公开(公告)号：CN102760791A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210101847.X

申请日：2012-04-09

Applicant: 三星SDI株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 金元均 ,  郭熙峻 ,  朴商镇 ,  金永镇 ,  徐祥源

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/0682 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明公开了一种在太阳能电池中形成掺杂区的方法、一种太阳能电池及其制造方法。在太阳能电池中形成掺杂区的方法包括：制备基底的第一表面和第二表面；在第一表面的一部分中形成掺杂有第一掺杂剂的第一掺杂区；在第一表面上形成氧化硅层，氧化硅层包括第一氧化硅层和第二氧化硅层，第一氧化硅层位于第一掺杂区上且具有第一厚度，第二氧化硅层位于第一表面的未被第一掺杂剂掺杂的部分上并且具有比第一厚度小的第二厚度；从第一表面的外部向第一氧化硅层和第二氧化硅层中注入第二掺杂剂；通过对第一氧化硅层、第二氧化硅层和基底执行热处理形成与第一掺杂区相邻的第二掺杂区。

公开(公告)号：CN103050655B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201210265547.5

申请日：2012-07-27

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴仁洙 ,  朴商镇

IPC: H01M2/20 ,  H01M10/04

CPC classification number: H01M2/202 ,  H01M2/0207 ,  H01M2/204 ,  H01M2/24 ,  H01M6/42

Abstract: 一种电池组和用于电池组的引线电极。引线电极包括多个端部连接部分和主体部分，每一个端部连接部分可连接到电池单元或保护电路模块，主体部分连接所述多个端部连接部分并且具有的厚度大于每一个端部连接部分的厚度。

公开(公告)号：CN103050652B8

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201210258689.9

申请日：2012-07-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 龙俊善 ,  金昌燮 ,  李相辰 ,  韩文弘 ,  朴商镇

IPC: H01M2/10 ,  H01M2/20 ,  H01M10/48

Abstract: 本发明提供了一种二次电池。该二次电池包括：电极组件；壳，容纳电极组件；盖板，覆盖壳的开口；安全器件，在盖板上；加强件，在安全器件上并将安全器件保持得抵靠着盖板；以及电极端子，电连接到电极组件并将安全器件和加强件固定到盖板。

公开(公告)号：CN103117363A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201210258733.6

申请日：2012-07-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 龙俊善 ,  金昌燮 ,  李相辰 ,  鲁世源 ,  朴商镇

IPC: H01M2/04 ,  H01M2/30

CPC classification number: H01M2/02 ,  H01M2/04 ,  H01M2/0404 ,  H01M2/0473 ,  H01M2/06 ,  H01M2/30 ,  H01M2/34

Abstract: 本发明提供了一种二次电池，包括：电极组件；壳，容纳电极组件；盖板，覆盖壳的开口；安全器件，位于盖板上并包括第一引线；和电极端子，电连接电极组件和第一引线，盖板包括导电构件和绝缘部分，第一引线在绝缘部分上被支撑，且导电构件和绝缘部分一体地形成。

公开(公告)号：CN103050655A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210265547.5

申请日：2012-07-27

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴仁洙 ,  朴商镇

IPC: H01M2/20 ,  H01M10/04

CPC classification number: H01M2/202 ,  H01M2/0207 ,  H01M2/204 ,  H01M2/24 ,  H01M6/42

Abstract: 一种电池组和用于电池组的引线电极。引线电极包括多个端部连接部分和主体部分，每一个端部连接部分可连接到电池单元或保护电路模块，主体部分连接所述多个端部连接部分并且具有的厚度大于每一个端部连接部分的厚度。

公开(公告)号：CN103050652A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210258689.9

申请日：2012-07-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 龙俊善 ,  金昌燮 ,  李相辰 ,  韩文弘 ,  朴商镇

IPC: H01M2/10 ,  H01M2/20 ,  H01M10/48

CPC classification number: H01M2/06 ,  H01M2/0469 ,  H01M2/0473 ,  H01M2/22 ,  H01M2/34 ,  H01M2200/00

Abstract: 本发明提供了一种二次电池。该二次电池包括：电极组件；壳，容纳电极组件；盖板，覆盖壳的开口；安全器件，在盖板上；加强件，在安全器件上并将安全器件保持得抵靠着盖板；以及电极端子，电连接到电极组件并将安全器件和加强件固定到盖板。

公开(公告)号：CN103050652B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201210258689.9

申请日：2012-07-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 龙俊善 ,  金昌燮 ,  李相辰 ,  韩文弘 ,  朴商镇

IPC: H01M2/10 ,  H01M2/20 ,  H01M10/48

CPC classification number: H01M2/06 ,  H01M2/0469 ,  H01M2/0473 ,  H01M2/22 ,  H01M2/34 ,  H01M2200/00

Abstract: 本发明提供了一种二次电池。该二次电池包括：电极组件；壳，容纳电极组件；盖板，覆盖壳的开口；安全器件，在盖板上；加强件，在安全器件上并将安全器件保持得抵靠着盖板；以及电极端子，电连接到电极组件并将安全器件和加强件固定到盖板。

公开(公告)号：CN103811572A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310560386.7

申请日：2013-11-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 姜允默 ,  朴商镇 ,  李斗烈 ,  金亨基 ,  牟灿滨 ,  朴暎相 ,  徐京真 ,  金珉圣 ,  洪俊基 ,  任兴均 ,  宋珉澈 ,  朴省赞 ,  金东燮

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/065 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/022466

Abstract: 本发明提供了一种光电装置及其制造方法。该光电装置包括：半导体基底，包括单晶硅并具有彼此相反的第一表面和第二表面；掺杂单元，形成在半导体基底的第一表面上；以及绝缘层，形成在掺杂单元和半导体基底的第二表面之间，其中，掺杂单元包括第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包括掺杂在单晶硅中的第一掺杂剂，第二半导体层包括掺杂在单晶硅中的第二掺杂剂。

公开(公告)号：CN102760791B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210101847.X

申请日：2012-04-09

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金元均 ,  郭熙峻 ,  朴商镇 ,  金永镇 ,  徐祥源

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/0682 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明公开了一种在太阳能电池中形成掺杂区的方法、一种太阳能电池及其制造方法。在太阳能电池中形成掺杂区的方法包括：制备基底的第一表面和第二表面；在第一表面的一部分中形成掺杂有第一掺杂剂的第一掺杂区；在第一表面上形成氧化硅层，氧化硅层包括第一氧化硅层和第二氧化硅层，第一氧化硅层位于第一掺杂区上且具有第一厚度，第二氧化硅层位于第一表面的未被第一掺杂剂掺杂的部分上并且具有比第一厚度小的第二厚度；从第一表面的外部向第一氧化硅层和第二氧化硅层中注入第二掺杂剂；通过对第一氧化硅层、第二氧化硅层和基底执行热处理形成与第一掺杂区相邻的第二掺杂区。

公开(公告)号：CN103050568A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210371153.8

申请日：2012-09-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴商镇 ,  宋珉澈 ,  朴省赞 ,  金东燮 ,  金元均 ,  徐祥源

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L21/223 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/2256 ,  H01L21/268 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：提供具有第一导电类型的半导体基底；执行第一沉积工艺，所述第一沉积工艺包括形成具有与第一导电类型不同的第二导电类型的第一掺杂材料层；执行推阱工艺，所述推阱工艺包括将其上具有第一掺杂材料层的基底进行加热；在执行推阱工艺之后执行第二沉积工艺，第二沉积工艺包括在第一掺杂材料层上形成第二掺杂材料层，其中，第二掺杂材料层具有第二导电类型；用激光将基底、第一掺杂材料层和第二掺杂材料层的部分进行局部加热，从而在基底的第一表面处形成接触层；以及在接触层上形成第一电极，并在基底的与第一表面相对的第二表面上形成第二电极。