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公开(公告)号：CN107452899B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201710329228.9
申请日：2017-05-11
申请人： 株式会社半导体能源研究所
摘要： 本发明提供一种成本低且产量高的剥离方法。该剥离方法包括如下步骤：在形成用衬底上使用具有感光性的材料形成第一层；通过利用光刻法在第一层中形成第一区域及其厚度薄于第一区域的第二区域，形成包括第一区域及第二区域的树脂层；在树脂层的第一区域上形成在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管；在树脂层的第二区域上形成导电层；对树脂层照射激光，将晶体管与形成用衬底分离。
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公开(公告)号：CN109075079B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201780024764.6
申请日：2017-04-11
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/10
摘要： 提供一种成本低且生产率高的剥离方法。在形成用衬底上使用具有感光性及热固化性的材料形成厚度为0.1μm以上且3μm以下的第一层，通过光刻法在第一层中形成开口来形成具有开口的树脂层，以与树脂层的开口重叠的方式形成硅层或氧化物层，在树脂层上形成包含金属氧化物的晶体管，在硅层或氧化物层上通过与晶体管的源极或漏极的相同的制造工序形成导电层，对树脂层、以及硅层和氧化物层中的一个照射激光，将晶体管及导电层与形成用衬底分离。
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公开(公告)号：CN109564851A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780049788.7
申请日：2017-08-22
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L21/02 , B23K26/57 , B32B9/00 , B32B15/04 , B32B38/18 , G09F9/00 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC分类号： H01L31/1892 , H01L21/02345 , H01L21/02488 , H01L21/02694 , H01L21/6835 , H01L27/1225 , H01L27/1266 , H01L29/66969 , H01L31/1896 , H01L51/003 , H01L2221/68386 , H01L2224/83052 , H01L2924/35121
摘要： 提高半导体装置的制造工序的成品率。提高半导体装置的生产率。在衬底上形成第一材料层，在第一材料层上形成第二材料层，将第一材料层与第二材料层彼此分离，由此制造半导体装置。此外，在分离前，优选对包括第一材料层与第二材料层的叠层体进行加热。第一材料层包含氢、氧和水中的一种或多种。第一材料层例如包含金属氧化物。第二材料层包含树脂(例如，聚酰亚胺或丙烯酸)。第一材料层与第二材料层通过切断氢键来彼此分离。通过对因加热第一材料层与第二材料层的界面或界面附近而析出的水照射光，使第一材料层与第二材料层彼此分离。
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公开(公告)号：CN107452899A8
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710329228.9
申请日：2017-05-11
申请人： 株式会社半导体能源研究所
摘要： 本发明提供一种成本低且产量高的剥离方法。该剥离方法包括如下步骤：在形成用衬底上使用具有感光性的材料形成第一层；通过利用光刻法在第一层中形成第一区域及其厚度薄于第一区域的第二区域，形成包括第一区域及第二区域的树脂层；在树脂层的第一区域上形成在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管；在树脂层的第二区域上形成导电层；对树脂层照射激光，将晶体管与形成用衬底分离。
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公开(公告)号：CN109075079A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780024764.6
申请日：2017-04-11
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/10
摘要： 提供一种成本低且生产率高的剥离方法。在形成用衬底上使用具有感光性及热固化性的材料形成厚度为0.1μm以上且3μm以下的第一层，通过光刻法在第一层中形成开口来形成具有开口的树脂层，以与树脂层的开口重叠的方式形成硅层或氧化物层，在树脂层上形成包含金属氧化物的晶体管，在硅层或氧化物层上通过与晶体管的源极或漏极的相同的制造工序形成导电层，对树脂层、以及硅层和氧化物层中的一个照射激光，将晶体管及导电层与形成用衬底分离。
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公开(公告)号：CN112602377A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201980055691.6
申请日：2019-08-08
申请人： 株式会社半导体能源研究所
摘要： 提供一种能够在弯曲状态下长时间显示的发光装置。提供一种能够以较小的曲率半径反复弯曲的发光装置。本发明是一种发光装置，该发光装置具有柔性，并包括发光元件、第一无机绝缘层、第二无机绝缘层及第一有机绝缘层。第一有机绝缘层位于第一无机绝缘层上。发光元件隔着第一有机绝缘层位于第一无机绝缘层上。第二无机绝缘层位于发光元件上。第一无机绝缘层的端部及第二无机绝缘层的端部都位于第一有机绝缘层的端部的内侧。第一有机绝缘层的端部在发光装置的侧面露出。在发光元件的端部的外侧，第一无机绝缘层与第二无机绝缘层优选彼此接触。
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公开(公告)号：CN112151583A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010596969.5
申请日：2020-06-28
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L27/32 , G09G3/32 , G09G3/3225
摘要： 本公开涉及功能面板、半导体装置、显示装置、输入/输出装置、数据处理装置。提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的功能面板。一种包括第一区域、第二区域及第三区域的功能面板。第三区域夹在第一区域与第二区域间，第三区域可以弯曲，第三区域包括功能层、接合层及第一导电膜。接合层包括夹在功能层与第一导电膜间的区域，功能层包括电路及绝缘膜，电路包括第二导电膜。绝缘膜包括夹在第一导电膜与第二导电膜间的区域，第一导电膜在与第二导电膜间形成电容。
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公开(公告)号：CN107452899A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710329228.9
申请日：2017-05-11
申请人： 株式会社半导体能源研究所
摘要： 本发明提供一种成本低且产量高的剥离方法。该剥离方法包括如下步骤：在形成用衬底上使用具有感光性的材料形成第一层；通过利用光刻法在第一层中形成第一区域及其厚度薄于第一区域的第二区域，形成包括第一区域及第二区域的树脂层；在树脂层的第一区域上形成在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管；在树脂层的第二区域上形成导电层；对树脂层照射激光，将晶体管与形成用衬底分离。
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