公开(公告)号：CN105244338B

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201510389039.1

申请日：2015-07-03

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·哈里森 ,  M·斯波恩

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

摘要： 本申请涉及用于半导体器件的接触及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括提供半导体衬底，所述半导体衬底具有与顶表面相对的底表面，在顶表面处布置有电路。所述方法进一步包括在所述半导体衬底的底表面之上形成具有第一金属的第一金属层。所述第一金属层通过在沉积粘合增进剂之后沉积第一金属来形成。

公开(公告)号：CN105244338A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510389039.1

申请日：2015-07-03

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·哈里森 ,  M·斯波恩

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

摘要： 本申请涉及用于半导体器件的接触及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括提供半导体衬底，所述半导体衬底具有与顶表面相对的底表面，在顶表面处布置有电路。所述方法进一步包括在所述半导体衬底的底表面之上形成具有第一金属的第一金属层。所述第一金属层通过在沉积粘合增进剂之后沉积第一金属来形成。

公开(公告)号：CN105185818A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510283585.7

申请日：2015-05-28

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·金勒 ,  G·施密特 ,  M·斯波恩 ,  M·卡恩 ,  J·斯泰恩布伦纳 ,  R·K·乔施

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/762 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/345 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5806 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/16 ,  H01L29/408 ,  H01L29/73 ,  H01L29/04 ,  H01L21/02592

摘要： 根据各种实施例，一种半导体晶片可以包括：包括集成电路结构的半导体本体；以及形成在该集成电路结构之上和/或形成在该集成电路结构中的至少一个四面体非晶碳层，该至少一个四面体非晶碳层可以包括大于大致0.4的sp3杂化碳的物质量分数和小于大致0.1的氢的物质量分数。

公开(公告)号：CN105185818B

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201510283585.7

申请日：2015-05-28

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·金勒 ,  G·施密特 ,  M·斯波恩 ,  M·卡恩 ,  J·斯泰恩布伦纳 ,  R·K·乔施

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/02

摘要： 根据各种实施例，一种半导体晶片可以包括：包括集成电路结构的半导体本体；以及形成在该集成电路结构之上和/或形成在该集成电路结构中的至少一个四面体非晶碳层，该至少一个四面体非晶碳层可以包括大于大致0.4的sp3杂化碳的物质量分数和小于大致0.1的氢的物质量分数。