布线膜的形成方法、晶体管以及电子装置

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专利标题： 布线膜的形成方法、晶体管以及电子装置
专利标题（英）： Method for forming wiring film, transistor, and electronic device
申请号： CN200780040499.7

申请日： 2007-12-26
公开(公告)号： CN101529567B

公开(公告)日： 2012-07-04
发明人: 高泽悟 , 武井应树 , 高桥明久 , 片桐弘明 , 浮岛祯之 , 谷典明 , 石桥晓 , 增田忠
申请人： 株式会社爱发科
申请人地址： 日本神奈川县
专利权人： 株式会社爱发科
当前专利权人： 株式会社爱发科
当前专利权人地址： 日本神奈川县
代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
代理商 闫小龙; 王忠忠
优先权： 354858/2006 2006.12.28 JP
国际申请： PCT/JP2007/074930 2007.12.26
国际公布： WO2008/081805 JA 2008.07.10
进入国家日期： 2009-04-29
主分类号： H01L21/3205
IPC分类号： H01L21/3205 ; G02F1/1343 ; G02F1/1368 ; H01L21/285 ; H01L21/336 ; H01L23/52 ; H01L29/417 ; H01L29/423 ; H01L29/49 ; H01L29/78 ; H01L29/786

摘要：

形成密接性优良、低电阻的布线膜。在配置有成膜对象物(21)的真空槽(2)中导入氧气，对纯铜靶(11)进行溅射，在成膜对象物(21)的表面上形成以铜为主要成分且含有氧的阻挡膜(22)之后，停止氧气的导入，对纯铜靶(11)进行溅射，形成纯铜的低电阻膜(23)。因为阻挡膜(22)和低电阻膜(23)以铜为主要成分，所以能够一次进行溅射。由于低电阻膜(23)与阻挡膜22相比是低电阻，所以，布线膜(25)整体成为低电阻。由于阻挡膜(22)针对玻璃或硅的密接性高，所以，布线膜(25)整体的密接性也高。

摘要（英）：

The present invention discloses a wiring film having excellent adhesion and a low resistance is formed. A barrier film having copper as a main component and containing oxygen is formed on an object to form a film thereon by introducing an oxygen gas into a vacuum chamber in which the object to form a film thereon and sputtering a pure copper target. Then, after the introduction of the oxygen gas is stopped, a low-resistance film made of pure copper is formed by sputtering the pure copper target. Since the barrier film and the low-resistance film have copper as the main component, they can be patterned at a time. Since the low-resistance film has a resistance lower than that of the barrier film, the resistance of the entire wiring film is reduced. Since the barrier layer has high adhesion to glass and silicon, the entire wiring film has high adhesion.

公开/授权文献

CN101529567A 布线膜的形成方法、晶体管以及电子装置公开/授权日：2009-09-09

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205	......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）