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公开(公告)号：CN117364474A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311340208.3
申请日：2023-10-17
申请人： 贵研铂业股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 昆明贵金属研究所
摘要： 本发明公开一种含铂涂层的连续SiC纤维及其制备方法，属于SiC纤维复合材料技术领域。所述含铂涂层的连续SiC纤维，包括负载在SiC纤维上的Pt涂层，所述Pt涂层的厚度为0.4‑1.1微米。本发明在连续SiC纤维表面沉积了晶粒尺寸0.05‑0.1微米的8‑10层梯度晶粒尺寸的Pt涂层，梯度Pt涂层与连续SiC纤维结合牢固，即使在高温环境下也不易脱落。而且所沉积的铂涂层光滑致密，有效弥补了连续SiC纤维表面缺陷，不仅增加了连续SiC纤维的拉伸强度，而且提升了连续SiC纤维在700‑1400℃高温下的抗氧化性能。
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公开(公告)号：CN107116230A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710177862.5
申请日：2017-03-23
申请人： 贵研铂业股份有限公司
CPC分类号： B22F9/24 , B22F1/0081
摘要： 本发明公开了一种铂黑的制备方法，其步骤包括(1)真空熔炼：将金属铜与金属铂按一定的摩尔比放入氧化铝坩埚中，置于真空高频炉中进行熔炼；(2)水淬：将步骤(1)所得的混合金属熔体快速倒入水中进行水淬；(3)硝酸溶铜：将步骤(2)所得的固体产物采用硝酸搅拌溶解，使铜充分溶出；(4)洗涤、干燥：将步骤(3)所得酸不溶物充分洗涤、干燥后，获得铂黑粉末产品。本发明采用真空熔炼、水淬、酸溶等联合的方法制备铂黑，高温熔融金属熔体通过水淬急剧冷却，形成有利于酸溶的无序相产物，再通过酸溶除铜，获得铂黑粉末。本发明工艺流程简单，易于实施，铂黑粉末的比表面积大于30m2/g。
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公开(公告)号：CN113512714A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110771701.5
申请日：2021-07-08
申请人： 贵研铂业股份有限公司
IPC分类号： C23C16/14 , C23C16/448 , C30B35/00 , C30B29/16
摘要： 本发明提供了一种铼‑钨复合坩埚及其制备方法和应用，属于金属材料制备技术领域。本发明的铼‑钨复合坩埚包括基体钨坩埚以及铼层，所述铼层位于所述基体钨坩埚的内表面。本发明将难熔金属钨和铼的优点结合起来，创新设计并制备铼‑钨复合坩埚，可大幅降低坩埚的成本；本发明采用CVD法制备复合坩埚内部的铼层，且铼层与氧化物熔体直接接触，在提高坩埚材料的致密度和纯度的同时，还能保证所制备激光晶体的高品质，所发明的铼/钨复合坩埚主要用于难熔金属氧化物，如稀土氧化物、碱土金属氧化物等高熔点晶体的生长。
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公开(公告)号：CN108405881A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810108737.3
申请日：2018-02-02
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种高纯球形钌粉的制备方法，其步骤包括：(1)溶解：用盐酸溶解，获得氯钌酸溶液；(2)离子交换净化除杂，获得纯净钌溶液；(3)前驱体制备：调整步骤(2)所得钌溶液的初始pH值，加入沉淀引发剂，陈化，加热搅拌，生成钌粉前驱体——球形水合氧化钌；(4)煅烧脱水-氢气还原：将步骤(3)所得前驱体置于管式炉中先进行煅烧脱水，再通入氢气进行高温还原，获得球形金属钌粉；(5)混酸煮洗过滤分离，用去离子水充分洗涤，真空干燥后，获得高纯球形钌粉。本发明方法工艺简单，制备的钌粉中杂质含量小于10ppm，钌粉微观形貌为球形，粒度小于5μm，可作为钌系溅射靶材的原料。
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公开(公告)号：CN107910100A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711126793.1
申请日：2017-11-15
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种低温烧结金浆料及其制备方法，该浆料包括5％～10％的有机树脂、10％～20％的溶剂、2％～5％的添加剂和65％～83％的金粉，其中所述树脂为硝基纤维素、乙基纤维素、羟乙基纤维素中的一种或几种。本发明的金浆料可以实现低温烧结，且导电性好、可靠性优异，适用于对可靠性要求较高的电子器件。
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公开(公告)号：CN104174851B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410394572.2
申请日：2014-08-12
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种Co-Cr-Pt-SiO2靶材的制备方法。该方法主要包括原料粉末的选择、粉末的混合、锭坯的预压成型、反应合成烧结处理、热等静压处理、机加工处理。其中反应合成烧结技术有效改善和提高Co-Cr-Pt-SiO2靶材中的各物相之间结合，提高了材料的致密度，避免了传统热等静压处理前必须对粉末进行装包套、抽真空、封焊及热等静压后进行去包套处理工艺，有效简化了生产工艺，提高了材料的加工性能，适合进行连续性的工业化生产。
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公开(公告)号：CN104174851A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410394572.2
申请日：2014-08-12
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种Co-Cr-Pt-SiO2靶材的制备方法。该方法主要包括原料粉末的选择、粉末的混合、锭坯的预压成型、反应合成烧结处理、热等静压处理、机加工处理。其中反应合成烧结技术有效改善和提高Co-Cr-Pt-SiO2靶材中的各物相之间结合，提高了材料的致密度，避免了传统热等静压处理前必须对粉末进行装包套、抽真空、封焊及热等静压后进行去包套处理工艺，有效简化了生产工艺，提高了材料的加工性能，适合进行连续性的工业化生产。
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