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公开(公告)号：CN1411039A
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：CN02144068.9
申请日：2002-09-29
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/465 , C25F3/16 , C25F7/00
CPC分类号： C25F3/00 , H01L21/32115
摘要： 通过在电解液内在阳电极与反电极之间施加电压，同时使所述阳电极与靶材料的表面接触，电解抛光靶材料。阳电极由一种电极材料形成，在使用恒电势器的电化学测量中，在0.1M的高氯酸溶液内，相对于银/氯化银电极，施加+2.5V电压时，该电极材料具有不高于10mA/cm2的电流密度。
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公开(公告)号：CN100372098C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200510074824.4
申请日：2005-06-03
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/00
摘要： 根据本发明的一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：通过电镀方法在其表面中具有凹槽部分的衬底上形成第一金属膜，以将所述第一金属膜埋入所述凹槽部分的至少部分中；通过不同于所述电镀方法的膜沉积方法在所述第一金属膜上形成第二金属膜，所述第二金属膜包括作为主要成分的金属并包含杂质，所述金属是所述第一金属膜的主要成分，所述杂质的浓度低于所述第一金属膜中包含的杂质的浓度；热处理所述第一和第二金属膜；以及除去除了埋入所述凹槽中的部分之外的所述第一和第二金属膜。
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公开(公告)号：CN1212651C
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN02144068.9
申请日：2002-09-29
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/465 , C25F3/16 , C25F7/00
CPC分类号： C25F3/00 , H01L21/32115
摘要： 通过在电解液内在阳电极与反电极之间施加电压，同时使所述阳电极与靶材料的表面接触，电解抛光靶材料。阳电极由一种电极材料形成，在使用恒电势器的电化学测量中，在0.1M的高氯酸溶液内，相对于银/氯化银电极，施加+2.5V电压时，该电极材料具有不高于10mA/cm2的电流密度。
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公开(公告)号：CN100416753C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200510007566.8
申请日：2005-02-05
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L21/02074 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/3212 , H01L21/7684
摘要： 在半导体晶片上提供包含金属离子的基本CMP浆料的同时，使半导体晶片经受抛光处理，以至少部分地除去金属材料层，其中半导体晶片在半导体衬底上包括下层和金属材料层，下层包括在其中具有至少一个凹部的绝缘层，金属材料层形成在下层的顶表面上并填充凹部。然后，将螯合金属离子的有机酸添加到基本CMP浆料，并使用添加了有机酸的CMP浆料进行抛光，直到绝缘层的表面被露出。
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公开(公告)号：CN1624208A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410096554.2
申请日：2004-11-30
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： C25D7/12 , C25D5/18 , H01L21/768 , H01L21/00
CPC分类号： C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/002 , C25D17/10 , C25D21/00 , H01L21/2885 , H01L21/76877
摘要： 根据本发明的一个实施例，提供一种电镀装置，包括：贮存电镀溶液的电镀溶液槽；在电镀溶液槽中固定其上形成籽晶层的衬底的固定器；放在电镀溶液槽中的第一阳极，该第一阳极由氧化－还原电位比构成籽晶层的金属的氧化－还原电位更高的阳极金属构成，并且电连接到由固定器固定的衬底的籽晶层上；以及放在所述电镀溶液槽中的第二阳极，该第二阳极能够在由固定器固定的衬底的籽晶层之间施加电压。
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公开(公告)号：CN100366694C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200310104711.5
申请日：2003-10-31
IPC分类号： C09G1/04
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02 , H01L21/02024
摘要： 本发明提供了一种使所要抛光的表面平面化和具有高储存稳定性的用于化学机械抛光的水分散体，一种在抛光不同材料的表面时具有优异的选择性的化学机械抛光工艺，和一种半导体设备生产工艺。第一水分散体包含水溶性季铵盐，无机酸盐，磨料颗粒和水介质。第二水分散体包含至少一种水溶性季铵盐，非水溶性季铵盐的另一碱性有机化合物，无机酸盐，水溶性聚合物，磨料颗粒和水介质。第二水分散体由通过将水溶性季铵盐和无机酸盐混入水介质而得到的第一水分散体材料(I)，和通过将水溶性聚合物和非水溶性季铵盐的另一碱性有机化合物混入水介质而得到的第二水分散体材料(II)组成。磨料颗粒包含在至少一种水分散体材料中。
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公开(公告)号：CN100342062C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200410096554.2
申请日：2004-11-30
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： C25D7/12 , C25D5/18 , H01L21/768 , H01L21/00
CPC分类号： C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/002 , C25D17/10 , C25D21/00 , H01L21/2885 , H01L21/76877
摘要： 根据本发明的一个实施例，提供一种电镀装置，包括：贮存电镀溶液的电镀溶液槽；在电镀溶液槽中固定其上形成籽晶层的衬底的固定器；放在电镀溶液槽中的第一阳极，该第一阳极由氧化-还原电位比构成籽晶层的金属的氧化-还原电位更高的阳极金属构成，并且电连接到由固定器固定的衬底的籽晶层上；以及放在所述电镀溶液槽中的第二阳极，该第二阳极能够在由固定器固定的衬底的籽晶层之间施加电压。
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公开(公告)号：CN1652297A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510007566.8
申请日：2005-02-05
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L21/02074 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/3212 , H01L21/7684
摘要： 在半导体晶片上提供包含金属离子的基本CMP浆料的同时，使半导体晶片经受抛光处理，以至少部分地除去金属材料层，其中半导体晶片在半导体衬底上包括下层和金属材料层，下层包括在其中具有至少一个凹部的绝缘层，金属材料层形成在下层的顶表面上并填充凹部。然后，将螯合金属离子的有机酸添加到基本CMP浆料，并使用添加了有机酸的CMP浆料进行抛光，直到绝缘层的表面被露出。
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公开(公告)号：CN1202558C
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN02131623.6
申请日：2002-09-11
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/02063 , H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/7684
摘要： 半导体装置的制造方法，包含：准备具备半导体基片、p型半导体层、n型半导体层、被形成在半导体基片上的具有多个开口的绝缘膜、被形成在上述开口内以及上述绝缘膜上的导体的基体，在研磨衬垫表面与基体的器件面接触的状态下，一边向该研磨衬垫和该基体之间提供膏剂，一边进行化学式机械研磨，除去绝缘膜上的导体，在上述多个开口内分别形成配线，在使上述基体的器件面和上述研磨衬垫表面接触的状态下，在该研磨衬垫和该基体之间，提供从由阳极水、使水溶解具有酸性的气体的第1溶液、使水含有游离原子·分子的第2溶液、阴极水，以及使水溶解具有还原性的气体的第3溶液组成的组中选择出的至少1种液体，解除上述研磨衬垫对上述基体的紧密接触。
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公开(公告)号：CN1707772A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510074824.4
申请日：2005-06-03
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/00
摘要： 根据本发明的一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：通过电镀方法在其表面中具有凹槽部分的衬底上形成第一金属膜，以将所述第一金属膜埋入所述凹槽部分的至少部分中；通过不同于所述电镀方法的膜沉积方法在所述第一金属膜上形成第二金属膜，所述第二金属膜包括作为主要成分的金属并包含杂质，所述金属是所述第一金属膜的主要成分，所述杂质的浓度低于所述第一金属膜中包含的杂质的浓度；热处理所述第一和第二金属膜；以及除去除了埋入所述凹槽中的部分之外的所述第一和第二金属膜。
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