公开(公告)号：CN100451841C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200610096000.1

申请日：2001-08-15

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 寺泽恒男 ,  田中稔彦 ,  宫崎浩 ,  长谷川升雄 ,  森和孝

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/004 ,  H01L21/00

CPC分类号： G03F7/70425 ,  G03F1/00 ,  G03F1/56 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/15311 ,  Y10S438/944 ,  Y10S438/946 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种半导体集成电路器件的制造方法，该制造方法到半导体衬底上的晶体管结构的制造为止是公共的，在布线加工中分成多个种类来制造多种产品，其特征在于，包括下列步骤：为了对上述多种产品形成公共结构的图形，使用将金属膜作为曝光不透明膜的第一光掩膜，在形成于上述半导体衬底上的第一感光膜上进行曝光的步骤；为了在上述多种产品上形成按每个种类而不同的图形，使用将有机感光树脂膜作为曝光不透明膜的孔或布线图形用的第二光掩膜，在形成在上述半导体衬底上的第二感光膜上进行曝光的步骤。由此，改善了半导体集成电路器件的生产率。

公开(公告)号：CN1253311A

公开(公告)日：2000-05-17

申请号：CN99121520.6

申请日：1999-10-14

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 古川俊治 ,  M·C·哈利 ,  S·J·霍尔梅斯 ,  D·V·霍拉克 ,  P·A·拉比多西

IPC分类号： G03F7/00 ,  H01L21/30 ,  H01L21/82

CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/20 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0279 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76838 ,  Y10S438/944

摘要： 本发明克服了现有技术的局限,能形成逻辑电路中使用的较小部件。本发明提供了一种在通过使用称做阴影心轴层的材料层产生阴影,在半导体衬底上限定和形成结构的新方法。在阴影心轴层中腐蚀出沟槽。沟槽的至少一侧用于在沟槽的底部投射阴影心轴层。保形淀积的光致抗蚀剂用于捕获阴影的图像。阴影的图像用于限定和形成结构。这能够在晶片的表面上形成图像,不会产生常规光刻中遇到的衍射效应。这样能够减小器件的尺寸并增加芯片的工作速度。

公开(公告)号：CN103793089A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201210429498.4

申请日：2012-10-30

申请人： 宸鸿科技(厦门)有限公司

发明人： 江耀诚 ,  吴德发 ,  严建斌

IPC分类号： G06F3/041

CPC分类号： G06F3/041 ,  G06F3/045 ,  Y10S438/944

摘要： 本发明提供一种触控面板，至少包含有复数条第一电极轴，每一第一电极轴为一连续结构。复数个第二电极块，该些第二电极块相互间隔排列，其中每一第一电极轴与复数个对应的该些第二电极块位于共平面且彼此互补镶嵌及电性绝缘，以及复数条第二导线，其中每一个第二电极块与一条该第二导线电性连接。本发明提供的触控面板，电极轴与电极块彼此互补镶嵌排列且无交叉堆叠，无需形成桥接结构及绝缘块，以减少制作工序，提高生产效率。

公开(公告)号：CN1516236A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN03105193.6

申请日：2001-08-15

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 寺泽恒男 ,  田中稔彦 ,  宫崎浩 ,  长谷川升雄 ,  森和孝

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/82 ,  H01L21/50

CPC分类号： G03F7/70425 ,  G03F1/00 ,  G03F1/56 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/15311 ,  Y10S438/944 ,  Y10S438/946 ,  H01L2924/00

摘要： 一种制造半导体集成电路器件的方法，它包含对写入了图形的光掩模进行照明，并经由曝光光学系统反复执行投影曝光，从而将所述图形印制到半导体衬底上，顺序形成预定的图形的步骤，当每个光掩模所需的曝光处理数目大于预定数目时，使用以金属膜作为不透明元件的光掩模，而当每个光掩模所需的曝光处理数目小于预定数目时，使用以含有机感光树脂膜的有机材料作为不透明元件的光掩模。由此，改善了半导体集成电路器件的产率。

公开(公告)号：CN1386300A

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN01802217.0

申请日：2001-08-15

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 寺泽恒男 ,  田中稔彦 ,  宫崎浩 ,  长谷川升雄 ,  森和孝

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F1/08 ,  H01L27/10 ,  H01L21/3205

CPC分类号： G03F7/70425 ,  G03F1/00 ,  G03F1/56 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/15311 ,  Y10S438/944 ,  Y10S438/946 ,  H01L2924/00

摘要： 改善了半导体集成电路器件的产率。根据光掩模被使用多少次,恰当地使用具有由金属组成的不透明图形的光掩模以及具有由抗蚀剂膜组成的不透明图形的光掩模,从而执行曝光处理。

公开(公告)号：CN101582376B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200910137922.6

申请日：2009-04-30

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 小室雅宏

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/67069 ,  Y10S438/944

摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法和蚀刻设备。为了在去除在其上形成的硬掩模的过程中抑制将被蚀刻的层的周边部分被粗糙化，本发明的蚀刻设备具有处理室、电极、工作台和遮挡环，其中，处理室允许蚀刻气体被引入其中；电极布置在处理室中，并用于通过将蚀刻气体离化来产生等离子体；工作台布置在处理室中，在该工作台上放置衬底；遮挡环在其内周边缘具有不规则图案，并且被布置在处理室中且被放置在工作台(30)的上方，从而以非接触的方式覆盖衬底的周边部分和与周边部分相邻的内部区域。

公开(公告)号：CN101088151B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200580044297.0

申请日：2005-12-20

申请人： 阿德文泰克全球有限公司

发明人： 托马斯·P·布罗迪 ,  约瑟夫·A·马尔卡尼奥 ,  杰弗里·W·康拉德 ,  蒂莫西·A·考恩

IPC分类号： H01L21/4763 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67207 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/143 ,  H05K3/4076 ,  H05K3/467 ,  H05K2203/1545 ,  Y10S438/944 ,  Y10S438/945

摘要： 在连续一列式阴影掩膜生产系统中通过沉积第一导电层随后在第一导电层的一部分之上沉积第一绝缘层来形成导通孔。第一绝缘层是以沿其边缘定义至少一个凹口的方式沉积的。然后第二绝缘层以该第二绝缘层与第一绝缘层的每个凹口稍微重叠来形成一个或者多个导通孔的方式被沉积在第一导电层的另一部分上，从而形成一个或多个导通孔。导电填充物可以有选择性地沉积在每个导通孔中。最后，第二导电层可以被沉积在第一绝缘层、第二绝缘层、以及导电填充物(如果提供)上。

公开(公告)号：CN1945438A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610096000.1

申请日：2001-08-15

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 寺泽恒男 ,  田中稔彦 ,  宫崎浩 ,  长谷川升雄 ,  森和孝

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/004 ,  H01L21/00

CPC分类号： G03F7/70425 ,  G03F1/00 ,  G03F1/56 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/15311 ,  Y10S438/944 ,  Y10S438/946 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种半导体集成电路器件的制造方法，到半导体衬底上的晶体管结构的制造为止是相同的工艺，在布线加工中分成多个种类来制造多种产品，其特征在于，包括下列步骤：为了对上述多种产品形成公共结构的图形，使用将金属膜作为曝光不透明膜的第一光掩膜，在形成于上述半导体衬底上的第一感光膜上进行曝光的步骤；为了在上述多种产品上形成按每个种类而不同的图形，使用将有机感光树脂膜作为曝光不透明膜的孔或布线图形用的第二光掩膜，在形成在上述半导体衬底上的第二感光膜上进行曝光的步骤。由此，改善了半导体集成电路器件的生产率。

公开(公告)号：CN1182568C

公开(公告)日：2004-12-29

申请号：CN01802217.0

申请日：2001-08-15

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 寺泽恒男 ,  田中稔彦 ,  宫崎浩 ,  长谷川升雄 ,  森和孝

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F1/08 ,  H01L27/10 ,  H01L21/3205

CPC分类号： G03F7/70425 ,  G03F1/00 ,  G03F1/56 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/15311 ,  Y10S438/944 ,  Y10S438/946 ,  H01L2924/00

摘要： 改善了半导体集成电路器件的产率。根据光掩模被使用多少次，恰当地使用具有由金属组成的不透明图形的光掩模以及具有由抗蚀剂膜组成的不透明图形的光掩模，从而执行曝光处理。

公开(公告)号：CN101124656A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200680000288.6

申请日：2006-06-06

申请人： 阿德文泰克全球有限公司

发明人： 托马斯·P·布罗迪

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/44 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  B05C11/11 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L27/1288 ,  C23C14/042 ,  C23C14/562 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/14683 ,  Y10S438/944

摘要： 一种荫罩沉积系统包括多个相同的荫罩，利用排列在多个仓中的相同荫罩形成类似数量的复合荫罩，每个复合荫罩连同一个材料沉积源放置在一个沉积真空容器中。通过在相应复合荫罩中的开孔，利用材料沉积源在基体上沉积材料，每个开孔是由形成复合荫罩的多个荫罩中的孔的全部或部分排列而成，从而在基体上形成一排电子元件。