发明授权
CN109075079B 剥离方法及柔性装置的制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 剥离方法及柔性装置的制造方法
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申请号： CN201780024764.6申请日： 2017-04-11
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公开(公告)号： CN109075079B公开(公告)日： 2022-04-15
- 发明人: 山崎舜平 , 谷中顺平 , 保本清治 , 大野正胜 , 安达广树
- 申请人： 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址： 日本神奈川县
- 专利权人： 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人： 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 侯颖媖; 钱慰民
- 优先权： 2016-086552 20160422 JP 2016-086553 20160422 JP
- 国际申请： PCT/IB2017/052070 2017.04.11
- 国际公布： WO2017/182909 EN 2017.10.26
- 进入国家日期： 2018-10-19
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L21/02 ; H01L27/12 ; H01L29/786 ; H01L51/50 ; H05B33/10
摘要：
提供一种成本低且生产率高的剥离方法。在形成用衬底上使用具有感光性及热固化性的材料形成厚度为0.1μm以上且3μm以下的第一层，通过光刻法在第一层中形成开口来形成具有开口的树脂层，以与树脂层的开口重叠的方式形成硅层或氧化物层，在树脂层上形成包含金属氧化物的晶体管，在硅层或氧化物层上通过与晶体管的源极或漏极的相同的制造工序形成导电层，对树脂层、以及硅层和氧化物层中的一个照射激光，将晶体管及导电层与形成用衬底分离。
公开/授权文献
- CN109075079A 剥离方法及柔性装置的制造方法 公开/授权日：2018-12-21
IPC分类:
