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公开(公告)号：CN1525196A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN200310124972.3
申请日：2003-10-08
申请人： TDK株式会社
发明人： 水岛哲郎
IPC分类号： G02B1/11
CPC分类号： G11B7/252 , G11B7/0065 , G11B7/00745 , G11B7/0938 , G11B7/24044 , G11B7/2533 , G11B7/2548 , G11B2007/25411 , G11B2007/25414 , G11B2007/25417
摘要： 全息记录媒体包括由第一可透光的衬底、第二可透光的衬底和位于上述两衬底之间的全息记录层组成的全息记录载体、形成于第一可透光的衬底表面的第一抗反射膜和形成于第二可透光的衬底表面的第二抗反射膜，第一抗反射膜和第二抗反射膜的光学特性相互不同。由此构成的全息记录媒体通过使用物光束和参考光束来实现数据记录和数据再现特性的改进，同时能够对物光束和参考光束或仅参考光束进行所需的定位，并通过使用位置控制光束检测数据记录和数据再现的区域地址。
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公开(公告)号：CN1230695C
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200310124972.3
申请日：2003-10-08
申请人： TDK株式会社
发明人： 水岛哲郎
IPC分类号： G02B1/11
CPC分类号： G11B7/252 , G11B7/0065 , G11B7/00745 , G11B7/0938 , G11B7/24044 , G11B7/2533 , G11B7/2548 , G11B2007/25411 , G11B2007/25414 , G11B2007/25417
摘要： 全息记录媒体包括由第一可透光的衬底、第二可透光的衬底和位于上述两衬底之间的全息记录层组成的全息记录载体、形成于第一可透光的衬底表面的第一抗反射膜和形成于第二可透光的衬底表面的第二抗反射膜，第一抗反射膜和第二抗反射膜的光学特性相互不同。由此构成的全息记录媒体通过使用物光束和参考光束来实现数据记录和数据再现特性的改进，同时能够对物光束和参考光束或仅参考光束进行所需的定位，并通过使用位置控制光束检测数据记录和数据再现的区域地址。
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公开(公告)号：CN104540976A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201380041837.4
申请日：2013-08-09
申请人： 三菱综合材料株式会社
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/16 , C04B35/453 , G11B7/26
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/453 , C04B35/645 , C04B2235/3217 , C04B2235/3286 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/763 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/086 , G11B7/254 , G11B7/266 , G11B2007/25411 , G11B2007/25414 , G11B2007/25417 , C23C14/3407 , C04B35/16 , G11B7/26
摘要： 本发明提供一种能够以直流溅射形成透明氧化物膜且不会产生异常放电的氧化锌系透明氧化物膜形成用溅射靶。该透明氧化物膜形成用溅射靶的特征在于，其为如下组成的烧成体，即相对于总金属成分量，含有0.6～8.0at％的Al及Ga中的任意一种或者两种，0.1at％以上的Si，且Al、Ga和Si共计含有33.0at％以下，残余部分由Zn及不可避免杂质构成，在所述烧成体中，存在具有5μm以下的粒径的Zn和Si的复合氧化物。
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公开(公告)号：CN104540976B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201380041837.4
申请日：2013-08-09
申请人： 三菱综合材料株式会社
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/16 , C04B35/453 , G11B7/26
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/453 , C04B35/645 , C04B2235/3217 , C04B2235/3286 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/763 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/086 , G11B7/254 , G11B7/266 , G11B2007/25411 , G11B2007/25414 , G11B2007/25417
摘要： 本发明提供一种能够以直流溅射形成透明氧化物膜且不会产生异常放电的氧化锌系透明氧化物膜形成用溅射靶。该透明氧化物膜形成用溅射靶的特征在于，其为如下组成的烧成体，即相对于总金属成分量，含有0.6～8.0at％的Al及Ga中的任意一种或者两种，0.1at％以上的Si，且Al、Ga和Si共计含有33.0at％以下，残余部分由Zn及不可避免杂质构成，在所述烧成体中，存在具有5μm以下的粒径的Zn和Si的复合氧化物。
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公开(公告)号：CN104136655A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201380008362.9
申请日：2013-02-06
申请人： 三菱综合材料株式会社
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/08 , C04B35/453 , G11B7/257 , G11B7/26
CPC分类号： G11B7/254 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/547 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3217 , C04B2235/3241 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3414 , G11B7/257 , G11B7/266 , G11B2007/25411 , G11B2007/25414 , G11B2007/25417 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , H01J37/3429
摘要： 本发明提供一种氧化物溅射靶，所述氧化物溅射靶作为光记录介质保护膜形成用靶，可形成保存性高、具有柔韧性而不易破裂的膜，并且能够进行直流溅射，在进行溅射时颗粒少。氧化物溅射靶为如下氧化物烧结体，即相对于金属成分总量，含有共计0.15at％以上的Al、Ga及In中的一种以上和7at％以上的Sn，其中Al、Ga、In及Sn共计36at％以下，余量由Zn及不可避免杂质构成。
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公开(公告)号：CN1174399C
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN99124895.3
申请日：1999-11-25
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G11B7/24
CPC分类号： G11B7/2548 , G11B7/24 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/259 , G11B7/2595 , G11B2007/24304 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25411 , G11B2007/25414 , G11B2007/25417 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , G11B2007/25718
摘要： 通过实现可以提高记录介质的冷却能力和降低重写标记畸变的高透过率的介质，提供更高速度、高记录密度的光学信息记录介质。在基板(1)上，顺序沉积保护层(2)、界面层(3)、利用激光照射使光学特性可逆变化的记录层(4)、界面层(5)、透过波长λ的所述激光的透光型反射层(6)和热扩散层(7)。在热扩散层(7)的折射率为n时，将热扩散层(7)的膜厚d设定在0＜d≤(5/16)λ/n或(7/16)λ/n≤d≤(1/2)λ/n的范围内，上述反射层位于上述热扩散层和上述记录层之间。
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公开(公告)号：CN1254914A
公开(公告)日：2000-05-31
申请号：CN99124895.3
申请日：1999-11-25
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G11B7/24
CPC分类号： G11B7/2548 , G11B7/24 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/259 , G11B7/2595 , G11B2007/24304 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25411 , G11B2007/25414 , G11B2007/25417 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , G11B2007/25718
摘要： 通过实现可以提高记录介质的冷却能力和降低重写标记畸变的高透过率的介质,提供更高速度、高记录密度的光学信息记录介质。在基板1上,顺序沉积保护层2、界面层3、利用激光照射使光学特性可逆变化的记录层4、界面层5、透过波长λ的所述激光的透光型反射层6和热扩散层7。在热扩散层7的折射率为n时,将热扩散层7的膜厚d设定在0
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