公开(公告)号：CN108962984A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810595808.7

申请日：2018-06-11

申请人： 东南大学

发明人： 庄喆 ,  姜海涛 ,  张雄 ,  崔一平

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7393 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/122 ,  H01L29/66325

摘要： 本发明公开了一种具有量子点结构的绝缘栅双极型晶体管。由下至上依次包括：漏极、P+衬底、N型缓冲层、N型量子点层、N‑基区、P+阱、P基区、N+接触区、栅极、栅介质层和源极。由于量子点(零维材料)相较于高维材料具有更大的禁带宽度，而量子点的禁带宽度又强烈地依赖于其尺寸，且量子点尺寸不一，会天然地形成势能波动，产生大量的载流子局域区域。当器件关断时，剩余载流子被局域在量子点层中，可有效减小绝缘栅双极型晶体管器件的拖尾电流和缓冲层厚度，进而可以减小器件的开关时间和导通压降。

公开(公告)号：CN106952826A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710203713.1

申请日：2017-03-30

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 谢华飞

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L29/66045 ,  H01L29/122 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提供了一种场效应晶体管及其制备方法，该方法包括在基板上沉积第一绝缘层；在第一绝缘层上形成源极及漏极；形成覆盖源极及漏极的碳量子点有源层；在碳量子点有源层上依次形成第二绝缘层及栅极。通过上述方法，本发明使用碳量子点为材料制备场效应晶体管中的有源层，丰富了场效应晶体管的制备材料，减少了现有技术中使用金属点膜层制备有源层时对环境的污染，同时降低了对金属元素的依赖性。

公开(公告)号：CN106549039A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610954919.3

申请日：2016-11-03

申请人： 浙江大学

发明人： 赵毅 ,  李骏康 ,  谢爽 ,  张睿 ,  徐明生

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/122

摘要： 本发明公开了一种低功耗高性能的锗沟道量子阱场效应晶体管，包括半导体锗衬底；半导体锗衬底具有源端注入区和漏端注入区；源端注入区和漏端注入区之间的半导体锗衬底表面依次覆盖二维材料钝化层、栅极绝缘层和栅电极；源端注入区和漏端注入区均设有N+或P+有源注入区。本结构的量子阱晶体管在工作时能够获得比传统锗基金属氧化物半导体场效应晶体管更大的工作电流。栅叠层中的二维材料，由于其层数减少时能带结构会发生变化，特定层数对应的能带结构与锗的能带结构的相对位置偏差使锗沟道形成一个量子阱，这能有效地限制电子和空穴两种载流子的输运空间，减少载流子散射对迁移率的影响，提高器件工作电流，实现低功耗高性能的P型和N型晶体管。

公开(公告)号：CN105378904A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201480038561.9

申请日：2014-06-06

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 梅本康成 ,  黑川敦 ,  西明恒和

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/737

CPC分类号： H01L29/7371 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/122 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/6631

摘要： 本发明涉及半导体装置。在双极晶体管中，集电极层(3)由n型GaAs层(3a)(Si浓度：约5×1015cm-3，膜厚：约350nm)，p型GaAs层(3b)(C浓度：约4.5×1015cm-3，膜厚：约100nm，层浓度：4.5×1010cm-2)以及n型GaAs层(3c)Si浓度：约5×1015cm-3，膜厚：约500nm)三层的半导体层形成。p型GaAs层(3b)的层浓度被设定为比1×1011cm-2低。

公开(公告)号：CN102163620B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201110034838.9

申请日：2011-01-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 麦西亚斯·派斯雷克

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7787 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/122 ,  H01L29/155 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/432 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7783 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/1844

摘要： 本发明关于一种n沟道晶体管及反相器电路。在一实施例中，n沟道晶体管包括一分立空穴能阶(H0)的第一半导体层：具有一导电带最小值(EC2)的第二半导体层；设置于第一和第二半导体层之间的宽能隙半导体阻障层；设置于第一半导体层之上的栅极介电层；以及一设置于栅极介电层上且具有有效功函数的栅极金属层，其中为了施予栅极金属层零偏压并获得n端特性，选择有效功函数的栅极金属层使分立空穴能阶(H0)低于传导带最小值(Ec2)。本发明在高性能、低操作功率、以及低备用电源下可有利于运用，并在任何运用一或多个晶体管的电子装置及/或电路中可善加使用。

公开(公告)号：CN104347407B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201310327029.6

申请日：2013-07-31

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 肖德元

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/122 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7789

摘要： 本发明公开了一种制造半导体装置的方法及其半导体装置。其中在制造半导体装置的方法中，提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底、以及形成在衬底表面上的鳍片式势垒层，在所述鳍片式势垒层的表面上形成量子阱材料层，以及在量子阱材料层上形成势垒材料层，其中所述量子阱材料层适于在其中形成电子气。从而能够实现在改进短沟道效应的同时，保证了半导体装置的高迁移率。

公开(公告)号：CN101853882B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN200910210197.0

申请日：2009-10-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 柯志欣 ,  万幸仁

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/8124 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/122 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/785 ,  H01L29/812

摘要： 一种多栅晶体管包括位于衬底之上的半导体鳍。半导体鳍包括由第一半导体材料形成的中心鳍；以及半导体层，其具有位于中心鳍的相对侧的第一部分和第二部分。半导体层包括不同于第一半导体材料的第二半导体材料。多栅晶体管还包括围绕半导体鳍的侧壁的栅电极；以及位于半导体鳍的相对端的源区和漏区。每个中心鳍和半导体层从源区延伸到漏区。

公开(公告)号：CN105378930A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201480034881.7

申请日：2014-06-11

申请人： 欧培拉太阳能公司 ,  康涅狄格大学

发明人： G.W.泰勒

IPC分类号： H01L29/15

CPC分类号： H01L29/0688 ,  B82Y10/00 ,  G02B6/125 ,  H01L21/0259 ,  H01L27/144 ,  H01L27/15 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/122 ,  H01L29/127 ,  H01L29/155 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/7786 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/18 ,  H01L33/005 ,  H01L33/06 ,  H01S5/026 ,  H01S5/06203 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/309 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3412

摘要： 半导体器件包括：衬底，支承包括与量子阱中的量子点（QD-in-QW）结构偏移的至少一个调制掺杂的量子阱（QW）结构的多个层。所述调制掺杂的QW结构包括被通过间隔壁层与至少一个QW间隔开的电荷片层。所述QD-in-QW结构具有嵌入在一个或多个QW中的QD。所述QD-in-QW结构可以包括至少一个被通过势垒层分离开的模板/发射子结构配对，所述模板子结构与所述发射子结构相比具有更小的大小的QD。

公开(公告)号：CN104603952A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380036099.4

申请日：2013-07-05

申请人： 昆南诺股份有限公司

发明人： L-E.维尔纳松 ,  E.林德 ,  J.奥尔松 ,  L.萨米尔松 ,  M.比约克 ,  C.舍兰德 ,  A.迪

IPC分类号： H01L29/885 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/06 ,  H01L31/0693

CPC分类号： H01L27/0629 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/122 ,  H01L29/205 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/885 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/06 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0687 ,  Y02E10/50

摘要： 径向纳米线二极管装置包括第一导电类型的半导体芯和不同于第一导电类型的第二导电类型的半导体壳。该装置可以是TFET或太阳能电池。

公开(公告)号：CN103985742A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410049097.5

申请日：2014-02-12

申请人： 首尔半导体株式会社

发明人： 竹谷亓伸 ,  李宽铉 ,  郭俊植 ,  郑暎都 ,  李康宁

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/337 ,  H01L21/3105

CPC分类号： H01L29/7788 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/6835 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/122 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/32 ,  H01L29/34 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66909 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/802 ,  H01L29/8083 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381

摘要： 本发明公开一种垂直氮化镓晶体管及其制造方法。该垂直氮化镓晶体管具有上表面和下表面，且包括包含有氮化镓层的半导体结构体，其中，半导体结构体包括：第一导电型的第一半导体层，包含上表面、下表面以及侧面；第一导电型的第二半导体层，包覆第一导电型的第一半导体层的下表面和侧面；以及第二导电型的半导体层，位于第一半导体层与第二半导体层之间而使第一半导体层与第二半导体层分离。