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公开(公告)号：CN118712186A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411018360.4
申请日：2024-07-29
申请人： 北京大学东莞光电研究院
IPC分类号： H01L25/075 , A01G7/04 , F21K9/235 , F21K9/90 , H01L33/48 , F21Y115/10
摘要： 本发明公开一种用于LED植物照明的膜片光源及封装方法，依次包括上透明膜片、下透明膜片、LED发光器件和金属电极线路基板；所述LED发光器件包含阵列排布的正白色光、暖白色光、蓝色光、红色光、近红外色光的CSP LED芯片或Micro LED灯珠。本发明采用透明膜片封装技术，进行CSP LED芯片或Micro LED灯珠优化阵列排布封装制作成LED膜片光源，并将其膜片LED光源任意裁切制作成一个植物生长补光培育光源模块，从而进行LED单质光的智能控制光质、光周期、光强度和光合光子通量密度，利于植物的培育生长。
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公开(公告)号：CN118668282A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410715034.2
申请日：2024-06-04
申请人： 北京大学东莞光电研究院
摘要： 本发明公开一种GaN单晶生长装置及其方法，包括：籽晶；加热组件；反应釜，所述加热组件设置于反应釜外侧，反应釜用于容纳反应原料和籽晶；升降机构，升降机构包括固定部、升降部和悬挂部，固定部设置于反应釜的外部，悬挂部设置于反应釜的内部，升降部的一端连接于所述固定部，升降部的另一端穿过反应釜的上端连接于悬挂部，籽晶设置于悬挂部；旋转机构，反应釜固定于旋转机构上。本发明通过反应釜的旋转实现籽晶的提升与下降，实现当N离子浓度较高时，籽晶浸入熔体，当N离子浓度较低时，籽晶与熔体分离，可以间断性控制GaN单晶的生长，保证了籽晶一直处于N离子的高浓度环境中，提高了GaN单晶的生长质量。
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公开(公告)号：CN118223107A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410326262.0
申请日：2024-03-21
申请人： 北京大学东莞光电研究院
摘要： 本发明公开了一种晶体生长装置及方法，生长装置包括具有中空内腔的反应釜，反应釜包括生长段和解离段；其中，反应釜具有第一位姿、第二位姿和第三位姿，反应釜可受驱在第一位姿、第二位姿和第三位姿之间旋转切换；当反应釜位于第一位姿时，生长段处于直立状态，使解离腔内的熔体与生长腔内的籽晶分离；当反应釜倾斜至第二位姿时，解离腔内的内容物能够倾倒至流入生长腔中；当反应釜倾斜至第三位姿时，生长段内的内容物能够倾倒至流入解离腔中。本发明将氮元素的解离与生长过程彻底分离，有效解决了初始成核表面不平整的问题，同时能够解决由于蓝宝石与氮化镓单晶之间晶格失配导致的破裂问题，从而有效改善了生长所得的氮化镓单晶的质量。
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公开(公告)号：CN117966275A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410295051.5
申请日：2024-03-14
申请人： 北京大学东莞光电研究院
摘要： 本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种GaN单晶生长装置，包括开设有NH3进气口、N2进气口和HC l进气口的反应器，反应器内设置有第一通道、第二通道、第三通道、镓舟、生长盘、生长衬底和盖板；第三通道的入口连通NH3进气口，第二通道的入口连通N2进气口，第一通道的入口连通HC l进气口，第三通道、第二通道和第一通道的出口均呈扁平状；镓舟与第一通道连通；生长衬底位于第三通道、第二通道和第一通道的出口的前方，且生长衬底设置在生长盘上；盖板位于生长衬底的上方，且盖板的高度高于第三通道。本发明可在生长衬底上形成稳定的层流流场，从而可确保得到高质量的GaN单晶，有利于GaN单晶的产业化。
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公开(公告)号：CN117739789A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311774741.0
申请日：2023-12-21
申请人： 北京大学东莞光电研究院
摘要： 本发明公开一种嵌套物体同轴度测量调控装置及其方法，包括载物台、设置于载物台上方的中心齿轮、及设置于载物台下方的载物支架；载物台上表面的中心设置有用于安装中心齿轮的轮轴，轮轴周侧的不同水平面分布有互相垂直设置的两组第一悬臂组，两组第一悬臂组均与中心齿轮进行啮合；载物支架包括连接于载物台下方的中心轴、及互相垂直设置于中心轴周侧的两组第二悬臂组，中心轴的中轴线与所述轮轴的中轴线重合。本发明齿轮安装在载物台中心轮轴上，分别控制两组第一悬臂伸缩运动；通过第一悬臂和第二悬臂可准确确定内套物与外套物的中心，从而测量并调控同轴度；操作简便，测量调控精度高。
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公开(公告)号：CN117626435A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311667754.8
申请日：2023-12-05
申请人： 北京大学东莞光电研究院
摘要： 本发明公开了一种基于特斯拉阀的氮化镓单晶生长装置及方法，其中，基于特斯拉阀的氮化镓单晶生长装置包括装有熔体的反应釜以及加热组件；反应釜内的第一通道的顶端部与第二通道的顶端部通过第一横道相连通，第一通道的底端部与第二通道的底端部通过第二横道相连通；第一通道与第二通道内分别安装有第一特斯拉阀和第二特斯拉阀。上述设计中，第一特斯拉阀以及第二特斯拉阀具有单向流通特征，在温场的条件下，熔体在第一横道、第一特斯拉阀、第二横道以及第二特斯拉阀依次循环流动，熔体内的氮离子也随着熔体循环流动，第一特斯拉阀以及第二特斯拉阀防止熔体出现湍流或者对流现象，有利于氮离子在熔体中的均匀流动，从而籽晶表面的氮化镓生长速率分布更加均匀。
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公开(公告)号：CN117604636A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311471457.6
申请日：2023-11-06
申请人： 北京大学东莞光电研究院
摘要： 本发明公开一种大尺寸单晶金刚石的制备方法，包括：在异质衬底表面外延生长高取向的多晶金刚石外延层，除去异质衬底得到自支持高取向的多晶金刚石薄片；对多晶金刚石薄片的成核面抛磨找平，再沿着标记方向对多晶金刚石薄片的生长面做直线单向或往复研磨与抛光；在处理后的多晶金刚石薄片的生长面继续外延生长高取向的多晶金刚石外延层，再次对多晶金刚石薄片的成核面抛磨找平和沿着标记方向对多晶金刚石薄片的生长面做直线单向或直线往复研磨与抛光，重复此步骤直至得到单晶金刚石薄片。本发明先在异质衬底上生长多晶金刚石，然后从多晶金刚石逐步过渡为单晶金刚石，降低了对设备、技术及原材料的要求，便于规模化生长大尺寸单晶金刚石。
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公开(公告)号：CN115929960A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211686084.X
申请日：2022-12-27
申请人： 北京大学东莞光电研究院
摘要： 本发明公开了一种自动补气装置，包括基体和通气柱，基体内部为一圆柱形腔体，所述通气柱上段套设有套筒、弹簧、O型垫圈和螺帽，所述通气柱下段设有旁道；所述通气柱的内部设有通气道，所述通气道的上部是进气通道，所述通气道的下部是进气辅道；所述进气通道连通外部高压腔体，所述进气辅道连通旁道，通气道的底部密封，通气柱在基体内部上下滑动。本发明装置不仅可实现反应釜的自动补气功能，使釜内外压力差处于可控范围之内，而且旁道结构可阻碍釜内蒸汽的外溢，保证了反应运行的稳定性与实验结果的可靠性。
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公开(公告)号：CN115910782A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211708231.9
申请日：2022-12-29
申请人： 北京大学东莞光电研究院
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/778
摘要： 本发明公开一种常关型高电子迁移率晶体管的制造方法，包括：在衬底上依次外延生长功能层、沟道层、异质结层、盖帽层和钝化层；衬底背面通过再生长硅单晶层；在衬底上一个指定区域形成贯穿衬底的通孔及在衬底的正面和背面分别沉积电极和电介质层。本发明通过在硅上外延生长GaN/AlGaN结构形成高电子迁移率晶体管，并在硅衬底背面形成MOS器件，通过级联的方式制备出了常关型高电子迁移率晶体管的方案，可有效避免栅电流衰减和开启电压低的问题。
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公开(公告)号：CN113946089B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202111249632.8
申请日：2021-10-26
申请人： 北京大学东莞光电研究院
IPC分类号： G03B21/16
摘要： 本发明涉及投影设备技术领域，尤指一种散热激光投影仪机箱，包括箱体、光源、拉瓦尔喷管、进风风扇及出风风扇，箱体包括相互连通的外腔和内腔；光源设置在内腔内，拉瓦尔喷管设置在外腔和内腔的连接处；进风风扇的出风端与外腔连通；出风风扇的进风端与内腔连通，其出风端与箱体外连通。本发明通过进风风扇将气体在外腔淤积，形成高压区，在外腔与内腔之间形成一定压差，使气体在通过拉瓦尔喷管后，气体变成超音速气体，以高速射流喷射到光源的表面，并快速从内腔流动到腔体外，有效带走热量。
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