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公开(公告)号:CN108352827A
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201680062945.3
申请日:2016-10-27
申请人: 株式会社村田制作所
发明人: 山田贵之
CPC分类号: H03H9/58 , H01L41/047 , H01L41/0533 , H01L41/183 , H03H7/0153 , H03H9/25 , H03H9/542 , H03H9/72
摘要: 提供能有效果地抑制高次模的弹性波装置。弹性波装置(1)具备:第1压电基板(4A),其包含LiNbO3;第1带通型滤波器(2A),其构成在第1压电基板(4A),具有多个第1IDT电极;电介质层,其设于第1压电基板(4A)上,覆盖多个第1IDT电极;第2压电基板(4B);第2带通型滤波器(2B),其构成在第2压电基板(4B),具有多个第2IDT电极,且通频带与第1带通型滤波器(2A)的通频带不同;和带阻滤波器(3),其与第1带通型滤波器(2A)连接。带阻滤波器3构成在第1压电基板(4A)以外的压电基板。
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公开(公告)号:CN108141190A
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201680059280.0
申请日:2016-09-21
申请人: 株式会社村田制作所
发明人: 东条淳
CPC分类号: H03H7/075 , H03H7/0115 , H03H7/0153 , H03H2001/0085 , H03H2210/025 , H05K3/46
摘要: 本发明是安装电容器的电路基板(2)。电路基板(2)具备:电极(T1),用于连接电容器(C1);电感器(L1),与电极(T1)连接;电感器(L2),与电极(T1)连接;电极(T4),与电感器(L2)连接;电极(T3),与电感器(L1)连接;以及接地电极(GND),与电极(T3)之间形成电容。由电极(T3)和接地电极(GND)形成的电容为电容器(C1)的电容以上。
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公开(公告)号:CN106877834A
公开(公告)日:2017-06-20
申请号:CN201610825835.X
申请日:2016-09-14
申请人: 法雷奥热系统公司
IPC分类号: H03H7/01
CPC分类号: H03H7/0138 , H02P6/28 , H03H7/427 , H03H7/0153
摘要: 一种电滤波器(10),适用于对减小共模电流具有更高的有效性,电气装置(30)可以在用于供给这个装置的电压源(20)的方向产生该共模电流。这样的滤波器对于满足由宝马集团标准GS95002‑2:“在高达60V额定电压的部件上的电磁兼容(EMC)‑要求和测试”设定的电磁兼容要求是有用的。
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公开(公告)号:CN106788391A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201611252956.6
申请日:2016-12-30
申请人: 华南理工大学
IPC分类号: H03K19/0175 , H01P7/10
CPC分类号: H01P1/2002 , G01R33/32 , H01P1/127 , H01P1/20327 , H01P1/2084 , H01P7/10 , H03H7/0153 , H03H7/06 , H03K19/017545
摘要: 本发明公开了一种基于介质谐振器的低损耗高隔离滤波开关,包括至少一个介质谐振器、金属腔、开关电路及馈电线结构,所述开关电路集成到PCB板后嵌入到金属腔内,介质谐振器位于金属腔内,馈电线结构包括结构相同的输入馈电线结构及输出馈电线结构,输入馈电线结构及输出馈电线结构均由主馈电线及两条支馈电线构成,两条支馈电线与主馈电线垂直,且连接在主馈电线的两侧,其中一条支馈电线的一端与金属腔连接并接地,另一条支馈电线的一端与金属腔内的开关电路连接。本发明在ON状态下具有较低插入损耗以及较高功率处理能力,能在通带两侧都产生传输零点,从而实现急剧的衰减率和较高的带外抑制;在OFF状态下具有高度隔离性。
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公开(公告)号:CN106575975A
公开(公告)日:2017-04-19
申请号:CN201480081520.8
申请日:2014-08-25
申请人: 瑞萨电子株式会社
IPC分类号: H04B1/48
CPC分类号: H04B1/48 , H03F1/565 , H03F3/189 , H03F3/24 , H03F2200/294 , H03F2200/378 , H03F2200/541 , H03H7/0115 , H03H7/0153 , H03H7/38 , H03H7/42 , H03H11/28
摘要: 在设置于一个实施方式的半导体器件的RFIC中,将接收用的低噪声放大器(41)和发送用的功率放大器(11)与共用的天线连接端子(5)连接。在天线连接端子(5)和LNA(41)之间连接有用于阻抗匹配的电路(31),且与该电路(31)并联地连接有半导体开关(SW1)。
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公开(公告)号:CN106257374A
公开(公告)日:2016-12-28
申请号:CN201510830559.1
申请日:2015-11-25
申请人: 意法半导体(图尔)公司
发明人: S·沙莱
IPC分类号: G05F1/56
CPC分类号: H01G7/06 , G01R15/165 , G05F5/00 , H03H5/12 , H03H7/0153 , H04B1/0458
摘要: 本公开的各种实施例涉及BST电容器配置方法。用于配置具有能够通过偏置设置为设定点值的电容的电容器的方法和电路,包括以下步骤:(a)注入恒定电流以偏置电容器;(b)在时间间隔的结束处测量电容器的偏置电压;(c)计算在所述时间间隔的结束处获得的所述电容的值;(d)将这一值与期望值相比较;(e)只要所计算的值不同于所述设定点值,则重复步骤(a)到(d);并且只要所计算的电容值等于所述设定点值,则存储所测量的所述偏置电压的值作为要向所述电容器施加的偏置电压。
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公开(公告)号:CN106059523A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201610247207.8
申请日:2016-04-20
申请人: 佛山臻智微芯科技有限公司
CPC分类号: H03H1/02 , H03H7/0153 , H03H2210/025 , H03H2210/036 , H03H2210/043
摘要: 本发明属于移动通信技术领域,一种基于LC谐振电路的片上电容校正方法,包括开关电容阵列和逐次逼近逻辑控制电路,开关电容阵列与电感串联构成LC振荡电路,开关电容阵列的上端和电感的下端分别接交流电的输入端和输出端,开关电容阵列的上端接有第一检波器,电感的下端接有第二检波器,第一检波器和第二检波器的输出端接电压比较电路,电压比较电路连接逐次逼近逻辑控制电路,逐次逼近逻辑控制电路控制开关电容阵列的电容大小,本发明有益效果在于:利用LC震荡电路,对开关电容阵列进行校正,校正精度得到了提高,同时避免了对于电容充电的电流不恒定的问题。
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公开(公告)号:CN106031036A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201580008027.8
申请日:2015-02-05
申请人: 株式会社村田制作所
IPC分类号: H03H9/64 , H01P1/20 , H03H7/12 , H03H7/46 , H03H9/17 , H03H9/54 , H03H9/70 , H03H9/72 , H04B1/50
CPC分类号: H03H9/542 , H03H7/0153 , H03H7/12 , H03H9/568 , H03H9/605 , H03H9/64 , H03H9/6403 , H03H9/6483 , H03H2210/025 , H04B1/525
摘要: 本发明的滤波电路(10)具有:连接在端口P1‑P2)之间的串联臂(11);包括串联连接在端口(P1‑P3)之间的谐振器(Re_p1)的并联臂(12);以及包括串联连接在端口(P2‑P3)之间的谐振器(Re_p2)的并联臂(13)。串联臂(11)包括切换电路(14),切换电路(14)经由开关(SW)将电感(Ls1)或者电容(Cs1串联连接至串联臂(11)。
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公开(公告)号:CN105408971A
公开(公告)日:2016-03-16
申请号:CN201480041033.9
申请日:2014-05-27
申请人: 纽伦斯股份有限公司
CPC分类号: H01F17/0013 , H01F2017/0026 , H01G4/38 , H01G4/40 , H01G5/38 , H01L23/642 , H01L27/0811 , H01L28/10 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/83385 , H01L2924/0002 , H01L2924/15311 , H03H5/003 , H03H7/01 , H03H7/0115 , H03H7/0138 , H03H7/0153 , H03H7/09 , H03H7/38 , H03H7/48 , H03H11/1291 , H03H2210/025 , H03H2210/036 , H03H2240/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要: 在此提供用于矢量电感器的装置和方法。在特定配置中,一种装置,包括:矢量电感器,其包括布置在堆叠中并且通过电介质彼此分离的多个导体。所述导体彼此紧密耦合,以提供相对高量的互感。例如,堆叠中的相邻导体可以通过至少0.5或更具体地0.9或更大的耦合系数k互耦。在特定实现方式中,导体彼此并联电连接,以提供具有低电阻的矢量电感器。然而,堆叠中的各导体之间的紧密耦合可以产生具有与所述堆叠中的单独导体的自感相似的总电感的矢量电感器。可以通过在堆叠中包括附加导体来增加矢量电感器的Q因数。
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公开(公告)号:CN105359409A
公开(公告)日:2016-02-24
申请号:CN201480030574.1
申请日:2014-02-26
申请人: 纽伦斯股份有限公司
CPC分类号: H01F17/0013 , H01F2017/0026 , H01G4/38 , H01G4/40 , H01G5/38 , H01L23/642 , H01L27/0811 , H01L28/10 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/83385 , H01L2924/0002 , H01L2924/15311 , H03H5/003 , H03H7/01 , H03H7/0115 , H03H7/0138 , H03H7/0153 , H03H7/09 , H03H7/38 , H03H7/48 , H03H11/1291 , H03H2210/025 , H03H2210/036 , H03H2240/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要: 一种从多个小单元(100-0、100-1、……100-N)构造的高度线性可变电容器阵列(400)。每个小单元包括反平行连接的一对无源的两端子电容器组件。电容器组件可以是金属氧化物半导体MOS电容器。控制电路(410)将偏置电压(411-0、411-1、……411-N)施加到与每个电容器组件关联的偏置电压端子,以由此控制阵列的总体电容。每个小单元中的两个电容器反平行连接,以减少小单元的和阵列的电容的电压系数。MOS电容器优选地操作在反转模式或累积模式下。
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