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公开(公告)号:CN105185818A
公开(公告)日:2015-12-23
申请号:CN201510283585.7
申请日:2015-05-28
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号: H01L21/762 , C23C14/0605 , C23C14/345 , C23C14/35 , C23C14/5806 , H01L21/02527 , H01L21/02631 , H01L29/0649 , H01L29/0657 , H01L29/16 , H01L29/408 , H01L29/73 , H01L29/04 , H01L21/02592
摘要: 根据各种实施例,一种半导体晶片可以包括:包括集成电路结构的半导体本体;以及形成在该集成电路结构之上和/或形成在该集成电路结构中的至少一个四面体非晶碳层,该至少一个四面体非晶碳层可以包括大于大致0.4的sp3杂化碳的物质量分数和小于大致0.1的氢的物质量分数。
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公开(公告)号:CN105185818B
公开(公告)日:2019-02-15
申请号:CN201510283585.7
申请日:2015-05-28
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
摘要: 根据各种实施例,一种半导体晶片可以包括:包括集成电路结构的半导体本体;以及形成在该集成电路结构之上和/或形成在该集成电路结构中的至少一个四面体非晶碳层,该至少一个四面体非晶碳层可以包括大于大致0.4的sp3杂化碳的物质量分数和小于大致0.1的氢的物质量分数。
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公开(公告)号:CN104141113A
公开(公告)日:2014-11-12
申请号:CN201410150345.5
申请日:2014-04-15
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号: H01L21/02115 , C23C16/26 , C23C16/56 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02263 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/02362
摘要: 通过相应地选择处理参数,可以由等离子体增强化学气相沉积来沉积具有减少的氢含量的碳层。这样的碳层可以经受高温处理,而不显现过大的收缩。
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