公开(公告)号：CN110890264A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910526439.0

申请日：2019-06-18

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 藤本龙吾 ,  国立圭一

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明涉及一种离子束照射装置，所述离子束照射装置不使用灯具加热器或钨丝等的发热体，而可在广范围加热真空容器壁面，以使水成分挥发。本发明的离子束照射装置在开放至大气后的基板处理前，对构成离子束的输送路的真空容器壁面扫描离子束。

公开(公告)号：CN110828269A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910358773.X

申请日：2019-04-30

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 锹田雄介

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供能节约用于抑制离子束膨胀的离子束中和用气体量的方法和离子注入装置。在从导入离子源的掺杂气体的等离子体通过引出电极引出的离子束中，当所述掺杂气体含卤时，不向离子束轨道供给中和用气体，当所述掺杂气体不含卤时，向离子束轨道供给中和用气体。

公开(公告)号：CN110556281A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910022321.4

申请日：2019-01-10

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 山元彻朗

IPC: H01J37/30 ,  H01J37/244 ,  G21K5/04

Abstract: 本发明涉及一种离子束照射装置，使在可动式的射束电流计测器(7)中的驱动机构的设计变得简便，同时可逐回从射束计测部位所释放出的二次电子。本发明的离子束照射装置(IM)具有：射束电流计测器(7)，其可在射束轨道(IB)进出而计测射束电流；以及，第一电极(6)，其配置于即将到达射束电流计测器(7)前的射束输送路径上；第一电极(6)兼具为：抑制电极，其将从射束电流计测器(7)所释放出的二次电子逐回至射束电流计测器侧；及，其它的射束光学构件。

公开(公告)号：CN110504148A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201811608893.2

申请日：2018-12-27

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 山元徹朗

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明提供一种离子源。利用形成有离子束引出用的长孔的碳构件，抑制剥离后的堆积物横跨长孔而致使引出的离子束的束电流量减少。离子源(IS)具有形成有离子束引出用的长孔(H)的碳构件(C)，在长孔(H)的长边形成有切口(E)。

公开(公告)号：CN110379697A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201811609061.2

申请日：2018-12-27

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 山元彻朗

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明提供一种在阴极不会折损的情形下可变更包含在离子束中的所希望离子的比率的离子源、离子束照射装置及离子源的运转方法。该离子源(1)从等离子体生成容器(2)朝预定方向引出离子束的离子源(1)，其具有：电子供给部(3)，其对等离子体生成容器(2)内供给电子；电磁铁(M0)，其生成捕捉来自电子供给部(3)的电子的磁场；以及位移装置，其为了变更包含在离子束的所希望离子的比率，而在离子束的引出方向使磁场的中心位置位移。

公开(公告)号：CN110189990A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201910126344.X

申请日：2019-02-20

Applicant: 国立大学法人东京农工大学 ,  日新离子机器株式会社

Inventor： 鲛岛俊之 ,  永尾友一

IPC: H01L21/265

Abstract: 本发明提供制造半导体元件的方法和离子注入装置，为了通过利用所希望的退火温度进行退火处理而能够将方块电阻降低到要求的水平，将离子注入到半导体基体W中的制造半导体元件的方法包括：第一离子注入工序，将氢离子或者稀有气体离子注入到半导体基体W中；以及第二离子注入工序，将掺杂离子注入到半导体基体W中。

公开(公告)号：CN109819570A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201810825295.4

申请日：2018-07-25

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 高桥元喜 ,  永尾友一 ,  立道润一 ,  井内裕

IPC: H05F3/04 ,  H01L21/265 ,  B65G49/06

Abstract: 本发明涉及平面面板显示器制造装置。本发明提供一种平面面板显示器制造装置，其具有适合于在高真空下进行玻璃基板的除电的除电装置。本发明的平面面板显示器制造装置具有：处理室，对于玻璃基板施行加工处理；搬送路，形成玻璃基板往处理室搬入搬出的搬入搬出路径；其中，处理室与搬送路处于真空环境下；且在构成搬送路的真空容器的外壁面连接有除电装置，该除电装置用以朝向真空容器的内侧放出用于进行玻璃基板的除电的电子。

公开(公告)号：CN108735564A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201711224060.1

申请日：2017-11-29

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 甲斐裕章 ,  西村一平

IPC: H01J37/08 ,  H01J27/02

Abstract: 本发明提供一种定位销及离子源，所述定位销的固定结构得到了简化。所述定位销(P)用于构成离子源的引出电极系统的电极的安装，在定位销(P)的长边方向的两个端部中，在第一端部(11)形成有螺丝(S)，与第一端部(11)相反侧的第二端部(12)为锥形。

公开(公告)号：CN108091590A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201710712078.X

申请日：2017-08-18

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 高冈邦文

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01J37/317 ,  H01J37/20

CPC classification number: H01L21/67098 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/6831 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01L21/67276

Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置及基板支承装置的冷却方法。使用简单的结构在短时间内使基板支承装置的温度下降。半导体制造装置具备：收纳处理基板的第一收纳室；收纳伪基板的第二收纳室；对基板进行支承的带有加热功能的基板支承装置；及在各收纳室与基板支承装置之间进行各基板的搬运的基板搬运装置，其中，所述半导体制造装置还具备控制装置，控制装置在前面的基板处理中的基板处理温度比后面的基板处理中的基板处理温度高的情况下，在进行后面的基板处理之前对基板搬运装置进行操作，对温度比前面的基板处理中的基板处理温度低的伪基板进行搬运。

公开(公告)号：CN108022856A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201710456969.3

申请日：2017-06-16

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 足立昌和

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供加热装置和半导体制造装置，能提高加热效率并缩短升温时间，从而实现向加热器投入能量的低电耗化。所述加热装置(20)包括：移送机构(M)，具有支承基板(W)的支承部(1)，在加热位置(HP)和非加热位置(NH)之间移送基板(W)；加热器(4)，在加热位置(HP)上对基板(W)的一个面进行加热；以及热反射板(2)，和基板(W)的另一个面相对、设置在移送机构(M)中，热反射板(2)覆盖基板(W)的另一个面。