FILTER MATERIAL
    1.
    发明申请
    FILTER MATERIAL 审中-公开

    公开(公告)号:WO2023083394A1

    公开(公告)日:2023-05-19

    申请号:PCT/CZ2022/000034

    申请日:2022-08-25

    Inventor: OLEJAR, Lubomír

    Abstract: The matter of the invention is a filter material that is made of a nanofibrous layer of polyvinylalcohol, a non-woven fabric made of polyvinylalcohol is used as a carrier of our filter material, which creates the overall filter product. The filter material is the only synthetic polymer that has a chain made of carbon-carbon bonds and is degradable, whereas H2O and CO2 are the degradation products. Physico-chemical properties, minimal toxicity and biodegradability predetermine the material not only for use in the biomedical and pharmaceutical industries. The filter material, including the nanofibrous layer, meets ecological requirements regarding the environment, their subsequent disposal does not burden the environment.

    銀ナノワイヤの製造方法
    2.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2022004762A1

    公开(公告)日:2022-01-06

    申请号:PCT/JP2021/024656

    申请日:2021-06-30

    Abstract: [課題]細い銀ナノワイヤを容易に製造することのできる銀ナノワイヤの製造方法等を提供すること。 [解決手段]ハロゲン化物イオンおよび溶媒(b)を含有し、前記ハロゲン化物イオンが塩化物イオンを実質的に含有せず、前記ハロゲン化物イオンの97.0モル%以上が臭化物イオンである原料溶液(B)に、銀イオンおよび溶媒(a)を含有する原料溶液(A)を、(銀イオンの添加速度[mol/min]に換算した原料溶液(A)の添加速度)/(原料溶液(B)中のハロゲン化物イオンの量[mol])×100の値が6.0[min-1]以下となる期間を含むように添加することにより、得られた、塩化物イオンを実質的に含有しない混合溶液中に、銀ナノワイヤを形成させる工程を含む銀ナノワイヤの製造方法。

    発電素子
    3.
    发明申请
    発電素子 审中-公开

    公开(公告)号:WO2022004757A1

    公开(公告)日:2022-01-06

    申请号:PCT/JP2021/024648

    申请日:2021-06-29

    Inventor: 角五 彰

    Abstract: 化学エネルギーを利用して発電する発電素子において従来より微小化が可能である。 モータータンパク質3で表面が被覆された基材2と、微小管又はアクチン繊維からなり、アデノシン三リン酸が添加されると移動するように基材2上に配置されたフィラメント4と、フィラメント4に付着した磁気ビーズ5と、磁気ビーズが発生させる磁界中に配置され、フィラメント4の移動に起因して誘導起電力が発生するコイル7と、を備えている。

    СОЛНЕЧНЫЙ КОЛЛЕКТОР
    4.
    发明申请
    СОЛНЕЧНЫЙ КОЛЛЕКТОР 审中-公开
    太阳能收集器

    公开(公告)号:WO2016043631A1

    公开(公告)日:2016-03-24

    申请号:PCT/RU2015/000586

    申请日:2015-09-17

    CPC classification number: B82Y99/00 F24S10/50 F24S80/50 Y02E10/44

    Abstract: Изобретение относится к области энергетики, а именно к области использования солнечной энергии, и может быть применено в солнечных коллекторах с использованием энергии солнечного излучения в качестве источника теплового излучения. Техническим результатом изобретения является снижение теплопотерь и увеличение эффективности преобразования солнечной энергии. Солнечный коллектор включает корпус, выполненный из двух, по крайней мере, однокамерных стеклопакетов, соединенных герметичной рамкой. Рамка выполнена с возможностью образовывать заполненное высокотемпературным теплоносителем герметичное пространство между стеклопакетами с узлом подачи высокотемпературного теплоносителя и узлом выхода высокотемпературного теплоносителя. При этом стеклопакеты выполнены вакуумными.

    Abstract translation: 本发明涉及电力工程领域,更具体地涉及太阳能利用领域,并且可以用于使用太阳辐射能量作为热辐射源的太阳能收集器。 本发明的技术结果是减少了热损失并提高了太阳能转换效率。 太阳能收集器包括由两个至少单腔绝缘玻璃单元形成的主体,其通过密封框架连接。 框架被设计成使得可以在绝热玻璃单元之间形成填充有高温传热介质的气密密封空间,以及用于供应高温传热介质的组件和用于排出高温传热介质的组件, 温度传热介质。 绝缘玻璃单元设有真空。

    НАНОЧАСТИЦЫ АНТИПИРЕНА ГИДРОКСИДА МАГНИЯ И СПОСОБ ИХ ПРОИЗВОДСТВА
    6.
    发明申请
    НАНОЧАСТИЦЫ АНТИПИРЕНА ГИДРОКСИДА МАГНИЯ И СПОСОБ ИХ ПРОИЗВОДСТВА 审中-公开
    氢氧化镁消防剂纳米粒子及其生产方法

    公开(公告)号:WO2015065241A1

    公开(公告)日:2015-05-07

    申请号:PCT/RU2014/000746

    申请日:2014-10-06

    Abstract: Частицы антипирена гидроксида магния, в том числе поверхностно обработанные, имеют гексагональную пластинчатую структуру с удельной площадью поверхности не более 20 м 2 /г, средний диаметр вторичных частиц не более 2 мкм, диаметр 10% вторичных частиц не более 0,8 мкм, диаметр 90% вторичных частиц не более 5 мкм, продольный размер первичных частиц от 150 до 900 нм и толщину от 15 до 150 нм. На первой стадии производства указанных частиц осуществляют взаимодействие водного раствора хлорида магния с щелочным компонентом при температуре не выше 100°С и атмосферном давлении при мольном отношении ионов OH":Mg ++ , равном (1,9-2, 1): 1. На второй стадии проводят гидротермальную перекристаллизацию частиц Mg(OH) 2 при температуре 120-220°С, давлении 0,18-2,3 МПа в течение 2-24 ч. При этом реакционную массу подвергают периодическим гидроударам перегретым паром с температурой 160-240°С и давлением 0,6-3,3 МПа. Изобретение позволяет получить частицы гидроксида магния с регулируемыми размерами для их применения в полимерных матрицах без снижения механических свойств полимеров.

    Abstract translation: 氢氧化镁阻燃剂颗粒,包括那些经表面处理的颗粒,其具有不超过20m 2 / g的比表面积的六边形板状结构,二次颗粒的平均直径不超过2微米,直径为10% 次级颗粒不超过0.8微米,二次颗粒的直径不超过5微米,初级颗粒的纵向尺寸在150和900纳米之间,厚度在15和150纳米之间。 生产所述颗粒的第一阶段包括在不超过100℃的温度和大气压下使氯化镁水溶液与碱性试剂反应,OH-:Mg ++离子的摩尔比等于(1.9-2.1): 1。 第二阶段涉及在120-220℃的温度和0.18-2.3MPa的压力下2至24小时之间的Mg(OH)2颗粒的水热重结晶。 反应物质周期性地受到温度为160-240℃,压力为0.6-3.3MPa的过热蒸气的水力冲击。 本发明允许生产具有可调节尺寸的氢氧化镁颗粒,用于将其施加到聚合物基质上,而不损害聚合物的机械性能。

    NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING A TUNNEL OXIDE AS A PASSIVE CURRENT STEERING ELEMENT
    7.
    发明申请
    NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING A TUNNEL OXIDE AS A PASSIVE CURRENT STEERING ELEMENT 审中-公开
    使用隧道式氧化物作为被动电流转向元件的非易失性存储器件

    公开(公告)号:WO2013109954A2

    公开(公告)日:2013-07-25

    申请号:PCT/US2013/022242

    申请日:2013-01-18

    Abstract: Embodiments of the invention generally include a method of forming a nonvolatile memory device that contains a resistive switching memory element that has improved device switching performance and lifetime, due to the addition of a current limiting component disposed therein. The electrical properties of the current limiting component are configured to lower the current flow through the variable resistance layer during the logic state programming steps by adding a fixed series resistance in the resistive switching memory element of the nonvolatile memory device. In one embodiment, the current limiting component comprises a tunnel oxide that is a current limiting material disposed within a resistive switching memory element in a nonvolatile resistive switching memory device. Typically, resistive switching memory elements may be formed as part of a high-capacity nonvolatile memory integrated circuit, which can be used in various electronic devices, such as digital cameras, mobile telephones, handheld computers, and music players.

    Abstract translation: 本发明的实施例通常包括形成非易失性存储器件的方法,该非易失性存储器件包含由于添加限定在其中的限流部件的添加而具有改进的器件切换性能和寿命的电阻式开关存储元件。 限流部件的电气特性被配置为在逻辑状态编程步骤期间通过在非易失性存储器件的电阻式开关存储器元件中添加固定串联电阻来降低通过可变电阻层的电流。 在一个实施例中,限流部件包括隧道氧化物,隧道氧化物是设置在非易失性电阻式开关存储器件中的电阻式开关存储器元件内的限流材料。 通常,电阻式开关存储器元件可以形成为可用于各种电子设备(例如数码相机,移动电话,手持式计算机和音乐播放器)的大容量非易失性存储器集成电路的一部分。

    METHOD FOR GENERATING SPIN WAVES
    9.
    发明申请
    METHOD FOR GENERATING SPIN WAVES 审中-公开
    产生旋转波的方法

    公开(公告)号:WO2012087183A3

    公开(公告)日:2012-09-13

    申请号:PCT/RU2011001000

    申请日:2011-12-19

    CPC classification number: H01L45/02 B82Y10/00 H01L43/00 H01L51/0045

    Abstract: In the method, a pre-selected working area of a graphene film with a linear dimension of 2,000 nm, which working area is divided into sections having a dimension of 50-100 nm, is subjected to the effect of a pulsed alternating magnetic field with a frequency of 3 terahertz that corresponds to the transition from a ground energy level, corresponding to the non-excited state of spin density, to a fourth working energy level of the excited state of spin density in the graphene film, thus causing spin density pumping. A spatially localized external magnetic field is generated around the edges of the working area, which resonantly reflects spinons with a working frequency of 0.5-1 terahertz that corresponds to the transition from a third working energy level to a second working energy level of the excited state of spin density, said spinons causing the induced coherent radiation of working frequency spin waves as they pass through the working area.

    Abstract translation: 在该方法中,将工作区域划分成50-100nm的尺寸的线性尺寸为2000nm的石墨烯膜的预选工作区域受到脉冲交变磁场的影响, 对应于对应于自旋密度的非激发态的接地能级的转变的3太赫兹的频率到石墨烯膜中的自旋密度的激发态的第四工作能级,从而引起自旋密度泵送 。 在工作区域的边缘周围产生空间局部的外部磁场,其共振地以0.5-1太赫兹的工作频率反射螺旋线,该工作频率对应于从第三工作能量级到激发态的第二工作能级的转变 的自旋密度,所述螺旋线在工作频率自旋波通过工作区域时引起感应的相干辐射。

    METHOD OF FORMING NANODIELECTRICS
    10.
    发明申请
    METHOD OF FORMING NANODIELECTRICS 审中-公开
    形成纳米电子的方法

    公开(公告)号:WO2012064488A1

    公开(公告)日:2012-05-18

    申请号:PCT/US2011/057213

    申请日:2011-10-21

    CPC classification number: C01G9/02 B82Y30/00 C01G23/047 C01P2004/64

    Abstract: A method of making a nanoparticle filled dielectric material. The method includes mixing nanoparticle precursors with a polymer material and reacting the nanoparticle precursors mixed with the polymer material to form nanoparticles dispersed within the polymer material to form a dielectric composite.

    Abstract translation: 制备纳米颗粒填充介电材料的方法。 该方法包括将纳米颗粒前体与聚合物材料混合并使与纳米颗粒前体与聚合物材料混合以形成分散在聚合物材料内的纳米颗粒前体以形成电介质复合材料。

Patent Agency Ranking