发明公开
CN101145507A 等离子加工装置
失效 - 权利终止
- 专利标题： 等离子加工装置
- 专利标题（英）： Plasma processing device
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申请号： CN200710169238.7申请日： 2004-03-04
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公开(公告)号： CN101145507A公开(公告)日： 2008-03-19
- 发明人: 野上光秀 , 宫本荣司
- 申请人： 积水化学工业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪
- 专利权人： 积水化学工业株式会社
- 当前专利权人： 积水化学工业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 陈平
- 优先权： 2003-060285 2003.03.06 JP; 2003-060286 2003.03.06 JP; 2003-304897 2003.08.28 JP; 2003-377383 2003.11.06 JP; 2003-377385 2003.11.06 JP
- 分案原申请号： 2004800061809
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00 ; H01L21/02 ; H01L21/3065 ; H01L21/311 ; H01L21/3213 ; H01L21/205 ; H01L21/285 ; H01L21/31 ; H01L21/3205 ; H01L21/67 ; C23C16/509 ; C23C16/513 ; C23F4/00 ; H01J37/32 ; H05H1/46
摘要：
一种等离子加工装置，其中加工气体在圆环形内电极(11)和圆环形外电极(21)之间被等离子化。热导内温度调节部件(50)通过螺栓(7)挤压在内电极(11)的内周面上。热导外温度调节部件(60)通过螺栓(8)挤压在外电极(21)的外周面上。内、外部件(50、60)是可膨胀的和可收缩的C形形状。
公开/授权文献
- CN100511583C 等离子加工装置 公开/授权日：2009-07-08
IPC分类:
