公开(公告)号：WO2020194971A1

公开(公告)日：2020-10-01

申请号：PCT/JP2019/051215

申请日：2019-12-26

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 宮崎　裕司

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/08 ,  B24B49/03 ,  H01L21/304

Abstract: 本発明のワークの両面研磨方法は、前バッチでの両面研磨後に、該両面研磨を行ったワークに対して指標Ｘｐを算出する、研磨前指標算出工程と、所定の予測式を用いて、前記現バッチでの目標研磨時間を算出する、目標研磨時間算出工程と、前記目標研磨時間を用いて、ワークを両面研磨する、両面研磨工程と、を含む。また、本発明のワークの両面研磨装置は、前バッチでの両面研磨後に、該両面研磨を行った前記ワークの厚さを測定する、測定部と、指標Ｘｐを算出する、第１の計算部と、所定の予測式を用いて、前記現バッチでの目標研磨時間Ｔｔを算出する、第２の計算部と、前記目標研磨時間Ｔｔを用いて、前記ワークを両面研磨するように制御する、制御部と、を備える。

公开(公告)号：WO2018074091A1

公开(公告)日：2018-04-26

申请号：PCT/JP2017/032306

申请日：2017-09-07

Applicant: 株式会社 荏原製作所

Inventor： 武田　晃一 ,  鳥越　恒男 ,  大石　邦夫 ,  渡辺　和英 ,  安田　穂積 ,  石井　遊

IPC: B24B49/04 ,  B24B37/005 ,  B24B37/12 ,  B24B49/03 ,  B24B55/06 ,  H01L21/304

Abstract: 局所研磨システムは、ウェハの膜厚分布を推定するパーティクル推定部（３０）と、膜厚分布に基づいて、ウェハの局所研磨部位を設定する局所研磨部位設定部（１１）と、局所研磨部位の大きさに基づいて研磨ヘッドを選択する研磨ヘッド選択部（１２）と、局所研磨部位の属性を入力ノード、研磨処理のレシピを出力ノードとして、入力ノードと出力ノードとの関係を規定したレシピ生成モデルを記憶したモデル記憶部（２０）と、局所研磨部位設定部（１１）にて設定された局所研磨部位の属性をレシピ生成モデルの入力ノードに適用して、局所研磨部位を研磨する研磨レシピを求める研磨レシピ生成部（１３）と、局所的に研磨を行う局所研磨モジュール（２００）に、研磨レシピのデータを送信する研磨レシピ送信部（１５）とを備える。

Abstract translation:

局部抛光系统，所述颗粒估计器，用于估计所述晶片（30）的厚度分布基础上的膜厚分布，局部抛光位置设置单元，用于设置晶片的局部抛光站点（ 和11），抛光头选择器，用于选择基于所述局部抛光位点（12），所述局部抛光站点的输入节点的属性的大小抛光头，作为输出节点的食谱抛光过程中，输入和输出节点 模型存储单元，其通过将所设定在局部抛光部位设置单元（11）的配方生成模型的输入节点的本地抛光位置的属性存储定义的（20）之间的关系的配方创建模型， 一种用于找到用于抛光局部抛光部位的抛光配方的抛光配方生成器（13）以及用于将抛光配方的数据发送到局部抛光模块（200）以用于局部抛光的抛光配方发送器 5）和一个。

公开(公告)号：WO2015105055A1

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：PCT/JP2015/000080

申请日：2015-01-09

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 福原　史也

IPC: B24B49/03 ,  B23Q17/24 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B49/12 ,  B24B37/28

Abstract: 　本発明のワークの厚さ測定装置は、研磨後のワークの少なくとも一部を液体に浸す液体浸漬器と、対向して配置され、前記ワークの前記液体に浸された部分の表面までの距離を測定可能な２つ以上の測定器と、を備える。また、本発明のワークの厚さ測定方法は、研磨後のワークの少なくとも一部を液体に浸す工程と、前記ワークの少なくとも一部が前記液体に浸った状態で、前記ワークを挟んで対向して配置され、前記ワークの前記液体に浸された部分の表面までの距離を測定可能な２つ以上の測定器により、前記ワークの厚さを測定する工程と、を含む。本発明のワークの研磨装置は、上記測定装置又は測定方法により測定された、前記ワークの厚さの情報を受け取る受信部と、前記ワークの厚さの情報に基づいて、研磨レシピの切り替え又は研磨条件のパラメータの補正を行う演算部と、を備える。

Abstract translation: 工件厚度测量装置设置有：在抛光之后将工件的至少一部分浸入液体中的液浸装置; 以及两个或更多个被设置为彼此面对并且能够测量到浸没在液体中的工件的表面的距离的测量装置。 还提供了一种工件厚度测量方法，包括：在抛光后将工件的至少一部分浸入液体中的步骤; 并且在将工件的至少一部分浸入液体的同时测量工件的厚度的步骤，所述工件由两个或更多个被设置为彼此面对的测量装置测量，并且能够测量 到浸入液体的工件表面的距离。 还提供了一种工件抛光装置，包括：接收单元，其接收关于工件的厚度的信息，所述厚度由上述测量装置测量或测量方法; 以及计算单元，其基于关于工件的厚度的信息来校正抛光配方或抛光条件参数的切换。

公开(公告)号：WO01074532A1

公开(公告)日：2001-10-11

申请号：PCT/IT2000/000115

申请日：2000-03-30

IPC: B24B49/04 ,  B24B37/04 ,  B24B49/03 ,  B24B51/00 ,  H01L21/304 ,  B24B1/00

CPC classification number: B24B37/042 ,  B24B37/04 ,  B24B49/03 ,  B24B51/00

Abstract: The method comprises the steps of mounting a first wafer (13) on the mounting member (12) and securing the mounting member to the hub (16) by drawing a vacuum at a first vacuum pressure through the hub; rotating the hub about the hub axis (AH), rotating a polishing pad (34) mounted on the turntable (30) about the turntable axis (at), and bringing a surface of the wafer (13) and the polishing pad into contact with each other. The wafer (16) is demounted, and the shape of the polished wafer is determined. A second vacuum pressure is selected using the information obtained. A successive wafer is polished according to the same method as the first wafer except that the second vacuum pressure is substituted for the first vacuum pressure. The second vacuum pressure is sufficient to deform the mounting member (12) thereby deform the wafer to improve the flatness and parallelism of the surfaces of the successive wafer.

Abstract translation: 该方法包括以下步骤：将第一晶片（13）安装在安装构件（12）上，并通过在第一真空压力下通过该毂抽真空，将安装构件固定到轮毂（16）上; 围绕所述轮毂轴线（AH）旋转所述轮毂，使安装在所述转盘（30）上的抛光垫（34）围绕所述转盘轴线（at）旋转，并且使所述晶片（13）的表面和所述抛光垫与 彼此。 拆下晶片（16），并确定抛光晶片的形状。 使用获得的信息选择第二真空压力。 除了第二真空压力代替第一真空压力之外，根据与第一晶片相同的方法对连续的晶片进行抛光。 第二真空压力足以使安装构件（12）变形，从而使晶片变形，以改善连续晶片的表面的平坦度和平行度。

公开(公告)号：WO2020055571A1

公开(公告)日：2020-03-19

申请号：PCT/US2019/047829

申请日：2019-08-23

Applicant: GLOBALWAFERS CO., LTD. ,  YOSHIMURA, Ichiro

Inventor： YOSHIMURA, Ichiro ,  CHU, Alex ,  CHIU, H.J. ,  BHAGAVAT, Sumeet ,  TAEHYEONG, Kim ,  KATAKURA, Norimasa ,  KITAZAWA, Masaru

IPC: B24B9/06 ,  B24B49/04 ,  B24B37/005 ,  B24B37/20 ,  B24B49/03

Abstract: Methods for polishing semiconductor substrates that involve adjusting the finish polishing sequence based on the pad-to-pad variance of the polishing pad are disclosed.

公开(公告)号：WO2017035190A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：PCT/US2016/048316

申请日：2016-08-24

Applicant: ADCOLE CORPORATION

Inventor： RICHARDS, Paul, D. ,  CORRADO, Stephen, J.

IPC: B24B49/02 ,  B24B49/04 ,  B24B49/03

CPC classification number: G01B5/0002 ,  G01B5/003 ,  G01B5/008

Abstract: A measuring device includes a rotatable stage configured to receive and rotate an object long a rotational axis of the object. A housing is located adjacent to the rotatable stage and is movable along the rotational axis of the object. The housing has a pivoting arm located between a pair of opposing compression springs which are configured to provide a preload force in a direction parallel to the rotational axis of the object. A probe tip is coupled to the pivoting arm and extends from the housing, the probe tip configured to contact a portion of the object. A displacement measuring device is coupled to the pivoting arm and is configured to measure displacement of the probe tip in the direction parallel to the rotational axis of the object based on movement of the pivoting arm against one of the opposing compression springs.

Abstract translation: 测量装置包括可旋转台，其被配置为在物体的旋转轴线上长时间地接收和旋转物体。 壳体位于可旋转台附近并且可沿物体的旋转轴线移动。 壳体具有位于一对相对的压缩弹簧之间的枢转臂，该弹簧构造成在平行于物体的旋转轴线的方向上提供预载力。 探针尖端联接到枢转臂并从壳体延伸，探针尖端被配置为接触物体的一部分。 位移测量装置联接到枢转臂，并且构造成基于枢转臂相对于相对的压缩弹簧之一的移动来测量探针尖端在平行于物体的旋转轴线的方向上的位移。

公开(公告)号：WO2011133386A3

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：PCT/US2011032447

申请日：2011-04-14

Applicant: APPLIED MATERIALS INC ,  DHANDAPANI SIVAKUMAR ,  QIAN JUN ,  COCCA CHRISTOPHER D ,  FUNG JASON GARCHEUNG ,  CHANG SHOU-SUNG ,  GARRETSON CHARLES C ,  MENK GREGORY E ,  TSAI STAN D

Inventor： DHANDAPANI SIVAKUMAR ,  QIAN JUN ,  COCCA CHRISTOPHER D ,  FUNG JASON GARCHEUNG ,  CHANG SHOU-SUNG ,  GARRETSON CHARLES C ,  MENK GREGORY E ,  TSAI STAN D

IPC: B24B37/00 ,  B24B49/03 ,  B24B53/007 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B53/017 ,  B24B37/042

Abstract: Embodiments described herein use closed-loop control (CLC) of conditioning sweep to enable uniform groove depth removal across the pad, throughout pad life. A sensor integrated into the conditioning arm enables the pad stack thickness to be monitored in-situ and in real time. Feedback from the thickness sensor is used to modify pad conditioner dwell times across the pad surface, correcting for drifts in the pad profile that may arise as the pad and disk age. Pad profile CLC enables uniform reduction in groove depth with continued conditioning, providing longer consumables lifetimes and reduced operating costs.

Abstract translation: 本文描述的实施例使用调节扫描的闭环控制（CLC），以在整个衬垫寿命期间跨越焊盘实现均匀的凹槽深度去除。 集成到调节臂中的传感器使得可以在现场和实时监测焊盘堆叠厚度。 来自厚度传感器的反馈用于修改焊盘表面上的焊盘调节器停留时间，以校正可能随焊盘和磁盘寿命而出现的焊盘轮廓中的漂移。 焊盘轮廓CLC可以通过持续的调节来均匀地减小槽深度，提供更长的消耗品寿命和降低的操作成本。

公开(公告)号：WO2007090871A1

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：PCT/EP2007/051228

申请日：2007-02-08

Applicant: KLINGELNBERG GMBH ,  RIBBECK, Karl Martin ,  KÖNIG, Torsten

Inventor： RIBBECK, Karl Martin ,  KÖNIG, Torsten

IPC: B23F9/10 ,  B23F23/10 ,  B23F23/12 ,  B24B49/03

CPC classification number: B24B53/085 ,  B23F17/003 ,  B23F23/10 ,  B23F23/1218 ,  B24B49/03 ,  Y02P70/175 ,  Y10T29/49476 ,  Y10T409/104134 ,  Y10T409/300896

Abstract: Die Erfindung betrifft Vorrichtungen zum Bearbeiten von Kegelrädern im teilenden Verfahren und Verfahren zur teilenden Bearbeitung von Zahnrädern, wobei der fertigungsbedingte Teilungsfehler kompensiert wird. Die Vorrichtung (20) umfasst eine Schnittstelle (11, 12) und ist über diese Schnittstelle (11, 12) mit einem Messsystem (10) verbindbar, wobei die Schnittstelle so ausgelegt ist, dass die Vorrichtung (20) von dem Messsystem (10) Korrekturwerte oder Korrekturfaktoren in einer Form übernehmen kann, um anhand dieser Korrekturwerte oder Korrekturfaktoren ursprünglich in einem Speicher (51) der Vorrichtung (20) vorhandene Masterdaten oder Neutraldaten anpassen zu können, bevor eine Fertigung von einem oder mehreren Kegelrädern (31) auf der Vorrichtung (20) eingeleitet wird.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于在索引方法锥齿轮加工装置和方法，用于将齿轮的制造方法，其中所述生产相关的螺距误差进行补偿。 的装置（20）包括通过该接口（11，12）与测量系统的接口（11，12）和（10），可连接，所述接口被设计为使得测量系统的设备（20）（10） 修正值或校正因子可以在模具中最初基于在装置（20），以适应现有的主数据或中性的数据的存储器（51）这些校正值或校正因子在设备上接管的制造前（的一个或多个锥齿轮（31） 20）开始。

公开(公告)号：WO02017381A2

公开(公告)日：2002-02-28

申请号：PCT/EP2001/009648

申请日：2001-08-20

IPC: B24B1/00 ,  B24B37/04 ,  B24B49/03 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/66

CPC classification number: B24B37/042 ,  B24B49/03 ,  B24B49/12 ,  H01L21/31053

Abstract: A method for preventing the drying of a residue on a wafer surface in a multiple stage polishing operation increases wafer processing throughput and extends the useful life of polishing pads used in a CMP operation. The method includes detecting a polishing endpoint for a wafer polished in a second polishing step following a first polishing operation for the wafer. Endpoint detection terminates polishing of another wafer in the first polishing operation and triggers overpolishing of the prior wafer in the second polishing operation. After a set period, overpolishing of the prior wafer in the second polishing operation ends. Finally each of the wafers moves to a subsequent processing operation, which may include a polishing operation or a buffing operation. One of the advantages of the invention is the maximization of total platen pad usage between platen pad changes since total processing time has been increased for the same polishing pads, thus permitting polishing of greater numbers of wafers between platen pad changes.

Abstract translation: 在多级抛光操作中防止晶片表面残留物的干燥的方法增加了晶片处理的生产量并且延长了CMP操作中使用的抛光垫的使用寿命。 该方法包括检测在晶片的第一抛光操作之后在第二抛光步骤中抛光的晶片的抛光端点。 端点检测在第一抛光操作中终止另一晶片的抛光，并且在第二抛光操作中触发先前晶片的过度抛光。 在一定时间段之后，在第二次抛光操作中对现有晶片的抛光结束。 最后，每个晶片移动到随后的处理操作，其可以包括抛光操作或抛光操作。 本发明的一个优点在于，由于对于相同的抛光垫已经增加了总处理时间，所以压板垫变化之间的总压板垫的使用最大化，从而允许在压板垫变化之间抛光更多数量的晶片。

公开(公告)号：WO2013045484A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：PCT/EP2012/068947

申请日：2012-09-26

Applicant: FRITZ STUDER AG ,  GAEGAUF, Fred

Inventor： GAEGAUF, Fred

IPC: B24B1/00 ,  B24B5/04 ,  B24B5/42 ,  B24B19/12 ,  B24B49/02 ,  B23Q17/20 ,  G01B21/12 ,  B23B25/06 ,  B24B49/03

CPC classification number: B24B49/045 ,  B23Q17/20 ,  B23Q17/2233 ,  B24B5/04 ,  B24B5/42 ,  B24B19/125 ,  B24B49/03 ,  B24B49/10 ,  G01B3/30 ,  G01B21/12

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Werkzeugmaschine, insbesondere eine Schleifmaschine, und ein Verfahren zur Vermessung eines Werkstücks, insbesondere eines Werkstückdurchmessers, in einer Werkzeugmaschine, insbesondere einer Schleifmaschine, die eine Werkstückaufnahme (14), eine Werkzeugeinheit (28), eine Messeinrichtung (48) und eine Steuereinrichtung (56) aufweist, die mit der Messeinrichtung (48) und der Werkzeugeinheit (28) koppelbar ist, wobei die Messeinrichtung (48) an der Werkzeugeinheit (28) aufgenommen ist und zumindest zwei Messtaster (66, 68) aufweist, wobei die zumindest zwei Messtaster (66, 68) in einer Messkonfiguration einen Basisabstand (86) voneinander aufweisen, der einen Messbereich (78) definiert, wobei der Basisabstand (86) größer als ein bekanntes Referenzmaß (84) eines Referenzwerkstücks gewählt ist, wobei die Steuereinrichtung (56) dazu ausgebildet ist, das Abtasten des Werkstücks so zu steuern, dass zunächst ein erster Messtaster (66) der zumindest zwei Messtaster (66, 68), entlang der Zustellachse (70) verfahren wird, bis eine Messung erfolgen kann und anschliessend das Werkstück auf der gegenüberliegenden Seite durch einen zweiten Messtaster (68) der zumindest zwei Messtaster (66, 68) angetastet wird, indem die Werkzeugeinheit entsprechend entlang der Zustellachse (70) verfahren wird, wobei die Steuereinrichtung (56) dazu ausgebildet ist an den zumindest zwei Messtastern (66, 68) detektierte Werte zu erfassen, eine Ist-Lage der Werkzeugeinheit (28) zu erfassen, und auf Basis eines Verfahrweges (98) der Werkzeugeinheit (28) beim Antasten eines Werkstücks (96), das in den Messbereich (78) eingebracht ist, unter Berücksichtigung des Referenzmaßes (84) und/oder des Basisabstands (86) einen Ist-Abstand (100) des Werkstücks, insbesondere einen Ist-Durchmesser, zu ermitteln.

Abstract translation: 本发明涉及一种机床，特别是研磨机，并用于工件，尤其是工件直径，在机床中的测量的方法，特别是研磨机，工件支架（14），一个工具单元（28），测量装置（48）和一个 包括控制装置（56）连接到所述测量装置（48）和所述工具单元（28）可耦合，其中，所述工具装置上的测量装置（48）（28）被接收，并且至少两个探针（66，68），其中所述至少 两个探针（66，68）在测量配置中，彼此基本间距（86）包括限定了测量范围（78），其中，所述基部的距离（86）大于参考工件的已知参考距离（84）被选择时，所述控制装置（56 ）适于控制所述至少两个M的工件，使得最初的第一探针（66）的扫描 该过程esstaster（66，68）沿进给轴（70），直到测量可以进行，然后由所述至少两个探头（66，68）的一个第二探针（68）的相反侧的工件被触摸 根据沿所述进给轴（70），其中，所述控制装置（56）适于在所述至少两个探针（66，68）来检测的检测值，以检测所述工具单元（28）的实际位置，并在此基础上过程工具单元 刀具单元（28）的用于探测一个工件（96），其在测量范围内（78）结合，考虑到基准度量（84）和/或基座间隔（86）的实际距离的横向（98）（100） 以确定所述工件，特别是实际的直径。