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公开(公告)号：CN108947521A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201811099571.X
申请日：2018-09-20
申请人： 华蓥市职业教育培训中心
发明人： 董建军
IPC分类号： C04B35/46 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/634 , C04B35/638 , C04B41/88 , H01C7/115
CPC分类号： C04B35/46 , C04B35/622 , C04B35/62605 , C04B35/63416 , C04B35/638 , C04B41/5116 , C04B41/88 , C04B2235/3267 , C04B2235/3275 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , H01C7/115
摘要： 本发明公开了一种压敏电阻材料的制备方法，本发明所述方法首先将TiO2粉、SnO2粉、Bi2O3粉、MnO2粉、Co2O3粉及SiO2粉均匀混合得到混合物料，然后将混合物料湿磨、干燥、过筛，加入粘结剂研磨后继续过筛，然后造粒，再将粉料压制成块状材料；将块状材料加热排胶，再热烧结冷却到室温，而后进行打磨、清洗、干燥、镀银电极后封装得到(SnO2、Bi2O3、MnO2、Co2O3及SiO2)共掺杂TiO2压敏电阻。本发明提高了TiO2系压敏陶瓷电阻的性能，简化了生产过程。
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公开(公告)号：CN101341558A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200780000848.2
申请日：2007-05-31
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H01G4/1227 , B32B18/00 , B82Y30/00 , C04B35/47 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3241 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/326 , C04B2235/3262 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/441 , C04B2235/5409 , C04B2235/5454 , C04B2235/6025 , C04B2235/6582 , C04B2235/663 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , H01C7/115 , H01C7/18 , H01G4/1281 , H01G4/30 , Y10T29/435
摘要： 本发明提供一种带可变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器，对于形成半导体陶瓷层(1a～1g)的半导体陶瓷而言，Sr位点与Ti位点的配合摩尔比m满足1.000＜m≤1.020，在结晶粒子中固溶有La或Sm等施主元素，并且，在晶界层中存在相对于所述Ti元素100摩尔在0.5摩尔以下(优选为0.3～0.5摩尔)的范围的Mn、Co、Ni、Cr等受主元素，且结晶粒子的平均粒径为1.0μm以下(优选为0.5～0.8μm)。由此，可实现具有良好电气特性、比电阻与电气耐压良好、可靠性也出色且能够薄层化和小型化的带可变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器。
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公开(公告)号：CN1068570C
公开(公告)日：2001-07-18
申请号：CN96110675.1
申请日：1996-07-19
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： C04B35/468 , H01L41/16
CPC分类号： H01C7/115 , C04B35/4682
摘要： 一种电压依赖性非线性电阻器陶瓷组合物，其基本组成为：(1)一种氧化物，其分子式为：｛Sr(1-x-y)BaxCay｝2TiO3。其中，0.3＜x≤0.9，0.1≤y≤0.5，x+y≤1，和0.84＜z＜1.16，(2)0.001-5.000mol%的至少一种选自由铌、钽、钨、锰和R(其中R选自钇和镧系元素)的氧化物组成的组中的氧化物，(3) 0.001-5.000mol%的SiO2，和(4)0.001-5.000mol%的MgO。当通过改变再氧化温度而不改变组成来控制所说的非线性电阻器的转折电压时，可以在较宽的非线性电阻器的转折电压范围内得到满意的非线性指数α。
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公开(公告)号：CN1087443A
公开(公告)日：1994-06-01
申请号：CN93119062.2
申请日：1993-09-03
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： C04B35/47 , C01G23/002 , C01G23/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B35/6262 , C04B35/64 , C04B2235/3208 , C04B2235/3241 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/6025 , C04B2235/6582 , C04B2235/663 , C04B2235/664 , C04B2235/666 , C04B2235/79 , H01C7/115 , H01C7/12
摘要： 本发明是有关用于因噪声、脉冲、静电等异常高电压需保护IC、LSI等半导体器件的陶瓷元件的制造方法，并且提供了一种利用降低元件阻抗，可改善除去、抑制信号线路中的高频噪声的陶瓷元件。为达到上述目的，本发明在电极(2)之间至少施加1次脉冲电压，上述脉冲电压的条件是，最大值为50kV以下，从初始值到最大值的时间为200纳秒以下，从前述初始值经最大值回到初始值的时间为1微秒以下，能量为0.5焦耳以下。
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公开(公告)号：CN107117958A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710324462.2
申请日：2017-05-10
申请人： 蚌埠市嘉实机电设备制造有限公司
发明人： 赵大鹏
IPC分类号： C04B35/47 , C04B35/626 , C04B35/632 , C04B35/64 , H01C7/115
CPC分类号： C04B35/47 , C04B35/62605 , C04B35/632 , C04B35/64 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/365 , C04B2235/405 , C04B2235/407 , C04B2235/408 , C04B2235/658 , H01C7/115
摘要： 本发明属于压敏电阻原料制备技术领域，具体涉及一种钛酸锶压敏陶瓷的制备工艺，包括提高配料精度、利用γ辐射源预处理原料，并经过两次混料后，控制各步骤条件，得到产品。本发明相比现有技术具有以下优点：一次混料用60Coγ辐射源辐照，能够使其部分原料提前反应，再通过升温使原料进一步反应，得到晶粒叫大的钛酸锶晶相，在不添加锂盐的条件下降低了烧结温度，能够使晶体微观结构得到明显改善，晶界致密，通过各部条件的控制综合作用，提高产品的主要性能。
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公开(公告)号：CN106316384A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610766180.3
申请日：2016-08-29
申请人： 张颖
发明人： 张颖
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/622 , H01C7/112 , H01C7/115
CPC分类号： C04B35/453 , C04B35/622 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3262 , C04B2235/3268 , C04B2235/3293 , C04B2235/34 , C04B2235/3418 , C04B2235/443 , H01C7/112 , H01C7/115
摘要： 本案公开了一种压敏电阻材料，由以下重量份的材料组成：98～100重量份的氧化锌；50～52重量份的氧化钇；3～5重量份的二氧化钛；50～52重量份的氧化镱；2～4重量份的氧化锡；1～3重量份的氧化硒；5～7重量份的钛酸锶；2～4重量份的氧化铼；2～4重量份的碳酸锰；6～8重量份的二氧化硅；4～6重量份硝酸铝；10～12重量份的稀土烧结物。本案通过引入与锌离子半径相近的钇离子和镱离子，使得以氧化锌为主要成分的传统配方转变为以氧化锌、氧化钇和氧化镱为主要成分的新配方。结合新配方中各种添加剂，使得所得到的压敏电阻材料具有较高的非线性系数、较低的泄露电流、较强的抗大电流能力和较高的电压梯度。
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公开(公告)号：CN1036228C
公开(公告)日：1997-10-22
申请号：CN93119062.2
申请日：1993-09-03
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： C04B35/47 , C01G23/002 , C01G23/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B35/6262 , C04B35/64 , C04B2235/3208 , C04B2235/3241 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/6025 , C04B2235/6582 , C04B2235/663 , C04B2235/664 , C04B2235/666 , C04B2235/79 , H01C7/115 , H01C7/12
摘要： 本发明是有关用于因噪声、脉冲、静电等异常高电压需保护IC、LSI等半导体器件的多层陶瓷电容器的制造方法，并且提供了一种利用降低元件阻抗，可改善除去、抑制信号线路中的高频噪声的多层陶瓷电容器。为达到上述目的，本发明在电极(2)之间至少施加1次脉冲电压，上述脉冲电压的条件是，最大值为50KV以下，从初始值到最大值的时间为200纳秒以下，从前述初始值经最大值回到初始值的时间为1微秒以下，能量为0.5焦耳以下。
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公开(公告)号：CN1141272A
公开(公告)日：1997-01-29
申请号：CN96110675.1
申请日：1996-07-19
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： C04B35/468 , H01L41/16
CPC分类号： H01C7/115 , C04B35/4682
摘要： 一种电压依赖性非线性电阻器陶瓷组合物，其基本组成为：(1)一种氧化物，其分子式为：{Sr(1-x-y)BaxCay}zTiO3，其中，0.3＜x≤0.9，0.1≤y≤0.5，x+y≤1，和0.84＜z＜1.16，(2)0.001-5.000mol％的至少一种选自由铌、钽、钨、锰和R(其中R选自钇和镧系元素)的氧化物组成的组中的氧化物，(3)0.001-5.000mol％的SiO2，和(4)0.001-5.000mol％的MgO。当通过改变再氧化温度而不改变组成来控制所说的非线性电阻器的转折电压时，可以在较宽的非线性电阻器的转折电压范围内得到满意的非线性指数α。
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公开(公告)号：CN109020535A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810991691.4
申请日：2018-08-29
申请人： 四川大学
IPC分类号： C04B35/46 , C04B35/622 , C04B41/88 , H01C7/115
CPC分类号： C04B35/46 , C04B35/622 , C04B41/5116 , C04B41/88 , C04B2235/3224 , C04B2235/3251 , C04B2235/3418 , H01C7/115
摘要： 一种高介电常数的压敏‑电容双功能二氧化钛陶瓷及其制备方法，属于功能陶瓷技术领域，其特征是以微米二氧化钛为主体，加入微米添加物二氧化硅、五氧化二铌、氧化钬，经球磨、过滤、干燥、造粒、过筛、压制成小圆片，并在400℃保温排胶1‑1.5h再升温到1350‑1450℃烧结后随炉冷却至室温，再经过抛光、喷涂银浆，600‑700℃保温一段时间制备而成。五氧化二铌使二氧化钛陶瓷具有半导体特性，二氧化硅促使陶瓷晶粒均匀，氧化钬可改善电学性质。此类二氧化钛陶瓷具有良好的综合电学性能，兼具压敏‑电容双功能，压敏电位梯度为3.3‑8.6V/mm，相对介电常数为7.4×104‑1.88×105（1KHz），非线性系数在4.2‑5.5之间，同时具有制备工艺简单、稳定性好等优点。
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公开(公告)号：CN106747409A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710114200.3
申请日：2017-02-28
申请人： 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司
IPC分类号： C04B35/46 , C04B35/622 , C04B35/65 , H01C7/115
CPC分类号： C04B35/46 , C04B35/622 , C04B35/65 , C04B2235/3232 , C04B2235/3267 , C04B2235/3287 , C04B2235/40 , C04B2235/656 , H01C7/115
摘要： 本发明公开一种TiO2压敏陶瓷材料的制备方法，属于功能陶瓷技术领域，包括以下步骤：将Ge粉、Sb2O5粉和MnO2粉加入到TiO2粉末中混合均匀得到混合物料；将制备得到的混合粉末球磨、干燥、过300～350目标准筛后造粒，然后用100～150MPa的压力将粉料压制成块状材料；将得到的块状材料进行排胶，再在1100～1350℃加热烧结并保温1.5～3h，最后将烧结好的烧结体冷却到室温，得到TiO2压敏陶瓷材料。本发明采用(Ge、Sb2O5、MnO2)共掺杂TiO2制备压敏陶瓷和压敏电阻，简化压敏陶瓷电阻的制作工艺，提高TiO2系压敏陶瓷电阻的性能。
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