公开(公告)号：CN1624208A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410096554.2

申请日：2004-11-30

申请人： 株式会社东芝

发明人： 丰田启 ,  松井嘉孝 ,  八寻和之 ,  山边纯成 ,  三岛志朗 ,  永松贵人

IPC分类号： C25D7/12 ,  C25D5/18 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00

CPC分类号： C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/002 ,  C25D17/10 ,  C25D21/00 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76877

摘要： 根据本发明的一个实施例，提供一种电镀装置，包括：贮存电镀溶液的电镀溶液槽；在电镀溶液槽中固定其上形成籽晶层的衬底的固定器；放在电镀溶液槽中的第一阳极，该第一阳极由氧化－还原电位比构成籽晶层的金属的氧化－还原电位更高的阳极金属构成，并且电连接到由固定器固定的衬底的籽晶层上；以及放在所述电镀溶液槽中的第二阳极，该第二阳极能够在由固定器固定的衬底的籽晶层之间施加电压。

公开(公告)号：CN101074485B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200710092331.2

申请日：2007-02-27

申请人： 株式会社东芝

发明人： 丰田启 ,  莲沼正彦

IPC分类号： C25D7/12 ,  H01L21/288

CPC分类号： H01L21/2885 ,  C25D5/34 ,  C25D7/123 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877

摘要： 一种制造电子部件的方法，包括在基体上方形成籽晶膜，冷却所述籽晶膜，以及将所述冷却的籽晶膜放入镀敷溶液中以利用所述籽晶膜作为阴极进行电镀。

公开(公告)号：CN1776903A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510128561.0

申请日：2002-03-01

申请人： 株式会社东芝

发明人： 丰田启 ,  中尾光博 ,  莲沼正彦 ,  金子尚史 ,  坂田敦子 ,  小向敏章

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L2224/05647 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/00

摘要： 提供一种具有在半导体衬底上形成的铜布线层，与上述铜布线层导通并包含铜和比铜更易氧化的金属的合金层形成至底面的焊盘电极层和备有到达上述焊盘电极层的开口部的绝缘性保护膜的半导体器件。

公开(公告)号：CN100342062C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200410096554.2

申请日：2004-11-30

申请人： 株式会社东芝

发明人： 丰田启 ,  松井嘉孝 ,  八寻和之 ,  山边纯成 ,  三岛志朗 ,  永松贵人

IPC分类号： C25D7/12 ,  C25D5/18 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00

CPC分类号： C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/002 ,  C25D17/10 ,  C25D21/00 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76877

摘要： 根据本发明的一个实施例，提供一种电镀装置，包括：贮存电镀溶液的电镀溶液槽；在电镀溶液槽中固定其上形成籽晶层的衬底的固定器；放在电镀溶液槽中的第一阳极，该第一阳极由氧化-还原电位比构成籽晶层的金属的氧化-还原电位更高的阳极金属构成，并且电连接到由固定器固定的衬底的籽晶层上；以及放在所述电镀溶液槽中的第二阳极，该第二阳极能够在由固定器固定的衬底的籽晶层之间施加电压。

公开(公告)号：CN1770423A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510105721.X

申请日：2005-09-27

申请人： 株式会社东芝

发明人： 丰田启 ,  伊藤祥代 ,  莲沼正彦 ,  金子尚史

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76838 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/165

摘要： 根据本发明的一个方面的半导体器件的制造方法包括：在其表面具有凹槽部分的衬底上形成镀膜，以通过镀敷方法填埋所述凹槽部分；在所述镀膜上形成压应力施加膜，所述压应力施加膜由具有与构成所述镀膜的金属的热膨胀系数相比 60％或更小的热膨胀系数的材料构成；热处理，通过所述压应力施加膜向所述镀膜施加压应力；以及去除所述压应力施加膜和没有填埋在所述凹槽部分中的所述镀膜。

公开(公告)号：CN100372098C

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200510074824.4

申请日：2005-06-03

申请人： 株式会社东芝

发明人： 森田敏行 ,  丰田启 ,  松井嘉孝 ,  池谷文敏 ,  坂田敦子 ,  坚田富夫 ,  尾本诚一

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/00

摘要： 根据本发明的一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：通过电镀方法在其表面中具有凹槽部分的衬底上形成第一金属膜，以将所述第一金属膜埋入所述凹槽部分的至少部分中；通过不同于所述电镀方法的膜沉积方法在所述第一金属膜上形成第二金属膜，所述第二金属膜包括作为主要成分的金属并包含杂质，所述金属是所述第一金属膜的主要成分，所述杂质的浓度低于所述第一金属膜中包含的杂质的浓度；热处理所述第一和第二金属膜；以及除去除了埋入所述凹槽中的部分之外的所述第一和第二金属膜。

公开(公告)号：CN1241261C

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN02118069.5

申请日：2002-03-01

申请人： 株式会社东芝

发明人： 丰田启 ,  中尾光博 ,  莲沼正彦 ,  金子尚史 ,  坂田敦子 ,  小向敏章

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76888 ,  H01L22/32 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05605 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05613 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/0562 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45113 ,  H01L2224/45116 ,  H01L2224/4512 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4807 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48505 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48616 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48711 ,  H01L2224/48716 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48805 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48813 ,  H01L2224/48816 ,  H01L2224/4882 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48713 ,  H01L2224/48705 ,  H01L2224/4872 ,  H01L2224/48605 ,  H01L2224/48613 ,  H01L2224/4862 ,  H01L2924/00015

摘要： 提供一种具有在半导体衬底上形成的铜布线层，与上述铜布线层导通并包含铜和比铜更易氧化的金属的合金层形成至底面的焊盘电极层和备有到达上述焊盘电极层的开口部的绝缘性保护膜的半导体器件。

公开(公告)号：CN1652458A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510006851.8

申请日：2005-01-28

申请人： 株式会社东芝

发明人： 佐野贤也 ,  尾原亮一 ,  梁濑直子 ,  安本恭章 ,  板谷和彦 ,  川久保隆 ,  丰田启 ,  莲沼正彦 ,  长野利彦 ,  阿部和秀 ,  西垣亨彦 ,  柴田浩延

IPC分类号： H03H9/15

CPC分类号： H03H9/02015 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/094 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02094 ,  H03H9/173 ,  H03H9/174 ,  H03H9/175 ,  H03H9/542 ,  H03H9/582 ,  H03H9/605 ,  H03H2003/021 ,  H03H2003/023 ,  H03H2003/025 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49005 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49155

摘要： 一种压电薄膜器件包括设置在衬底上的非晶态金属膜和设置在非晶态金属膜上的压电膜。压电膜的一个晶轴在垂直于非晶态金属的表面的方向上对齐。

公开(公告)号：CN100490318C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200510006851.8

申请日：2005-01-28

申请人： 株式会社东芝

发明人： 佐野贤也 ,  尾原亮一 ,  梁濑直子 ,  安本恭章 ,  板谷和彦 ,  川久保隆 ,  丰田启 ,  莲沼正彦 ,  长野利彦 ,  阿部和秀 ,  西垣亨彦 ,  柴田浩延

IPC分类号： H03H9/15

CPC分类号： H03H9/02015 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/094 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02094 ,  H03H9/173 ,  H03H9/174 ,  H03H9/175 ,  H03H9/542 ,  H03H9/582 ,  H03H9/605 ,  H03H2003/021 ,  H03H2003/023 ,  H03H2003/025 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49005 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49155

摘要： 一种压电薄膜器件包括设置在衬底上的非晶态金属膜和设置在非晶态金属膜上的压电膜。压电膜的一个晶轴在垂直于非晶态金属的表面的方向上对齐。

公开(公告)号：CN101074485A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200710092331.2

申请日：2007-02-27

申请人： 株式会社东芝

发明人： 丰田启 ,  莲沼正彦

IPC分类号： C25D7/12 ,  H01L21/288

CPC分类号： H01L21/2885 ,  C25D5/34 ,  C25D7/123 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877

摘要： 一种制造电子部件的方法，包括在基体上方形成籽晶膜，冷却所述籽晶膜，以及将所述冷却的籽晶膜放入镀敷溶液中以利用所述籽晶膜作为阴极进行电镀。