-
公开(公告)号：CN119684623A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411870236.0
申请日：2024-12-18
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 一种拓扑星形纳米中空反应器的制备方法及其应用，本发明是为了解决传统的MOF衍生的纳米中空反应器的形成需要模板辅助，去除模板的条件苛刻的问题。制备方法：一、将硝酸锌和CTAB混合溶于去离子水中，得到硝酸锌溶液；向去离子水中加入2‑甲基咪唑，搅拌后得到甲基咪唑溶液，将甲基咪唑溶液加入到硝酸锌溶液中反应得到星形ZIF‑8纳米柱材料；二、向星形ZIF‑8纳米柱材料分散液中加入单宁酸水溶液，得到星形中空ZIF‑8纳米柱材料；三、煅烧处理得到拓扑星形纳米中空反应器。本发明通过简易温和的化学手段实现了对MOF基材料几何拓扑结构的有效调控，利用有机酸刻蚀中空结构，避免了传统刻蚀中模板去除步骤的复杂性。
-
公开(公告)号：CN119230628A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411341625.4
申请日：2024-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 河南碳真芯材科技有限公司 , 哈工大郑州研究院
Abstract: 利用金刚石固态量子自旋探测宽谱紫外光的方法及紫外电探测器的应用，本发明利用金刚石NV色心电荷态在UV作用下会发生转变，其光谱强度也会相应发生变化的特点。本发明利用金刚石固态量子自旋探测宽谱紫外光的方法中首先制备带有NV色心的金刚石，使用激光对带有NV色心的金刚石进行辐照激发，通过光学传感器采集金刚石外延区域处的荧光强度信号，当带有NV色心的金刚石受到紫外光照射时，荧光强度信号在575nm～637nm波段产生增强响应。本发明通过金刚石NV色心电荷态对紫外敏感的特点，通过光学传感器监测金刚石在激光激发下加载UV，光电信号对575nm及其声子边带范围内光学信号响应的变化，对紫外进行探测。
-
公开(公告)号：CN119218990A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411341623.5
申请日：2024-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 河南碳真芯材科技有限公司 , 哈工大郑州研究院
Abstract: 利用紫外光调节金刚石固态量子自旋电荷态的方法及其应用，本发明是为了解决调控NV色心两种电荷态的难题。利用紫外光调节金刚石固态量子自旋电荷态的方法：一、制备带有氮空位色心金刚石；二、以激光作为激发光源，对带有色心的金刚石进行辐照；三、在激光辐照条件下，同时施加紫外光源进行辐照，使中性电荷态NV0含量增加，从而完成利用紫外光调节金刚石固态量子自旋电荷态的方法。本发明通过紫外光辐照的方式对NV色心电荷态进行调控，与终端法和肖特基接触法相比具有非接触、无破坏性的特点，能够更好的保证晶体质量。本发明调节金刚石固态量子自旋电荷态的方法能够推进NV色心在量子精密测量以及可扩展性量子系统的应用。
-
公开(公告)号：CN119170598A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202310738323.X
申请日：2023-06-20
IPC: H01L23/528 , H01L21/60
Abstract: 本申请实施例公开了一种器件互连组件及其制备方法、电子设备，涉及机械结构，改善了器件互连处性能不佳的问题。具体方案为：在第一器件表面形成第一连续相结构层，第一连续相结构层包括粒径大的第一金属颗粒和贯穿在第一金属颗粒之间的孔隙，第一金属颗粒相互连接。在第二器件表面形成含有粒径小的第二金属颗粒的预制层，贴合预制层和第一连续相结构层，然后烧结，使第二金属颗粒进入孔隙内并连接形成第二连续相结构。第二连续相结构和第一金属颗粒连接。烧结过程中液体或气体从孔隙内排出，使复合层质地均匀。具有尺寸差异的第一金属颗粒和第二金属颗粒相互填充，提高第一器件和第二器件的连接强度和传热性能，同时空隙为应力提供缓冲。
-
公开(公告)号：CN114112100B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202111623400.4
申请日：2021-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及温度传感技术领域，尤其涉及一种温度敏感触头及分布式温度传感系统，该温度敏感触头包括金刚石基板、金属衬底和壳体；金刚石基板具有NV色心；金属衬底为周期性纳米金属结构，铺设在金刚石基板一侧的表面上，构成金刚石超表面，用于增强637nm波长等离子体信号；壳体套设在金刚石基板和金属衬底的外部，且设有输入光纤耦合口、输出光纤耦合口和波导耦合口；输入光纤耦合口和输出光纤耦合口均设置在金属衬底远离金刚石基板的一侧，且与金属衬底之间存在谐振空腔；波导耦合口为空心结构，穿入壳体，设于金刚石基板和金属衬底的一端。本发明可实现对温度的精准探测，且集成度高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116072744B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202310058297.6
申请日：2023-01-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0224 , C23C14/18 , C23C14/02 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C14/04 , C23C14/24 , C30B33/00 , C30B29/04 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 一种采用铟纳米粒子局域表面等离激元共振提升金刚石紫外探测性能的方法，本发明的目的是为了提高金刚石紫外探测器光谱的响应率。提升金刚石紫外探测性能的方法：一、将本征单晶金刚石浸于混合酸中加热，得到带有氧终端的金刚石；二、样品清洗；三、采用磁控溅射法依次在清洗后的金刚石表面溅射钛层和金层，形成叉指电极，退火处理得到欧姆接触的金刚石；四、在欧姆接触的金刚石的表面设置阳极氧化铝掩膜，通过热蒸发铟在欧姆接触的金刚石表面镀制铟纳米岛。本发明采用铟纳米粒子局域表面等离激元共振增强金刚石紫外探测光谱响应率，拓展了增强金刚石紫外探测性能的途径，使金刚石紫外探测器更加接近行业认可的“5S”标准。
-
公开(公告)号：CN118116978A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410248833.3
申请日：2024-03-05
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L21/329 , G01K7/01
Abstract: 通过低掺杂耗尽层实现高灵敏度的金刚石肖特基二极管温度传感器及其制备方法，本发明是为了解决现有二级管温度传感器传感灵敏度低、温度监测范围小的问题。本发明通过低掺杂耗尽层实现高灵敏度的金刚石肖特基二极管温度传感器包括本征金刚石衬底、高浓度掺硼金刚石层、欧姆电极、金刚石低掺杂耗尽层和肖特基电极，在本征金刚石衬底上沉积高浓度掺硼金刚石层，在高浓度掺硼金刚石层上沉积欧姆电极并以欧姆电极作为金属掩膜进行选择性生长外延金刚石低掺杂耗尽层，在金刚石低掺杂耗尽层上沉积薄金属电极作为肖特基电极。本发明通过低掺杂耗尽层实现高灵敏度的金刚石肖特基二极管温度传感器具有更大的温度监测范围、更高的温度传感灵敏度。
-
公开(公告)号：CN116682719A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310648681.1
申请日：2023-06-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , C30B23/02 , C30B29/02 , C30B33/02 , C23C14/35 , C23C14/16 , C30B25/16 , C30B29/04
Abstract: 基于电流变化确定Ir衬底上金刚石偏压增强形核最佳处理时长的方法，本发明的目的是为了解决BEN工艺最佳处理时长受到较多因素影响，形核时长难以确定的问题。最佳处理时长的确定方法：一、制备导电复合衬底；二、在某一工艺体系下进行长时间的偏压增强形核处理，使偏置电流升高至峰值Imax，并检测至偏置电流产生下降，绘制I‑t图，从I‑t图中获取偏置电流达到峰值时对应的BEN处理时长和偏置电流峰值较之初始值的增幅ΔI，该工艺体系下BEN最佳处理时长确定为当偏置电流升高且增幅达到ΔI的处理时长。本发明提供了一种有效保证获得最高晶畴覆盖率和最低非外延小晶粒数量的方法，显著提高异质外延金刚石的形核密度和外延比例。
-
公开(公告)号：CN116669521A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310873049.7
申请日：2023-07-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金刚石集成半导体制冷器结构及其制备方法，涉及半导体制冷器结构及其制备方法。解决现有金刚石基半导体制冷器无法实现主‑被动一体式的问题。结构由金刚石衬底、下金属电极、第一型热电偶、第二型热电偶、金刚石生长层一、上金属电极及金刚石生长层二组成；方法：一、通过光刻和物理气相沉积技术，在金刚石衬底表面沉积下金属电极；二、通过光刻和物理气相沉积技术，或者通过焊接技术，制备第一型热电偶和第二型热电偶；三、利用化学气相沉积技术，制备金刚石生长层一；四、通过光刻和物理气相沉积技术，沉积上金属电极；五、利用化学气相沉积技术，制备金刚石生长层二。本发明用于金刚石集成半导体制冷器结构及其制备。
-
公开(公告)号：CN111933514B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202010806924.6
申请日：2020-08-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 电子束蒸镀工艺制备外延单晶金刚石用Ir(111)复合衬底的方法，本发明为了解决现有技术中难以在α‑Al2O3上获得(111)晶面Ir外延层的技术问题，制备方法：一、对α‑Al2O3(0001)进行超声清洗；二、将α‑Al2O3(0001)固定在样品托中，Ir颗粒靶材置于石墨坩埚里；三、腔体抽真空；四、样品升温至一定温度；五、打开电子枪高压及靶材挡板，在样品表面沉积Ir外延层；六、沉积结束后关闭靶材挡板和电子枪高压；七、退火处理。本发明采用电子束蒸镀法制备(111)面Ir外延层的方法，制备的Ir外延层与α‑Al2O3之间热膨胀系数差异更小，结晶质量更优，结合力更强。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
216
records
(took 0.028 seconds)
