-
公开(公告)号：CN118472128A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410695961.2
申请日：2024-05-31
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
摘要： 本发明公开了一种垂直结构Micro‑LED发光模组及其制备方法，包括：在硅衬底GaN基外延层上制备第一反射电极层和金属掩膜层；刻蚀获得金属掩膜层阵列和第一反射电极层阵列；刻蚀制备出完全独立的Micro‑LED像素单元和牺牲层阵列；侧壁制备侧壁钝化层，在侧壁钝化层的间隙填充第一隔离层，在金属掩膜层阵列的表面制备第一键合金属层阵列；在驱动电路基板的表面制备第二键合金属层阵列，并在阵列间隙填充第二隔离层；第一键合金属层阵列与第二键合金属层阵列键合；去除硅衬底和牺牲层阵列，并在第二电极接触层阵列和第一隔离层的表面制备第二电极层，最终获得Micro‑LED发光模组。本发明的制备方法能够简化垂直结构Micro‑LED发光模组制备工艺流程，提高生产效率，有利于实际生产及应用。
-
公开(公告)号：CN117293157A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310589759.7
申请日：2023-05-24
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有高色纯度的氮化镓基全彩Micro‑LED显示模组及制备方法，该制备方法首先利用MOCVD外延生长获得氮化镓基蓝光、氮化镓基绿光和氮化镓基红光三种颜色的外延片，利用光刻、ICP刻蚀和制备电极得到氮化镓基蓝光、绿光和红光三色Micro‑LED像素阵列，然后将三种颜色的氮化镓基Micro‑LED设置在驱动基板上，实现氮化镓基全彩Micro‑LED显示模组，最后在氮化镓基全彩Micro‑LED上生长介质滤波膜，该介质滤波膜具有可以同时对氮化镓基红光Micro‑LED像素和氮化镓基绿光Micro‑LED像素发出来的光过滤，实现窄发光峰的红光和绿光，同时红光和和绿光发光稳定。本发明可以提高氮化镓基全彩Micro‑LED显示模组的色纯度及稳定性。
-
公开(公告)号：CN116779730A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202211084815.3
申请日：2022-09-06
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种GaN基Micro‑LED低损伤刻蚀方法，包括：在GaN基Micro‑LED上形成刻蚀掩膜，以及对GaN基Micro‑LED进行刻蚀，特征是：对GaN基Micro‑LED刻蚀分为四个步骤，①钝化：通入钝化气体在刻蚀掩膜和GaN基Micro‑LED的表面生成一层聚合物作为钝化膜；②刻蚀：使用主刻蚀气体对钝化膜进行刻蚀，完成对钝化膜刻蚀后，继续对GaN基Micro‑LED进行刻蚀；③清扫：通入惰性气体对表面进行清扫；④以钝化‑刻蚀‑清扫的方式循环进行，最终完成刻蚀；所述刻蚀方式为Cl基气体对钝化层和需刻蚀层一同刻蚀，利用刻蚀的各向异性，完成对GaN基Micro‑LED低损伤刻蚀。本发明在刻蚀GaN的过程引入能产生聚合物的钝化气体，最大可能地保护刻蚀侧壁，降低了刻蚀损伤对侧壁的影响，最终达到低损伤刻蚀GaN的目的。
-
公开(公告)号：CN116314517A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310217081.X
申请日：2023-03-08
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种垂直结构隧道结氮化镓发光二极管及其制备方法，在该方法中首先外延生长包含隧道结的外延片；通过制备沟槽的方式，使隧道结中的p型氮化物层暴露在环境中；对隧道结中的p型氮化物层进行热激活，p型氮化物层中的H可以通过沟槽扩散到环境中，实现隧道结中的p型氮化物层中较高的空穴浓度；另外，含隧道结的氮化镓发光二极管是垂直结构，底部的金属反射镜电极在沟槽的脊上，顶部的金属n电极位置正对沟槽位置，电极的错开分布设计，不仅助于电流的扩展，还减少出光损失。本发明可以实现大尺寸含隧道结中被掩埋p型氮化物层的激活，有利于大尺寸隧道结氮化镓发光二极管的应用。
-
公开(公告)号：CN113921677A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111158607.9
申请日：2021-09-30
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlGaInN发光二极管的接触结构，包括AlGaInN接触层，第一接触层和第二接触层；第二接触层越过第一接触层与AlGaInN接触层接触；第一接触层位于AlGaInN接触层和第二接触层之间；第一接触层至少与AlGaInN接触层和第二接触层的一个是肖特基接触或者绝缘。本发明通过改变第一接触层面积，调节AlGaInN接触层与第二接触层的在各处的接触面积和电阻，在保证电流在第二接触层上传输的前提下，分配AlGaInN接触层和器件各处所获得的电流比例。
-
公开(公告)号：CN113445005A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110555105.3
申请日：2021-05-21
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种低应力TiW薄膜的制备方法，它是在待沉积薄膜的基片上，小沉积速率下生长偏薄的种子薄膜层，大沉积速率下生长主要薄膜层，通过控制生长的厚度和速率，使得两层的薄膜达到最优结合，得到低应力的TiW薄膜。本发明在基片上分步沉积TiW薄膜，小沉积速率下生长的种子薄膜层致密度高，通过与基片原子相互融合获得具有高可靠性的界面；大沉积速率下生长的主要薄膜层，在种子层缓冲基础上生长的薄膜附着力增强，使得TiW薄膜厚度稳定、分布均匀，对基片的应力减弱、消散，使其变形量较小并得到低应力高质量的TiW薄膜的制备方法。本发明的TiW薄膜可以通过常用沉积方式进行制备，获得薄膜的稳定性高，膜层应力低，具有较好的可用及推广性。
-
公开(公告)号：CN113437194A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110575377.X
申请日：2021-05-26
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种高反射低欧姆接触电极的制备方法，所述高反射低欧姆接触电极主要应用在半导发光芯片中。制造过程中，在衬底上生长多层包括N型层、发光层和P型层的氮化物。所述高反射低欧姆接触电极是制备在P型层的氮化物之上，且为能与P型层形成良好欧姆接触的金属纳米点和Ag反射镜的双层结构。金属纳米点的存在，有效地改善了Ag反射镜的薄膜晶体质量，显著地提高了Ag反射镜的反射率，降低了半导发光芯片的工作电压，从而提升了半导发光芯片的电光转化效率。
-
公开(公告)号：CN111200045A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN202010222574.9
申请日：2020-03-26
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种反射镜和P电极相互独立的AlGaInP LED芯片及制备方法，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、P电极金属层、反射金属层、低折射率介质层、P型掺杂层、发光层、具有粗化表面的粗化层、N型掺杂层、N电极，所述反射金属层与所述低折射率介质层构成全方位反射镜，反射金属层与低折射率介质层上设有若干P电极孔，P电极金属层通过P电极孔与P型掺杂层接触；N电极由焊盘和若干扩展电极线组成，P电极孔位于相邻的扩展电极线之间。本发明提出的反射镜和P电极相互独立的AlGaInP LED芯片，可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终可以提高AlGaInP LED芯片的电光转换效率。
-
公开(公告)号：CN118538835A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410713135.6
申请日：2024-06-04
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC分类号： H01L33/00 , H01L25/075 , H01L33/62
摘要： 本发明公开了一种制备Micro‑LED发光模组的方法，包括以下步骤：S1在硅衬底外延层上整面沉积金属键合层；S2在CMOS基板上的驱动电极的表面制备金属键合单元；S3在金属键合单元的间隙填充第一隔离层；S4金属键合层与金属键合单元完成键合；S5去除硅衬底；S6对暴露出的外延层进行减薄或粗化；S7分割外延层形成芯片单元，芯片单元与金属键合单元一一对应；S8在所述芯片单元的侧壁制备钝化层；S9将所述金属键合层分割形成相互独立的金属单元，金属单元、芯片单元、金属键合单元和驱动电极构成像素单元；S10在所述像素单元的间隙填充第二隔离层；S11在所述像素单元和第二隔离层的上方生长透明导电薄膜或/和金属层作为N电极，获得Micro‑LED发光模组。
-
公开(公告)号：CN109360880B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201811234462.4
申请日：2018-10-23
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料，自下而上依次包括N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、第一腐蚀阻挡层、第二腐蚀阻挡层、第一N型粗化层、第二N型粗化层、N型限制层、N侧空间层、多量子阱发光区、P侧空间层、P型限制层、P型电流扩展层、P型欧姆接触层。本发明还公开了一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料的制备方法。通过本发明可直接在第一N型粗化层上制备N电极，消除了欧姆接触层的光吸收问题，还可提高N电极的粘附性，简化N面出光AlGaInP LED薄膜芯片制备工艺，有效提高芯片指标并降低成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
58 条记录 (耗时 0.05 秒)
