发明公开
CN101145508A 等离子加工装置和方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 等离子加工装置和方法
- 专利标题（英）： Plasma processing device and method
-
申请号： CN200710169240.4申请日： 2004-03-04
-
公开(公告)号： CN101145508A公开(公告)日： 2008-03-19
- 发明人: 野上光秀 , 宫本荣司
- 申请人： 积水化学工业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪
- 专利权人： 积水化学工业株式会社
- 当前专利权人： 积水化学工业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 陈平
- 优先权： 2003-060285 2003.03.06 JP; 2003-060286 2003.03.06 JP; 2003-304897 2003.08.28 JP; 2003-377383 2003.11.06 JP; 2003-377385 2003.11.06 JP
- 分案原申请号： 2004800061809
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00 ; H01L21/02 ; H01L21/3065 ; H01L21/311 ; H01L21/3213 ; H01L21/205 ; H01L21/285 ; H01L21/31 ; H01L21/3205 ; H01L21/67 ; C23C16/513 ; C23C16/509 ; C23F4/00 ; H01J37/32 ; H05H1/00
摘要：
一种等离子加工装置和方法，其中吹送部件(152)设置有吹风口(Ia’)，该吹风口的尺寸小到不允许吹送的气流被直接地吹送到晶片W的部分上，该晶片W的部分比晶片W的外边缘更位于晶片的中心侧并且不进行等离子加工。吸入件(151)设置有与吹送部件(152)相联的吸入口(81A)。吸入口(81A)靠近吹风口(Ia’)设置并形成相对于吹送气流大致在相反方向上取向的抽吸气流。
公开/授权文献
- CN101145508B 等离子加工装置和方法 公开/授权日：2010-06-16
IPC分类:
