公开(公告)号：WO2022058371A1

公开(公告)日：2022-03-24

申请号：PCT/EP2021/075362

申请日：2021-09-15

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.

Inventor： PFAENDNER, Rudolf

IPC: C08K5/00 ,  C08K5/13 ,  C08F12/24 ,  C08F212/14 ,  C08L23/12

Abstract: Organische Materialien wie Kunststoffe unterliegen Alterungsvorgängen, die letztendlich zu einem Verlust der erwünschten Eigenschaften wie z. B. der mechanischen Kennwerte führen. Dieser Autoxidation genannte Vorgang führt ausgehend von radikalischen Kettenspaltungen durch mechanochemische Prozesse oder durch UV‐Strahlung in Gegenwart von Sauerstoff zu Veränderungen der Polymerkette, wie z. B. im Molekulargewicht oder der Bildung neuer chemischer Gruppen. Um diese Alterung zu verhindern oder zumindest zu verzögern werden deshalb Stabilisatoren eingesetzt. Wichtige Vertreter von Stabilisatoren sind Antioxidantien, die mit den bei der Autoxidation gebildeten Radikalen interferieren und damit den Abbauprozess unterbrechen. Man unterscheidet im Allgemeinen zwischen primären Antioxidantien, die direkt mit sauerstoffhaltigen freien Radikalen oder C‐Radikalen reagieren können und sekundären Antioxidantien, die mit intermediär gebildeten Hydroperoxiden reagieren (s. C. Kröhnke et al. Antioxidants in Ullmann's encyclopedia of industrial chemistry, Wiley‐VCH Verlag, Weinheim 2015). Typische Vertreter von primären Antioxidantien sind beispielsweise phenolische Antioxidantien, Amine aber auch bestimmte Lactone (Benzofuranone). Klassen von sekundären Antioxidantien sind Phosphorverbindungen wie z. B. Phosphite und Phosphonite, aber auch OrganoSchwefelverbindungen wie z. B. Sulfide und Disulfide in der Form von langkettigen Alkylderivaten. Üblicherweise werden in der Praxis häufig primäre und sekundäre Antioxidantien kombiniert, was zu einer synergistischen Wirkung führt.

公开(公告)号：WO2014189114A1

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：PCT/JP2014/063609

申请日：2014-05-22

Applicant: 富士フイルム株式会社

Inventor： 松下　泰明 ,  松村　季彦

IPC: H01L51/30 ,  C08F12/24 ,  C08F20/30 ,  C08F20/36 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0043 ,  C08F220/14 ,  C08F220/20 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566

Abstract: 　本発明は、有機薄膜トランジスタの移動度を大きく低下させることなく、有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性を向上させる有機半導体組成物、および、そのような有機半導体組成物を使用して作製された有機薄膜トランジスタ、ならびに、上記有機薄膜トランジスタを使用した電子ペーパーおよびディスプレイデバイスを提供することを課題とする。本発明の有機半導体組成物は、有機半導体材料（Ａ）と、下記一般式（Ｂ）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｂ）とを含有する。

Abstract translation: 本发明解决了提供有机半导体组合物的问题，该有机半导体组合物用于提高有机薄膜晶体管的绝缘可靠性，而不会大大降低有机薄膜晶体管的迁移率，使用这种有机半导体制造的有机薄膜晶体管 组合物，以及使用有机薄膜晶体管的电子纸和显示装置。 该有机半导体组合物包含有机半导体材料（A）和含有下述通式（B）表示的重复单元的聚合物（B）。

公开(公告)号：WO2014098053A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：PCT/JP2013/083683

申请日：2013-12-16

Applicant: 群栄化学工業株式会社

Inventor： 海野　洋平 ,  北野　智 ,  阿部　幸雄

IPC: C08F12/24 ,  C08F8/28

CPC classification number: C08F212/08 ,  C08F8/00 ,  C08F8/02 ,  C08F8/12 ,  C08F8/28 ,  C08F12/24 ,  C08F2800/20 ,  C09D125/18 ,  G03F7/038 ,  C08F12/22 ,  C08F112/14 ,  C08F212/14

Abstract: 　下記一般式（１）（ここで、Ｒａは水素原子またはメチル基を表し、Ｒｂは炭素原子数１ないし４のアルキル基を表し、ｍは１ないし３であり、ｎは１ないし３である。） で表される、アルコキシメチル基で置換されたヒドロキシスチレンの繰り返し単位を含むことを特徴とする硬化性樹脂。

Abstract translation: 一种固化性树脂，其特征在于含有通式（1）表示的羟基苯乙烯重复单元（其中，Ra表示氢原子或甲基，Rb表示碳原子数1〜4的烷基，m表示1〜3， n表示1〜3），并被烷氧基甲基取代。

公开(公告)号：WO2014054606A1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：PCT/JP2013/076635

申请日：2013-10-01

Applicant: AZエレクトロニックマテリアルズマニュファクチャリング株式会社

Inventor： 山本　和磨 ,  石井　雅弘 ,  關藤　高志 ,  柳田　浩志 ,  中杉　茂正 ,  能谷　剛

IPC: G03F7/40 ,  C08F12/24 ,  C08F20/30 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/168 ,  C08F12/24 ,  C08F20/30 ,  C08F220/26 ,  C08F220/30 ,  C09D129/02 ,  C09D133/14 ,  C09D137/00 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/32 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0338

Abstract: ［課題］ドライエッチング耐性が高いパターンを形成することができる微細パターン形成用組成物と、それを用いた製造過程における配管詰まりが少ないパターン形成方法の提供。 ［解決手段］化学増幅型レジスト組成物を用いてネガ型レジストパターンを形成させる方法において、レジストパターンを太らせることによってパターンを微細化するために用いられる、ヒドロキシアリール基を有する繰り返し単位を含むポリマーと、前記ネガ型レジストパターンを溶解させない有機溶剤とを含んでなる微細パターン形成用組成物とそれを用いたパターン形成方法。パターン形成方法において、レジスト組成物の塗布とその微細パターン形成用組成物とを同一の塗布装置で塗布することにより、配管詰まりを防止することができる。

Abstract translation: [问题]提供一种用于形成精细图案的组合物，由此可以形成具有高干蚀刻耐受性的图案，以及使用该组合物的图案形成方法，其中在生产过程中几乎不发生管堵塞。 [溶液]使用化学放大型抗蚀剂组合物形成负型抗蚀剂图案的方法中形成用于增厚抗蚀剂图案以微细化图案的精细图案的组合物，所述组合物包含含有重复单元的聚合物 具有羟基芳基和不溶解负型抗蚀剂图案的有机溶剂，以及使用其的图案形成方法。 在图案形成方法中，抗蚀剂组合物和用于形成其精细图案的组合物由相同的涂布装置涂覆，从而可以防止管堵塞。

公开(公告)号：WO2006088147A1

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：PCT/JP2006/302860

申请日：2006-02-17

Applicant: 三洋化成工業株式会社 ,  進藤康裕 ,  佐竹宗一

Inventor： 進藤康裕 ,  佐竹宗一

IPC: C08F12/24 ,  C08F2/00 ,  C08F4/00

CPC classification number: C08F212/14 ,  C08F212/32

Abstract: 本発明は、精製工程等の前処理・後処理工程をできるだけ簡略化した方法であって、透明性が高く、かつ耐熱性に優れ、かつ金属含有量の少ないビニルフェノール重合体又はビニルナフトール重合体を得る製造方法を提供することを目的とする。また、透明性が高く、かつ耐熱性に優れ、かつ金属含有量の少ないビニルフェノール重合体又はビニルナフトール重合体を提供することを目的とする。本発明は、圧縮性流体（Ａ）中でビニルフェノール単量体（Ｂ）、ビニルフェノール単量体の誘導体（Ｂ１）及びビニルナフトール単量体（Ｂ２）からなる群から選択される少なくとも１種の単量体を含有する単量体成分を重合し、重合体を得る工程を含むビニルフェノール重合体（Ｐ１）又はビニルナフトール重合体（Ｐ２）の製造方法に関する。

Abstract translation: 公开了一种具有高透明度，优异的耐热性和低金属含量的乙烯基苯酚聚合物或乙烯基萘酚聚合物的制备方法。 在预处理和后处理步骤（如纯化步骤）中尽可能简化了该方法。 还公开了一种乙烯基苯酚聚合物或乙烯基萘酚聚合物，其具有高透明性和优异的耐热性，同时金属含量低。 具体公开了一种乙烯基酚聚合物（P1）或乙烯基萘酚聚合物（P2）的制造方法，其特征在于，包括通过使可压缩流体（A）中含有至少一种选自所述基团的单体的单体成分聚合而获得聚合物的工序 由乙烯基酚单体（B），乙烯基苯酚单体的衍生物（B1）和乙烯基萘酚单体（B2）组成。

公开(公告)号：WO03091311A8

公开(公告)日：2004-02-26

申请号：PCT/GB0301774

申请日：2003-04-25

Applicant: AVECIA LTD ,  MOODY DAVID JOHN ,  WELLINGS DONALD ALFRED

Inventor： MOODY DAVID JOHN ,  WELLINGS DONALD ALFRED

IPC: C07C43/205 ,  C07H19/06 ,  C07H19/16 ,  C07H21/00 ,  C07H21/04 ,  C08F12/22 ,  C08F12/24 ,  C08F290/00 ,  C08F290/06 ,  C08G65/329 ,  C08G65/332 ,  C08L71/02 ,  C12N15/09

CPC classification number: C07H21/00 ,  C08F12/22 ,  C08F290/00 ,  C08F290/06 ,  C08F290/062 ,  C08G65/329 ,  C08G65/3326 ,  C08L71/02 ,  C08L2205/05 ,  Y02P20/55 ,  C08L2666/04

Abstract: A polymer support is provided which comprises protected hydroxypolyC2-4 alkyleneoxy chains attached to a cross-linked polymer wherein the protected hydroxypolyC2-4 alkyleneoxy chain contains from 2 to 10 C2-4 alkyleneoxy groups and wherein the hydroxypolyC2-4 alkyleneoxy chains are protected with an acid labile group. The acid labile protecting group is preferably a poly-aryl methane protecting group. A monomer and process for the preparation of said support are also provided.

Abstract translation: 提供聚合物载体，其包含与交联聚合物连接的保护的羟基聚C 2-4亚烷氧基链，其中所述被保护的羟基聚C 2-4亚烷基氧基含有2至10个C 2-4亚烷基氧基，并且其中羟基聚C 2-4亚烷氧基链用 酸不稳定组。 酸不稳定保护基优选为聚芳基甲烷保护基。 还提供了用于制备所述载体的单体和方法。

公开(公告)号：WO99040132A1

公开(公告)日：1999-08-12

申请号：PCT/JP1999/000360

申请日：1999-01-28

IPC: C07C37/74 ,  C08F2/00 ,  C08F4/00 ,  C08F4/04 ,  C08F4/14 ,  C08F12/24 ,  C08F12/26

CPC classification number: C08F4/00 ,  C07C37/74 ,  C08F4/04 ,  C08F4/14 ,  C08F12/24 ,  C08F12/26 ,  C07C39/20

Abstract: A process for efficiently and economically producing a high-molecular, lightly colored polymer having excellent permeability to visible light and far ultraviolet light. The process comprises polymerizing p-vinylphenol alone or with a vinyl compound copolymerizable therewith in the presence of a catalyst for cationic polymerization or a radical polymerization initiator to produce a vinylphenol polymer, the monomer(s) to be polymerized being a p-vinylphenol-containing fraction obtained by subjecting a feed material comprising p-vinylphenol to vacuum flash distillation in the presence of a phenol compound containing no unsaturated side chains and of water.

Abstract translation: 一种有效且经济地制备对可见光和远紫外光具有优异渗透性的高分子轻质聚合物的方法。 该方法包括在存在用于阳离子聚合的催化剂或自由基聚合引发剂的情况下单独或与可共聚的乙烯基化合物聚合对乙烯基苯酚以制备乙烯基苯酚聚合物，待聚合的单体是含对乙烯基苯酚的 在不含不饱和侧链和不含不饱和侧链的苯酚化合物的存在下，使包含对乙烯基苯酚的原料进行真空闪蒸，得到的馏分。

公开(公告)号：WO9901795A8

公开(公告)日：1999-05-20

申请号：PCT/GB9801953

申请日：1998-07-02

Applicant: HORSELL GRAPHIC IND LTD ,  MCCULLOUGH CHRISTOPHER DAVID ,  RAY KEVIN BARRY ,  MONK ALAN STANLEY VICTOR ,  BAYES STUART ,  SPOWAGE MARK JOHN

Inventor： MCCULLOUGH CHRISTOPHER DAVID ,  RAY KEVIN BARRY ,  MONK ALAN STANLEY VICTOR ,  BAYES STUART ,  SPOWAGE MARK JOHN

IPC: G03F7/039 ,  B41C1/10 ,  B41M5/36 ,  B41M5/46 ,  C08F12/24 ,  C08G8/28 ,  C08L25/18 ,  C08L61/14 ,  G03F7/022 ,  G03F7/023 ,  G03F7/20 ,  H05K3/00 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/2022 ,  B41C1/1008 ,  B41C2210/02 ,  B41C2210/06 ,  B41C2210/14 ,  B41C2210/22 ,  B41C2210/262 ,  B41M5/368 ,  B41M5/465 ,  G03F7/022 ,  G03F7/023 ,  G03F7/0233 ,  H05K3/0082

Abstract: A method for producing a predetermined resist pattern on for example a lithographic printing plate, circuit board or mask, comprises the imagewise exposure of a radiation sensitive positive working coating using a suitable radiation such as direct heat radiation, UV radiation, visible radiation, infrared radiation or electron beam radiation. The method is characterised by the use of a novel polymeric material which is functionalised by groups Q to render it insoluble in a developer, but such that exposure to the radiation renders it soluble therein. The groups Q are not diazide groups as is conventional, but are groups which do not release nitrogen on exposure to the radiation, and have hydrogen bonding capability. Examples of groups Q are 2-naphthylsulphonyloxy, 2-thienylsulphonyloxy, dansyloxy, p-toluenesulphonyloxy, benzoyloxy and n-butylsulphonyloxy.

Abstract translation: 用于在例如平版印刷版，电路板或掩模上制造预定抗蚀剂图案的方法包括使用合适的辐射如直接热辐射，紫外线辐射，可见光辐射，红外辐射的成像曝光辐射敏感的正性涂层 或电子束辐射。 该方法的特征在于使用由Q组官能化的新型聚合物材料，使其不溶于显影剂，但是使得暴露于辐射使其易溶于其中。 基团Q不是常规的二叠氮基，而是在暴露于辐射时不释放氮并具有氢键能力的基团。 基团Q的实例是2-萘基磺酰氧基，2-噻吩基磺酰氧基，二烷氧基，对甲苯磺酰氧基，苯甲酰氧基和正丁基磺酰氧基。

公开(公告)号：WO2020129683A1

公开(公告)日：2020-06-25

申请号：PCT/JP2019/047718

申请日：2019-12-05

Applicant: 富士フイルム株式会社

Inventor： 浅川　大輔 ,  川島　敬史 ,  後藤　研由 ,  白川　三千紘 ,  山本　慶

IPC: C08F12/24 ,  C08F20/10 ,  C08F20/58 ,  C08F28/02 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039

Abstract: 本発明により、一般式（Ｐ１）で表される繰り返し単位を有する樹脂と、活性光線又は放射線の照射により、ｐＫａが－１．４０以上の酸を発生する化合物とを含有する、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、上記組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法が提供される。Ｍ ｐ は、単結合又は２価の連結基を表す。　Ｌ ｐ は、２価の連結基を表す。　Ｘ ｐ は、Ｏ、Ｓ、又はＮＲ Ｎ１ を表す。Ｒ Ｎ１ は１価の有機基を表す。　Ｒ ｐ は、１価の有機基を表す。

公开(公告)号：WO2019146436A1

公开(公告)日：2019-08-01

申请号：PCT/JP2019/000812

申请日：2019-01-15

Applicant: 日本ゼオン株式会社

Inventor： 櫻井　隆覚 ,  藤村　誠

IPC: G03F7/023 ,  C08F12/24 ,  G02B1/04 ,  G02B3/00 ,  G03F7/004 ,  C08F8/12

Abstract: 下記一般式（Ｉ）で表される単量体単位を有する重合体と、分岐型構造を有するポリアミドイミドと、ナフチルイミド基含有スルホン酸化合物とを含む、感光性樹脂組成物である。一般式（Ｉ）中、Ｒ １ は、化学的な単結合、又は置換基を有していてもよい炭素数１～６の２価の炭化水素基であり、Ｒ ２ は、水素原子、又は置換基を有していてもよい炭素数１～６の１価の炭化水素基である。