公开(公告)号：CN105556625A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201480051296.8

申请日：2014-04-03

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 大国聪巳

IPC分类号： H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC分类号： H01G4/1227 ,  B32B18/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62807 ,  C04B35/62815 ,  C04B35/638 ,  C04B37/001 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/704 ,  H01G4/1281 ,  H01G4/232 ,  H01G4/30

摘要： 提供一种能够形成添加成分不存在的晶界相对于整个晶界的比例低的电介质层、且能够抑制绝缘电阻的劣化的进展的陶瓷生片、使用该陶瓷生片来制作的高可靠性的层叠陶瓷电容器及其制造方法。在陶瓷生片中，使含Si成分被覆了所述钛酸钡系陶瓷粒子的表面的比例(含Si成分被覆率)成为95％以上，使含稀土元素成分被覆了钛酸钡系陶瓷粒子的表面的比例(含稀土元素成分被覆率)成为85％以上。在制造层叠陶瓷电容器时，将所述陶瓷生片用于电介质层的形成。使稀土元素存在于构成层叠陶瓷电容器的电介质层的钛酸钡系陶瓷的全部晶界中的98％以上的晶界。

公开(公告)号：CN105706201B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201480056366.9

申请日：2014-09-29

申请人： 京瓷株式会社 ,  储能材料合同会社

发明人： 平原诚一郎 ,  小野智之 ,  古内史人 ,  永吉麻衣子 ,  积洋二 ,  笠井修一 ,  鹤见敬章

IPC分类号： H01G11/56

CPC分类号： H01G11/56 ,  C01G23/003 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/04 ,  C04B35/462 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/85 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1281 ,  H01G11/66

摘要： 本发明是包含无机固体电解质(2)、和夹着无机固体电解质(2)而设置的一对集电体(3)的全固态型电容器(1)。在全固态型电容器(1)中，无机固体电解质(2)具有由多个结晶粒子(21)、和形成于结晶粒子(21)间的晶界(22)所构成的多晶结构。结晶粒子(21)中所含的第1结晶粒子(21D)的位于晶界(22)近旁的晶畴(5B)的尺寸大于位于其中心近旁的晶畴(5A)的尺寸。

公开(公告)号：CN101341558A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200780000848.2

申请日：2007-05-31

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 谷晋辅 ,  川本光俊

IPC分类号： H01G4/12 ,  C04B35/46 ,  H01C7/10

CPC分类号： H01G4/1227 ,  B32B18/00 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/47 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/85 ,  H01C7/115 ,  H01C7/18 ,  H01G4/1281 ,  H01G4/30 ,  Y10T29/435

摘要： 本发明提供一种带可变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器，对于形成半导体陶瓷层(1a～1g)的半导体陶瓷而言，Sr位点与Ti位点的配合摩尔比m满足1.000＜m≤1.020，在结晶粒子中固溶有La或Sm等施主元素，并且，在晶界层中存在相对于所述Ti元素100摩尔在0.5摩尔以下(优选为0.3～0.5摩尔)的范围的Mn、Co、Ni、Cr等受主元素，且结晶粒子的平均粒径为1.0μm以下(优选为0.5～0.8μm)。由此，可实现具有良好电气特性、比电阻与电气耐压良好、可靠性也出色且能够薄层化和小型化的带可变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器。

公开(公告)号：CN108695073A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810269346.X

申请日：2018-03-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 丁度源 ,  卢钟旭 ,  梁大珍 ,  郭灿 ,  金亨俊 ,  李宇镇

IPC分类号： H01G4/30 ,  H01G4/06 ,  H01G4/14

CPC分类号： H01G4/1281 ,  C01G33/006 ,  C01P2002/08 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/78 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/47 ,  C04B35/472 ,  C04B35/491 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C07C211/01 ,  C07C211/63 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/14 ,  H01G4/232 ,  H01G4/242 ,  H01G4/30 ,  H01G4/33 ,  H01G4/06

摘要： 二维钙钛矿材料、包括其的介电材料和多层电容器。所述二维钙钛矿材料包括：包括层叠的具有正电荷的第一层和具有负电荷的第二层的层状金属氧化物、从所述层状金属氧化物剥落的单层纳米片、多个所述单层纳米片的纳米片层叠体、或其组合，其中所述二维钙钛矿材料以大于或等于约80体积％的量包括具有二维晶体结构的第一相，基于100体积％的所述二维钙钛矿材料，和所述二维钙钛矿材料由化学式1表示。

公开(公告)号：CN105706199A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201480061284.3

申请日：2014-10-16

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 川本光俊

IPC分类号： H01G4/12 ,  H01B3/12 ,  H01G4/30

CPC分类号： H01G4/1281 ,  H01B3/12 ,  H01C7/10 ,  H01G4/0085 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/232 ,  H01G4/248 ,  H01G4/30 ,  H01G4/35

摘要： 具有由SrTiO3系晶界绝缘型的半导体陶瓷形成的多个半导体陶瓷层(1a～1g)、和多个内部电极层(2a～2f)被交替层叠并烧结而成的部件基体(4)。所述半导体陶瓷的结晶粒子的平均粒径为1.0μm以下，并且，表示所述结晶粒子的粒径偏差的变动系数为30％以下。称量规定量的Sr化合物、Ti化合物以及供体化合物并混合粉碎，制作预烧粉末，将分散剂与受体化合物一起添加进行湿式混合之后，制作热处理粉末，将该热处理粉末浆料化并进行过滤处理，使用该被过滤处理的浆料来进行制作。由此，实现了即使ESD反复产生也能够抑制绝缘性的降低、能够确保所希望的电特性的耐久性优良的带有变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法。

公开(公告)号：CN103915253A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310741070.8

申请日：2013-12-27

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 冈岛健一 ,  福永大树 ,  矢尾刚之 ,  中村泰也 ,  盐田彰宏

IPC分类号： H01G4/005 ,  H01G4/30

CPC分类号： C04B37/001 ,  B32B18/00 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/58 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/80 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1281 ,  H01G4/30 ,  Y10T29/43

摘要： 本发明提供一种不易发生内部电极间的短路的陶瓷电子部件的制造方法。在未加工的陶瓷坯料（23）的第一及第二侧面（24c、24d）中的每一个上形成未加工的陶瓷层（29a、29b），所述未加工的陶瓷层（29a、29b）含有陶瓷粒子，并且存在于陶瓷粒子间的Ba、Mg、Mn及稀土类中的至少一种的成分的总量比陶瓷部多。通过对设置有未加工的陶瓷层（29a、29b）的未加工的陶瓷坯料（23）进行烧成，而得到具有电子部件本体（10）的陶瓷电子部件（1），所述电子部件本体（10）是对设置有未加工的陶瓷层（29a、29b）的未加工的陶瓷坯料（23）进行烧成而成的。

公开(公告)号：CN103915253B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201310741070.8

申请日：2013-12-27

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 冈岛健一 ,  福永大树 ,  矢尾刚之 ,  中村泰也 ,  盐田彰宏

IPC分类号： H01G4/005 ,  H01G4/30

CPC分类号： C04B37/001 ,  B32B18/00 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/58 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/80 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1281 ,  H01G4/30 ,  Y10T29/43

摘要： 本发明提供一种不易发生内部电极间的短路的陶瓷电子部件的制造方法。在未加工的陶瓷坯料（23）的第一及第二侧面（24c、24d）中的每一个上形成未加工的陶瓷层（29a、29b），所述未加工的陶瓷层（29a、29b）含有陶瓷粒子，并且存在于陶瓷粒子间的Ba、Mg、Mn及稀土类中的至少一种的成分的总量比陶瓷部多。通过对设置有未加工的陶瓷层（29a、29b）的未加工的陶瓷坯料（23）进行烧成，而得到具有电子部件本体（10）的陶瓷电子部件（1），所述电子部件本体（10）是对设置有未加工的陶瓷层（29a、29b）的未加工的陶瓷坯料（23）进行烧成而成的。

公开(公告)号：CN105706201A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201480056366.9

申请日：2014-09-29

申请人： 京瓷株式会社 ,  储能材料合同会社

发明人： 平原诚一郎 ,  小野智之 ,  古内史人 ,  永吉麻衣子 ,  积洋二 ,  笠井修一 ,  鹤见敬章

IPC分类号： H01G11/56

CPC分类号： H01G11/56 ,  C01G23/003 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/04 ,  C04B35/462 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/85 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1281 ,  H01G11/66

摘要： 本发明是包含无机固体电解质(2)、和夹着无机固体电解质(2)而设置的一对集电体(3)的全固态型电容器(1)。在全固态型电容器(1)中，无机固体电解质(2)具有由多个结晶粒子(21)、和形成于结晶粒子(21)间的晶界(22)所构成的多晶结构。结晶粒子(21)中所含的第1结晶粒子(21D)的位于晶界(22)近旁的晶畴(5B)的尺寸大于位于其中心近旁的晶畴(5A)的尺寸。

公开(公告)号：CN102649642B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201210034635.4

申请日：2012-02-10

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 立川勉

IPC分类号： H01G4/12 ,  H01G4/28

CPC分类号： H01G4/1227 ,  C03C3/087 ,  C03C14/004 ,  C03C2214/20 ,  C04B35/47 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/85 ,  H01G4/1281 ,  H01G4/129

摘要： 本发明提供晶界绝缘型半导体陶瓷、半导体陶瓷电容器以及半导体陶瓷电容器的制造方法。扩散剂中即使不使用Pb类材料，也能够获得良好的电气特性。晶界绝缘型半导体陶瓷以SrTiO3类化合物为主成分而形成，并且含有包含晶界绝缘化剂和玻璃成分的扩散剂。晶界绝缘化剂由不含Pb的非Pb类材料形成，并且玻璃成分以不含B和Pb的SiO2-X2O-MO-TiO2类玻璃材料(X表示碱金属，M表示选自Ba、Sr、Ca的至少一种)为主成分，并且所述玻璃成分的含量相对于100重量份所述晶界绝缘化剂为3～15重量份。部件主体2由该晶界绝缘型半导体陶瓷形成。

公开(公告)号：CN103370754A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201280007587.8

申请日：2012-01-27

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 川本光俊

IPC分类号： H01G4/12 ,  H01C7/10 ,  H01G4/30

CPC分类号： H01G4/1281 ,  H01C7/10 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

摘要： 本发明提供一种带变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器，其具有部件素体(4)和外部电极(3a)、(3b)，所述部件素体(4)是将由SrTiO3系晶界绝缘型的半导体陶瓷形成的多个半导体陶瓷层(1a)～(1g)和以Ni为主成分的多个内部电极层(2a)～(2f)交替层叠并烧结而成，所述外部电极(3a)、(3b)在该部件素体(4)的两端部与所述内部电极层(2a)～(2f)电连接，除外装用半导体陶瓷层(1a)、(1g)外的半导体陶瓷层(1b)～(1f)的各厚度为20μm以上，所述半导体陶瓷层(1a)～(1g)中的晶粒的平均粒径为1.5μm以下。在用WDX法对半导体陶瓷层的层叠方向的中央部或该中央部附近进行分析时，Ni元素的强度x与Ti元素的强度y的比率x/y为0.06以下。由此，实现制品间的特性偏差小、能够稳定获得良好电特性和绝缘性、且具有良好的可靠性的带变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器。