公开(公告)号：CN101355036B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200810134734.3

申请日：2008-07-23

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 高光永

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/66727 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7813

摘要： 本发明披露了一种沟槽栅半导体器件及其制造方法，当栅极-源极泄漏特性增强时，该沟槽栅半导体器件及其制造方法能够确保有足够的空余区域用于光刻处理。本发明实施例涉及一种制造沟槽栅半导体器件的方法，包括在形成于半导体衬底上方的外延层的上表面中形成沟槽。N型杂质离子可以被注入到沟槽的底部表面中形成扩散层。P型杂质离子被注入到位于扩散层下面的区域中。用氧化物填充沟槽。填充氧化物之后获得的结构在将形成栅极的区域中从氧化膜缓冲中蚀刻至外延层以形成栅极沟槽。在多晶硅栅相对侧的氧化膜缓冲下面形成NPN结。多晶硅塞将NPN结的P型部分电连接至上部金属电极。在多晶硅栅的上方和多晶硅塞的上方形成上部金属电极。

公开(公告)号：CN101315896B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200810098255.0

申请日：2008-05-28

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 金栽熙

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7835 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659

摘要： 采用STI(浅沟槽隔离工艺)形成的高压晶体管的漂移。形成半导体元件的高压漂移的方法包括：在具有高压阱的半导体衬底上形成垫片绝缘薄膜；然后通过对该垫片绝缘薄膜的一部分图案化打开半导体衬底的一个区域；然后对半导体衬底的打开区域进行蚀刻形成一个沟槽；然后采用图案化的垫片绝缘薄膜作为掩模通过进行第一离子注入工艺在所述的半导体衬底上形成第一漂移；然后通过将元件隔离材料填缝在沟槽内形成元件隔离薄膜；然后除去已图案化的垫片绝缘薄膜并随后与所述元件隔离薄膜的一部分重叠的栅极电极；然后在由该栅极电极暴露的半导体衬底的区域内通过进行第二离子注入工艺形成与第一漂移相连接的第二漂移。

公开(公告)号：CN102544014A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010623177.9

申请日：2010-12-28

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 郑真孝

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L27/11558 ,  G11C16/0441 ,  G11C2216/10

摘要： 一种半导体存储器器件及其制造方法。该半导体存储器器件包括：被置于半导体衬底上的第一导电型阱和第二导电型阱；分别被置于第一导电型阱和第二导电型阱上的第一栅极和第二栅极；被置于第一导电型阱中且位于第一栅极的一侧的第二导电型第一离子注入区和被置于第一导电型阱中且位于第一栅极的另一侧的第二导电型第二离子注入区；被置于第二导电型阱中且位于第二栅极的一侧的第一导电型第一离子注入区和被置于第二导电型阱中且位于第二栅极的另一侧的第一导电型第二离子注入区；以及电连接第二导电型第二离子注入区与第一导电型第一离子注入区的电线。该半导体存储器器件能够在低电压环境中稳定操作且将单元尺寸与外围电路区的尺寸最小化。

公开(公告)号：CN101330787B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200810126983.8

申请日：2008-06-20

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 方诚晚

IPC分类号： H05B37/02 ,  F21V23/00 ,  F21Y101/02

CPC分类号： H05B33/0851

摘要： 披露了一种发光二极管(LED)驱动电路。该LED驱动电路包括光学传感器，其用来接收LED发出的光并生成具有与接收到的光量对应的电平的反馈信号；以及电流调节器，其设置在LED的电流流经的通路上，用于根据反馈信号和第一参考信号的比较结果来调节流进LED的电流量。

公开(公告)号：CN101465405B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200810176285.9

申请日：2008-11-21

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 金明洙

IPC分类号： H01L35/28

CPC分类号： H01L35/32

摘要： 本发明公开一种可以采用热电概念运行的半导体器件。根据本发明的实施例，该半导体器件可以包括：在衬底上由金属材料线所形成的源极/漏极导体；由第二金属材料线所形成的第一栅极导体；以及由第三金属材料线所形成的第二栅极导体，其中将第一栅极导体设置为临近位于源极/漏极导体一端的源极/漏极导体的第一部分，并且将第二栅极导体设置为临近位于源极/漏极导体的另一端的源极/漏极导体的第二部分，并与第一栅极导体间隔设置。通过将电流施加至第一栅极导体和第二栅极导体，可将电流从源极/漏极导体的一端提供至源极/漏极导体的另一端。本发明可简化半导体器件的制造工艺，并在无注入层的条件下实现高集成度，以抑制其性能下降。

公开(公告)号：CN101211785B

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN200710153704.2

申请日：2007-09-14

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 金希大

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66734 ,  H01L29/66719

摘要： 本发明公开了一种制造槽栅型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的方法。根据一个实施例，可以在半导体衬底中形成沟槽。可以在沟槽的内壁上形成栅极氧化物层。可以在包括栅极氧化物层的半导体衬底上形成第一绝缘层。可以在沟槽中形成多晶硅。可以通过将第一绝缘层蚀刻至预定厚度，来从第一绝缘层形成第二绝缘层，以使第二绝缘层薄于第一绝缘层。可以在多晶硅和第二绝缘层上形成第三绝缘层。可以蚀刻第三绝缘层以在多晶硅的侧壁上形成隔离物。然后，利可以用隔离物作为蚀刻掩膜移除第二绝缘层。

公开(公告)号：CN101211950B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200710305323.1

申请日：2007-12-26

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 洪志勋

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376

摘要： 本发明提供一种图像传感器及其制造方法。其中图像传感器可包括：栅极绝缘层、栅极、光电二极管和浮置扩散区。栅极绝缘层可形成在半导体衬底上和/或上方，用作转移晶体管。栅极绝缘层包括具有中央开口第一栅极绝缘层和在包括中央开口的第一栅极绝缘层最上表面上和/或上方形成的第二栅极绝缘层。栅极可以形成在栅极绝缘层上和/或上方。光电二极管可以形成在半导体衬底中在所述栅极的一侧，以产生光电荷。浮置扩散区可以形成在半导体衬底中与所述光电二极管相对的位于所述栅极的另一侧。浮置扩散区可以通过沟道电连接到光电二极管，以存储从光电二极管产生的光电荷。第一栅极绝缘层的厚度是第二栅极绝缘层的厚度是

公开(公告)号：CN101290936B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200810092211.7

申请日：2008-04-17

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 张炳琸

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7809

摘要： 提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件可提供具有向上-漏极的沟槽MOS晶体管。该半导体器件可包括：半导体衬底上的第一导电型阱、第一导电型阱上的第二导电型阱、通过除去部分的第二导电型阱上的第一导电型阱而形成的沟槽；设置于沟槽内的栅极，其中栅极介电质位于每个栅极与沟槽壁之间；位于第二导电型阱上的第一导电型源极区和第二导电型体区，第一导电型源极区围绕栅极的横向表面；以及位于栅极之间的共同漏极，共同漏极连接到第一导电型阱。本发明能够以低成本形成包括具有低输出阻抗和高频特性的沟槽MOS晶体管，采用小面积来获得低输出阻抗，并可高度集成半导体器件。

公开(公告)号：CN101174793B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200710165340.X

申请日：2007-10-26

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 金民焕

IPC分类号： H02M3/155

CPC分类号： H03K19/018521

摘要： 本发明涉及具有单电压源的电平转换器，包括：上拉PMOS晶体管和下拉NMOS晶体管，所述晶体管作为逆变器串联连接在高电压源和接地端之间，逆变器具有与电平转换器的输出端子连接的输出节点；控制节点，其与逆变器的输入端连接；输入门，其用于根据电平转换器的输入端子的电压电平将控制节点连接到高电压源或接地端；以及第一反馈链，其被连接在控制节点和输入门之间，从而当电平转换器的输入端子的电压水平高时，所述反馈链断开从高电压源经由输入门到控制节点的路径，而输入门将控制节点连接到接地端。一本发明中的电平转换器使用单电压源，甚至当低电压和高电压之间的差较大时也具有极好的工作特性，并能够被容易地设计。

公开(公告)号：CN101471266B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200810189539.0

申请日：2008-12-29

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 李相燮

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/43 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734

摘要： 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括以下步骤：在衬底中形成第一导电类型掩埋层；在第一导电类型掩埋层上形成第一导电类型漂移区；通过选择性去除第一导电类型漂移区形成栅极绝缘层和栅电极；在衬底和栅电极上形成第一氧化物层；将第二导电类型杂质离子注入到衬底中；在第一氧化物层上形成氮化物层；通过扩散第二导电类型杂质离子形成第二导电类型阱，且形成第二氧化物层；去除氮化物层、第二氧化物层和部分第一氧化物层；在栅电极的侧部形成第一导电类型源极区；在氧化物层上形成介电层；在介电层和氧化物层中形成沟槽；在沟槽中形成源极接触件；以及形成漏极。