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公开(公告)号：CN108962984A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810595808.7
申请日：2018-06-11
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/0684 , H01L29/122 , H01L29/66325
Abstract: 本发明公开了一种具有量子点结构的绝缘栅双极型晶体管。由下至上依次包括：漏极、P+衬底、N型缓冲层、N型量子点层、N‑基区、P+阱、P基区、N+接触区、栅极、栅介质层和源极。由于量子点(零维材料)相较于高维材料具有更大的禁带宽度，而量子点的禁带宽度又强烈地依赖于其尺寸，且量子点尺寸不一，会天然地形成势能波动，产生大量的载流子局域区域。当器件关断时，剩余载流子被局域在量子点层中，可有效减小绝缘栅双极型晶体管器件的拖尾电流和缓冲层厚度，进而可以减小器件的开关时间和导通压降。
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公开(公告)号：CN108807500A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810540129.X
申请日：2018-05-30
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/335 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/0684 , H01L29/66462
Abstract: 本发明公开了一种具有高阈值电压的增强型高电子迁移率晶体管，包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、n型AlGaN层以及钝化层，源极和漏极分别设置于n型AlGaN层两端并与非掺杂GaN层形成接触，栅极设置在n型AlGaN层之上；所述n型AlGaN层由氮极性AlGaN层和金属极性AlGaN层组成。本发明通过引入了有别于传统金属极性的氮极性AlGaN层，与金属极性的GaN层构成的AlGaN/GaN异质结能带结构，实现更高的阈值电压。
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公开(公告)号：CN105977349B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201610328031.9
申请日：2016-05-17
Applicant: 东南大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种具有p‑i‑n隧道结的多有源区发光二极管，该二极管由下至上依次包括衬底、氮化物成核层、氮化物缓冲层、n型氮化物层、第一发光区、p‑i‑n隧道结、第二发光区、和氧化铟锡导电层；其中第一发光区由第一有源区、第一p型氮化物电子阻挡层和第一p型氮化物空穴注入层组成，第二发光区由第二有源区、第二p型氮化物电子阻挡层和第二p型氮化物空穴注入层组成。本发明实现了多有源区发光，不仅可以降低电极接触带来的电迁移问题，还能有效减小传统隧道结工作时内部耗尽区的宽度，从而减小电子隧穿的距离，增加电子隧穿的几率，并可有效缓解传统重掺杂隧道结引起的晶格失配，提高器件的晶体质量。
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公开(公告)号：CN107195746A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710343018.5
申请日：2017-05-16
Applicant: 东南大学
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/14
Abstract: 本发明公开了一种具有共振隧穿结构电子阻挡层的发光二极管，包括：由下而上依次设置的衬底、n型氮化物层、多量子阱层、电子阻挡层、p型氮化物层、p型氮化物欧姆接触层，所述n型氮化物层上设置的n型电极和所述p型氮化物层上设置的p型电极；其中电子阻挡层由由下而上依次设置的p型掺杂氮化物势垒层，非掺杂氮化物势阱层、利用共振隧穿效应增大空穴透过率的非掺杂势垒层联合构成。本发明的有益效果为：可以有效地阻挡电子穿过有源区进入p型区，又可以增大空穴穿过电子阻挡层注入有源区的效率；可利用较简单的生长方式和较少的层结构就能达到很好的电子阻挡效果，同时获得明显高于传统电子阻挡层结构的空穴注入效率。
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公开(公告)号：CN104966768B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510282242.9
申请日：2015-05-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有量子点电子阻挡层(EBL)结构的紫外发光二极管(UV‑LED)，包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、AlN成核层、非掺杂u型AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN量子阱有源区、p型AlN/AlGaN量子点电子阻挡层、p型AlGaN层和氧化铟锡导电层(ITO)，在n型AlGaN层上引出n型欧姆电极，在氧化铟锡导电层(ITO)上引出p型欧姆电极。本发明通过采用自组装AlN/AlGaN量子点的p型掺杂层作为电子阻挡层和空穴注入层，能够有效抑制电子溢出有源区，增强空穴注入有源区效率，从而提高有源区内载流子的复合效率。并且用AlN取代蓝光LED中常用的AlGaN作为EBL层，能够更加有效地减少EBL层对紫外光的吸收，提高UV‑LED的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104051589B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410287509.9
申请日：2014-06-24
Applicant: 东南大学
IPC: H01L33/28
Abstract: 本发明公开了一种横向氧化锌纳米棒阵列发光二极管,包括自下而上依次设置的蓝宝石衬底(101)、二氧化硅绝缘层(102)、氮化镓缓冲层侧边上设置有p区电极(106)，而与该侧边相对的另一侧边上设置有块状n+-ZnO(104)，所述块状n+-ZnO(104)上设置有ITO-ZnO薄膜的n区电极(105)，还包括ZnO纳米棒阵列(107)，所述ZnO纳米棒阵列的两端分别设置有n型区和p型区，同时所述ZnO纳米棒阵列通过p型区、n型区分别与p区电极(106)、块状n+-ZnO(104)连接,本发明不仅光提取效率高，而且电子的注入效率高同时成本低。(103)，所述氮化镓缓冲层(103)的矩形刻蚀槽一
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公开(公告)号：CN106298990A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610968769.1
申请日：2016-10-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022425
Abstract: 本发明提供了一种具有自发极化电场的非极性太阳能电池。自下而上依次包括：衬底、GaN成核层、非掺杂GaN缓冲层、n型GaN层、InGaN吸收层，p型GaN层，其中除衬底之外的所有氮化物外延层均由非极性材料构成；在p型GaN层上引出p型欧姆电极，在n型GaN层上引出n型欧姆电极。由于非极性外延层面内存在平行于外延层面的单一方向的自发极化电场，且p型和n型GaN欧姆电极分别位于自发极化电场的正负两端，因此自发极化电场的存在有利于提高太阳能电池中光生载流子电子空穴对的横向即平行于电池表面的空间分离效率，并且此自发极化电场还可加速将分离的空穴和电子分别输运至正负电极处，从而可大大提高光电流的产生效率。
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公开(公告)号：CN103311394B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310232613.3
申请日：2013-06-09
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种氮化镓基发光二极管及其外延生长方法。本发明的氮化镓基发光二极管外延结构的特征是具有经过优化的、镁掺杂的p型铝镓氮-氮化镓超晶格组成的电子阻挡层。当p型铝镓氮-氮化镓超晶格的重复周期数为4至12，而总厚度为50至150nm时，外延片的晶体质量得到明显改善，从而有效地提高发光二极管的抗静电（ESD）良率。本发明的特点在于：采用本发明的p型铝镓氮-氮化镓超晶格组成的电子阻挡层所制备的发光二极管的综合性能优异，即不仅能够获得高于97%的ESD良率，而且具有极低的正向工作电压和极高的发光效率。
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公开(公告)号：CN105355736A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510770220.7
申请日：2015-11-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种具有量子点p区结构的紫外发光二极管(UV-LED)，自下而上依次包括：衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa1-xN/AlyGa1-yN量子阱有源区、AlzGa1-zN电子阻挡层，GaN或低Al组分AlqGa1-qN量子点p型层和氧化铟锡(ITO)导电层，其中z>y>x>q，在ITO导电层和n区上分别引出p型和n型欧姆电极。由于采用GaN或低Al组分AlqGa1-qN量子点作为p区材料，易实现Mg掺杂和激活；又因为量子点相较于高维材料具有更大的禁带宽度，可以避免其对紫外出射光的吸收，因此该结构可以从而提高UV-LED的外量子效率和发光功率。
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公开(公告)号：CN103367594B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310321486.4
申请日：2013-07-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，通过以Mg的均匀掺杂的p型GaN层替代非掺杂的GaN层作为Mg的δ掺杂的p型GaN的最终覆盖层，能够在一定程度上改善p型欧姆接触层质量，提高外量子效率，而且Mg的δ掺杂的P型GaN层和Mg的均匀掺杂的P型GaN层组成的复合型p型GaN欧姆接触层，既可以获得高的空穴浓度从而增加电子空穴的复合发光效率，又可以降低欧姆接触电阻，使得发光二极管的整体电学特性变佳。
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