公开(公告)号：WO2017027451A1

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：PCT/US2016/045984

申请日：2016-08-08

Applicant: NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY

Inventor： NARAYAN, Jagdish

IPC: C01B31/00

CPC classification number: C30B13/10 ,  C01B21/064 ,  C01B21/0648 ,  C01B32/05 ,  C01B32/188 ,  C01B32/25 ,  C01P2002/02 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/42 ,  C01P2006/90 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/0647 ,  C23C14/28 ,  C30B13/24 ,  C30B19/08 ,  C30B23/025 ,  C30B23/066 ,  C30B29/04 ,  C30B29/403 ,  C30B29/62 ,  C30B31/06 ,  C30B31/22 ,  G01R33/032 ,  G01R33/1284 ,  H01F1/42 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/263 ,  H01L21/268 ,  H01L43/10 ,  H03B15/006

Abstract: Using processes disclosed herein, materials and structures are created and used. For example, processes can include melting boron nitride or amorphous carbon into an undercooled state followed by quenching. Exemplary new materials disclosed herein can be ferromagnetic and/or harder than diamond. Materials disclosed herein may include dopants in concentrations exceeding thermodynamic solubility limits. A novel phase of solid carbon has structure different than diamond and graphite.

Abstract translation: 使用本文公开的方法，创建和使用材料和结构。 例如，方法可以包括将氮化硼或无定形碳熔化成过冷状态，然后淬火。 本文公开的示例性新材料可以是铁磁性的和/或比金刚石更硬的。 本文公开的材料可以包括浓度超过热力学溶解度极限的掺杂剂。 固体碳的新阶段具有不同于金刚石和石墨的结构。

公开(公告)号：WO2013079620A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：PCT/EP2012/074006

申请日：2012-11-29

Applicant: NEOKER, S.L.

Inventor： CERECEDO FERNÁNDEZ, Carmen ,  VALCÁRCEL JUÁREZ, Víctor ,  GUITIÁN RIVERA, Francisco ,  CAAMAÑO CASTRO, José Miguel ,  RODRÍGUEZ CARREIRA, Alfredo

IPC: C01F7/02 ,  C01F7/46 ,  C30B33/02 ,  C30B25/00

CPC classification number: C01F7/46 ,  C01F7/02 ,  C01F7/027 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/10 ,  C30B11/12 ,  C30B29/20 ,  C30B29/62 ,  C30B33/02

Abstract: The present invention relates to a method for the purification of α-Α1 2 O 3 whiskers previously obtained by vapor-liquid-solid deposition, under metal vapors-containing atmospheres. Said method involves the volatilization of metal impurities in controlled-atmosphere furnaces at the surface of the fibers and in the drops at the end of the fibers. The invention also relates to purified α-Α1 2 O 3 whiskers obtainable by a process as defined above and substantially free from metal impurities at the surface and at the end part of the fibers, as well as the use of the purified α-Α1 2 O 3 whiskers as defined above as fillers or reinforcement agents for the preparation of ceramic, metallic or polymeric composites.

Abstract translation: 本发明涉及在含有金属蒸气的气氛下，先前通过汽 - 液 - 固沉淀法获得的α-Al 2 O 3晶须的纯化方法。 所述方法涉及在受控气氛炉中在纤维表面和纤维末端的液滴中挥发金属杂质。 本发明还涉及通过如上定义的方法获得的纯化的α-α12O3晶须，并且在纤维的表面和末端部分基本上不含金属杂质，以及使用如上定义的纯化的α-α12O3晶须 作为用于制备陶瓷，金属或聚合物复合材料的填料或增强剂。

公开(公告)号：WO2013023585A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：PCT/CN2012/080144

申请日：2012-08-15

Applicant: 武善东 ,  武征 ,  张建华 ,  武善斌

Inventor： 武善东 ,  武征 ,  张建华 ,  武善斌

IPC: C30B29/46 ,  C30B29/62 ,  C30B7/14

CPC classification number: C30B7/14 ,  C30B29/46 ,  C30B29/62

Abstract: 本发明公开了一种大规模生产硫酸钙晶须的连续化工艺方法，解决了现有大规模生产硫酸钙晶须不能连续化流水作业的问题。本发明按照生产硫酸钙晶须必须遵循的五项基本要求即：溶液稀、含盐稳、速度慢、搅拌匀、陈化（时间）长，经改进合成硫酸钙结晶的条件，可以大规模连续化的合成硫酸钙晶须。本发明进一步减少了人工操作工作量并降低了技术要求，具有简易、高效、节能、环保、晶须质量极为优良的独特优点。

公开(公告)号：WO2011065534A1

公开(公告)日：2011-06-03

申请号：PCT/JP2010/071259

申请日：2010-11-29

Applicant: 国立大学法人東北大学 ,  株式会社トクヤマ ,  福山 博之 ,  東 正信 ,  高田 和哉 ,  服部 剛

Inventor： 福山　博之 ,  東　正信 ,  高田　和哉 ,  服部　剛

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/02

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/00 ,  C30B23/007 ,  C30B25/00 ,  C30B29/62

Abstract: 　本発明は、結晶性の良好な窒化アルミニウム単結晶を効率よく、簡便に製造する方法を提供するものである。　本発明に係る窒化アルミニウム単結晶の製造方法は、アルミニウムガスまたはアルミニウム酸化物ガスを発生する原料ガス発生源と、炭素成形体との存在下に窒素ガスを流通して、加熱環境下で窒化アルミニウム単結晶を成長させる際に、炭素成形体と接触しない原料ガス発生源と、原料ガス発生源と接触しない炭素成形体との間に０．０１～５０ｍｍの間隔がある空間が存在する配置で、原料ガス発生源と炭素成形体を配置し、当該炭素成形体と接触しない原料ガス発生源と、原料ガス発生源と接触しない炭素成形体との間の空間で、窒化アルミニウムが析出する条件を満足するように加熱温度、窒素ガス流量を設定することを特徴としている。

Abstract translation: 提供了一种有效且容易地制备具有令人满意的结晶度的单晶氮化铝的方法。 单晶氮化铝生产方法包括在模制碳体和在加热环境中产生铝气或氧化铝气体和生长单晶氮化铝的原料气体源的存在下通过氮气。 该方法的特征在于，其一部分不与成型碳体接触的原料气体源和部分未与原料气体源接触的成型碳体被设置为 在原料气体源的一部分和成型碳体的一部分之间存在0.01-50mm的间隔，并且将加热温度和氮气流量设定为满足下述条件：铝 在与原料气体源不接触的原料气体源部分之间的空间中的氮化物沉积物和与原料气体源不接触的部分成型碳体。

公开(公告)号：WO2009120625A2

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：PCT/US2009/037952

申请日：2009-03-23

Applicant: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA ,  ALIVISATOS, A., Paul ,  SADTLER, Bryce

Inventor： ALIVISATOS, A., Paul ,  SADTLER, Bryce

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01L31/035281 ,  B82Y10/00 ,  C09K11/584 ,  C30B29/46 ,  C30B29/50 ,  C30B29/60 ,  C30B29/605 ,  C30B29/62 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/267 ,  H01L31/03365 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: A nanorod is disclosed. It includes a linear body including three or less alternating regions including a first region and a second region, wherein the first region comprises a first material comprising a first ionic material and the second region comprises a second material comprising a second ionic material.

Abstract translation: 公开了一种纳米棒。 它包括包括三个或更少交替区域的线性体，包括第一区域和第二区域，其中第一区域包括包含第一离子材料的第一材料，第二区域包括第二材料，其包含第二离子材料。

公开(公告)号：WO2007142677A8

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：PCT/US2006043437

申请日：2006-11-07

Applicant: NANOCOMPOSIX INC ,  OLDENBURG STEVEN J

Inventor： OLDENBURG STEVEN J

IPC: C09K5/00

CPC classification number: C09K5/10 ,  B22F1/0025 ,  B22F2998/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B7/14 ,  C30B29/62 ,  B22F1/0022 ,  B22F9/24

Abstract: The invention relates to compositions comprising nanorods and methods of making and using the same. The inclusion of nanorods can enhance the thermal conductivity of a heat-transfer medium.

Abstract translation: 本发明涉及包含纳米棒的组合物及其制备和使用方法。 包含纳米棒可以增强传热介质的导热性。

公开(公告)号：WO2007032802A3

公开(公告)日：2007-11-15

申请号：PCT/US2006025609

申请日：2006-06-29

Applicant: UNIV HOUSTON

Inventor： CHU WEI-KAN ,  SEO HYE-WON ,  CHEN QUARK Y ,  TU LI-WEI ,  HSAIO CHING-LIEN ,  WANG XUEMEI ,  TU XEN-JIE

IPC: D01F9/12

CPC classification number: C30B29/40 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B23/007 ,  C30B23/025 ,  C30B23/04 ,  C30B29/62 ,  C30B31/22 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676

Abstract: A method of preparing nanorod arrays using ion beam implantation is described that includes defining a pattern on a substrate and then implanting ions into the substrate using ion beam implantation. Next, a thin film is deposited on the substrate. During film growth, nanotrench.es form and catalyze the formation of nanorods through capillary condensation. The resulting nanorods are aligned with the supporting matrix and are free from lattice and thermal strain effect. The density, size, and aspect ratios of the nanorods can be varied by changing the ion beam implantation and thin film growth conditions resulting in control of emission efficiency.

Abstract translation: 描述了使用离子束注入制备纳米棒阵列的方法，其包括在衬底上限定图案，然后使用离子束注入将离子注入到衬底中。 接下来，在衬底上沉积薄膜。 在膜生长过程中，纳米管形成并通过毛细管冷凝催化纳米棒的形成。 得到的纳米棒与支撑基体对齐，没有晶格和热应变效应。 纳米棒的密度，尺寸和纵横比可以通过改变离子束注入和薄膜生长条件来改变，从而控制发射效率。

公开(公告)号：WO2007032802A2

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：PCT/US2006/025609

申请日：2006-06-29

Applicant: UNIVERSITY OF HOUSTON

Inventor： CHU, Wei-Kan ,  SEO, Hye-Won ,  CHEN, Quark, Y. ,  TU, Li-Wei ,  HSAIO, Ching-Lien ,  WANG, Xuemei ,  TU, Xen-Jie

IPC: H01L21/00

CPC classification number: C30B29/40 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B23/007 ,  C30B23/025 ,  C30B23/04 ,  C30B29/62 ,  C30B31/22 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676

Abstract: A method of preparing nanorod arrays using ion beam implantation is described that includes defining a pattern on a substrate and then implanting ions into the substrate using ion beam implantation. Next, a thin film is deposited on the substrate. During film growth, nanotrench.es form and catalyze the formation of nanorods through capillary condensation. The resulting nanorods are aligned with the supporting matrix and are free from lattice and thermal strain effect. The density, size, and aspect ratios of the nanorods can be varied by changing the ion beam implantation and thin film growth conditions resulting in control of emission efficiency.

Abstract translation: 描述了使用离子束注入制备纳米棒阵列的方法，其包括在衬底上限定图案，然后使用离子束注入将离子注入到衬底中。 接下来，在基板上沉积薄膜。 在膜生长期间，纳米管通过毛细管凝结形成和催化纳米棒的形成。 所得的纳米棒与支撑基体对准，并且没有晶格和热应变效应。 纳米棒的密度，尺寸和长宽比可以通过改变离子束注入和薄膜生长条件来改变，从而控制发射效率。

公开(公告)号：WO2005078167A2

公开(公告)日：2005-08-25

申请号：PCT/GB2005000390

申请日：2005-02-04

Applicant: BTG INT LTD ,  SEIFERT WERNER ,  SAMUELSON LARS IVAR ,  OHLSSON BJORN JONAS ,  BORGSTROM LARS MAGNUS

Inventor： SEIFERT WERNER ,  SAMUELSON LARS IVAR ,  OHLSSON BJORN JONAS ,  BORGSTROM LARS MAGNUS

IPC: B01J23/52 ,  C30B11/12 ,  C30B25/00 ,  C30B29/60 ,  C30B29/62 ,  C30B11/00

CPC classification number: C30B11/12 ,  B01J23/52 ,  B82Y30/00 ,  C30B25/005 ,  C30B29/605 ,  C30B29/62 ,  H01L21/02387 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02653 ,  Y10S977/825

Abstract: Nanowhiskers are grown in a non-preferential growth direction by regulation of nucleation conditions to inhibit growth in a preferential direction. In a preferred implementation, III-V semiconductor nanowhiskers are grown on an (001) III-V semiconductor substrate surface by effectively inhibiting growth in the preferential B direction. As one example, InP nano-wires were grown by metal-organic vapor phase epitaxy directly on (001) InP substrates. Characterization by scanning electron microscopy and transmission electron microscopy revealed wires with nearly square cross sections and a perfect zincblende crystalline structure that is free of stacking faults.

Abstract translation: 纳米晶须通过调节成核条件在非优先生长方向生长，以抑制生长在优先方向。 在优选的实施方案中，通过有效地抑制优先的111B方向的生长，在（001）III-V半导体衬底表面上生长<001> III-V半导体纳米晶须。 作为一个示例，通过直接在（001）InP衬底上的金属 - 有机气相外延生长<001> InP纳米线。 通过扫描电子显微镜和透射电子显微镜的表征显示具有近似正方形截面的线和完全的闪锌矿晶体结构，其没有堆垛层错。

公开(公告)号：WO2005051842A2

公开(公告)日：2005-06-09

申请号：PCT/US2004038271

申请日：2004-11-16

Applicant: GEN ELECTRIC ,  TSAKALAKOS LOUCAS ,  LEE JI-UNG ,  HUBER WILLIAM HULLINGER ,  CORDERMAN REED ROEDER ,  MANI VANITA

Inventor： TSAKALAKOS LOUCAS ,  LEE JI-UNG ,  HUBER WILLIAM HULLINGER ,  CORDERMAN REED ROEDER ,  MANI VANITA

IPC: B01J23/52 ,  B01J23/75 ,  B01J23/755 ,  B01J27/22 ,  B01J37/02 ,  B01J37/08 ,  C01B31/30 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C30B11/00 ,  C30B11/12 ,  C30B29/36 ,  C30B29/60 ,  C30B29/62 ,  H01J9/02 ,  C01B31/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B01J23/52 ,  B01J23/75 ,  B01J23/755 ,  B01J27/22 ,  B01J37/0215 ,  B01J37/0238 ,  B01J37/08 ,  C01B32/90 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/04 ,  C30B11/12 ,  C30B29/36 ,  C30B29/60 ,  C30B29/62 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: In a method of making an elongated carbide nanostructure, a plurality of spatially­-separated catalyst particles is applied to a substrate. The spatially-separated catalyst particles and at least a portion of the substrate are exposed to a metal-containing vapor at a preselected temperature and for a period sufficient to cause an inorganic nano­structure to form between the substrate and at least one of the catalyst particles. The inorganic nano-structure is exposed to a carbon-containing vapor source at a preselected temperature and for a period sufficient to carburize the inorganic nano­structure.

Abstract translation: 在制造细长的碳化物纳米结构的方法中，将许多空间分离的催化剂颗粒施加到基底上。 将空间分离的催化剂颗粒和基材的至少一部分在预选温度下暴露于含金属的蒸汽，并持续足以使底物与至少一种催化剂颗粒之间形成无机纳米结构的时间。 将无机纳米结构在预选温度下暴露于含碳蒸汽源，并持续足以使无机纳米结构渗碳的时间。