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公开(公告)号：CN105047528B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201510219200.0
申请日：2015-05-04
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了属于半导体技术领域的一种用于制备大面积柔性超薄单晶硅片的湿法化学腐蚀法。本发明采用N（100）双面抛光单晶硅片，利用丙酮、无水乙醇、去离子水和氢氟酸预处理得到清洁的硅表面，配制由氢氧化钾、异丙醇和去离子水均匀混合而成的减薄液并放入水浴中预热，然后把用夹具固定好的硅片浸入减薄液，通过控制反应时间和温度可获得所需厚度的超薄硅片。超薄硅片表面光亮平整，呈镜面效果，无明显的减薄缺陷。本发明利用单步法简化硅片减薄的工艺过程，并保持了低温、常压下湿法腐蚀的特征，首次获得了厚度可达10mm以下的超薄硅片，拓宽了湿法硅刻蚀的应用范畴，为硅片减薄工艺提供了新的思路和技术手段。
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公开(公告)号：CN103241733A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310182429.2
申请日：2013-05-16
Applicant: 华北电力大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明属于新型材料和半导体工艺技术领域，特别涉及一种适于大面积石墨烯无污染无褶皱的转移方法。本发明无需用PMMA等有机物作为石墨烯的保护层，而是直接用腐蚀液将金属基底去除，得到漂浮在液面上的石墨烯膜。然后将腐蚀液稀释至近乎纯水，再以适合的速度使水面平稳下降；石墨烯在随水面下降的过程中与置于其下方的倾斜目标基底接触，并在水面张力的“拉展”作用下平展地铺在目标基底上，实现了石墨烯无污染无褶皱的转移，此法适用于大面积石墨烯的转移。本发明工艺简单优化，成本低，从根本上抑制了有机物对石墨烯的污染，并且减小了转移过程中对石墨烯的损伤，同时避免了微小“褶皱”的形成。
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公开(公告)号：CN103117356A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310064539.9
申请日：2013-02-28
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L33/64
Abstract: 本发明属于芯片散热领域，特别涉及一种基于碳纳米管阵列的芯片散热方法。本发明采用热沉作为衬底，采用CVD方法沉积高取向、稠密碳纳米管阵列，将该阵列按芯片尺寸及形状切割，然后采用简单的工艺技术使碳纳米管阵列与芯片紧密接触，并将该结构封装、固化。本发明充分发挥了碳纳米管阵列的轴向高导热率的特性，实现了芯片与热沉之间的高效热传导，获得了LED芯片等发热芯片的高度散热效果，保持了LED等器件的高稳定性工作，并可延长其寿命。
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公开(公告)号：CN103050378A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210470483.2
申请日：2012-11-19
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种易于大面积分离的硅纳米线阵列的制备方法，属于纳米材料技术和应用技术领域。本发明首先对硅片进行处理，得到表面清洁光滑的硅片；然后将硅片放在两个电极之间，并和电极一起放入刻蚀液中刻蚀反应，得到不同长度的硅纳米线阵列；在刻蚀结束前的10~15min时，加入电场强度为150~220V/cm且垂直于刻蚀方向的横向电场直至反应结束；最后用硝酸去除残留在硅纳米线阵列中的银、用氢氟酸去除硅片表面的氧化层即得到易于大面积分离的硅纳米线阵列。本发明工艺简单、可重复性好、灵活可控、成本低；首次引入外加横向电场制备易于分离的硅纳米线阵列，解决了传统硅纳米线阵列转移中不易分离且转移后长度不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN102817084A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210276363.9
申请日：2012-08-03
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明属于纳米材料制备方法技术领域，特别涉及一种硅纳米线双层阵列结构材料的制备方法。本发明采用（100）单晶硅片，利用金属纳米粒子催化刻蚀技术减薄硅片，使其厚度低于100μm。把获得的薄单晶硅片用聚四氟乙烯夹具夹持并放入刻蚀液，在薄硅片上、下表面同时刻蚀，控制反应温度与时间获得硅纳米线双层阵列结构材料。本发明首次利用薄硅片上、下表面刻蚀形成硅纳米线双层阵列结构材料，调控薄单晶硅片的厚度可控制硅纳米线阵列双层结构的厚度。本发明成本低、操作步骤简单、且与现有纳米器件制备工艺相兼容，可降低新型纳米器件的制作成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102817084B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201210276363.9
申请日：2012-08-03
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明属于纳米材料制备方法技术领域，特别涉及一种硅纳米线双层阵列结构材料的制备方法。本发明采用（100）单晶硅片，利用金属纳米粒子催化刻蚀技术减薄硅片，使其厚度低于100 μm。把获得的薄单晶硅片用聚四氟乙烯夹具夹持并放入刻蚀液，在薄硅片上、下表面同时刻蚀，控制反应温度与时间获得硅纳米线双层阵列结构材料。本发明首次利用薄硅片上、下表面刻蚀形成硅纳米线双层阵列结构材料，调控薄单晶硅片的厚度可控制硅纳米线阵列双层结构的厚度。本发明成本低、操作步骤简单、且与现有纳米器件制备工艺相兼容，可降低新型纳米器件的制作成本。
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公开(公告)号：CN102354661B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201110251150.6
申请日：2011-08-29
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明公开了属于微电子技术领域的一种基于金属纳米粒子催化的硅片减薄方法。本发明采用(100)或(111)硅片，利用丙酮、CP4-A溶液和氢氟酸常温预处理得到清洁的硅表面。配制硝酸银、双氧水、氢氟酸均匀混合的减薄液并放入水浴中预热，把硅片浸入减薄液，通过控制反应时间、温度与溶液配比可获得所需厚度的超薄硅片。本发明首次利用金属纳米粒子催化特性进行硅片均匀腐蚀，利用单步法简化硅片减薄的工艺过程，并保持了近常温、常压下湿法腐蚀的特征，获得厚度小于50μm的超薄硅片，拓宽了金属纳米粒子催化硅刻蚀的应用范畴，为硅片减薄工艺提供新的思路和技术手段。
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公开(公告)号：CN102299207B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110252280.1
申请日：2011-08-30
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种用于太阳电池的多孔金字塔型硅表面陷光结构制备方法，清洗硅片后，采用碱刻蚀制备金字塔结构表面，然后再结合贵金属纳米粒子催化刻蚀的方法制得多孔金字塔表面陷光结构，采用本发明的方法制备出的硅表面多孔金字塔型陷光结构，在300nm到1000nm的光谱范围内其平均反射率降到了3.3％的水平，为提高硅太阳能电池的效率提供了新的技术手段。本发明综合利用传统碱刻蚀与贵金属纳米粒子辅助刻蚀的工艺方法、保持湿法刻蚀的特征，获得硅表面的更高减反射效果。
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公开(公告)号：CN102330142A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110261035.7
申请日：2011-09-05
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种硅表面纳米多孔减反射结构的制备方法。本发明采用(100)或(111)取向单晶硅片，将清洗后的硅片直接浸入到酸性刻蚀溶液中，经短时间(2-10分钟)刻蚀后在硅表面形成纳米多孔结构，获得了较好减反射效果的陷光结构，在300～1000nm的光谱范围内的反射率降低到5％。本发明采用单步溶液法实现了硅表面的微刻蚀，简化了贵金属辅助化学刻蚀硅的工艺过程，同时保持常温湿法刻蚀的特征，获得硅表面的更高减反射效果，为提高硅基太阳能电池的效率提供新的技术手段。
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公开(公告)号：CN102304766B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201110260398.9
申请日：2011-09-05
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了属于太阳能电池技术领域的一种硅表面陷光结构的制备方法。本发明采用(100)或(111)硅片，采用银镜反应在硅片表面镀银，把镀银后的硅片在酸性刻蚀液中浸泡，获得了减反射陷光结构。该陷光结构在300nm到1000nm的光谱范围内的反射率降低到3.4％。本发明在保持常温湿法刻蚀特征的基础上，通过银镜反应简化了贵金属纳米粒子镀覆的工艺过程，获得了硅表面更高的减反射效果，为提高硅基太阳能电池的效率提供新的技术手段。
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