2005-08-16

    申请人： NANOSYS INC ,  STUMBO DAVID ,  EMPEDOCLES STEVE ,  LEON FRANCISCO ,  PARCE J WALLACE

    发明人： STUMBO DAVID ,  EMPEDOCLES STEVE ,  LEON FRANCISCO ,  PARCE J WALLACE

    IPC分类号： H01L21/20 ,  B32B15/04 ,  H01L21/335 ,  H01L27/108 ,  H01L29/00 ,  H01L29/08 ,  H01L29/76

    CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G11C2213/16 ,  G11C2213/81 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/0537 ,  Y10S977/743 ,  Y10S977/745 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/813 ,  Y10S977/936

    摘要： Artificial dielectrics using nanostructures, such as nanowires, are disclosed. In embodiments, artificial dielectrics using other nanostructures, such as nanorods, nanotubes or nanoribbons and the like are disclosed. The artificial dielectric includes a dielectric material with a plurality of nanowires (or other nanostructures) embedded within the dielectric material. Very high dielectric constants can be achieved with an artificial dielectric using nanostructures. The dielectric constant can be adjusted by varying the length, diameter, carrier density, shape, aspect ration, orientation and density of the nanostructures. Additionally, a controllabe artificial dielectric using nanostructures, such as nanowires, is disclosed in which the dielectric constant can be dynamically adjusted by applying an electric field to the controllable artificial dielectric. A wide range of electronic devices can use artificial dielectrics with nanostructures to improve performance. Example devices include, capacitors thin film transistors, other types of thin film electronic devices, microstrip devices, surface acoustic wave (SAW) filters, other types of filters, and radar attenuating materials (RAM).

    摘要翻译： 公开了使用纳米结构的人造电介质，例如纳米线。 在实施例中，公开了使用其他纳米结构的人造电介质，例如纳米棒，纳米管或纳米带等。 人造电介质包括具有嵌入电介质材料内的多个纳米线（或其他纳米结构）的电介质材料。 使用纳米结构的人造电介质可以实现非常高的介电常数。 介电常数可以通过改变纳米结构的长度，直径，载流子密度，形状，长宽比，取向和密度来调节。 另外，公开了使用纳米线等纳米结构的控制人造电介质，其中通过向可控人造电介质施加电场可以动态地调节介电常数。 各种电子器件可以使用具有纳米结构的人造电介质来提高性能。 示例性器件包括电容器薄膜晶体管，其他类型的薄膜电子器件，微带器件，表面声波（SAW）滤波器，其他类型的滤波器和雷达衰减材料（RAM）。