公开(公告)号：CN103383835B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201310274893.4

申请日：2013-07-02

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 孙亮 ,  任章淳 ,  皇甫鲁江

IPC分类号： G09G3/32

CPC分类号： G09G3/3291 ,  G09G3/3208 ,  G09G3/3233 ,  G09G3/3258 ,  G09G5/10 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2320/0223 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2330/028

摘要： 本发明公开了一种像素电路、显示面板及显示装置，用以提高显示面板显示区域显示亮度的均匀性。所述像素电路包括：充电子电路、驱动子电路和补偿子电路；所述驱动子电路的第一端通过电源引线与第一参考电压源相连，第二端与发光器件的第一端相连，发光器件的第二端与补偿子电路的第一端相连，补偿子电路的第二端与第二参考电压源相连；驱动子电路的第三端与充电子电路相连；所述充电子电路用于在所述驱动子电路驱动所述发光器件发光之前为驱动子电路充电，所述补偿子电路用于补偿所述第一参考电压源提供给所述驱动子电路的电压在所述电源引线上的电压降。

公开(公告)号：CN104716200A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201510158315.3

申请日：2015-04-03

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 田宏伟 ,  牛亚男 ,  王祖强 ,  孙亮

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/77 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/78672

摘要： 本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管的制备方法，包括形成栅极、源极和漏极以及有源层的步骤，形成所述有源层包括：分步形成第一多晶硅层以及位于所述第一多晶硅层上方的第二多晶硅层，以及在所述第二多晶硅层中和所述第一多晶硅层的上表层加入掺杂离子。该薄膜晶体管的制备方法能减少薄膜晶体管中的界面缺陷态及不稳定因素，从而提升低温多晶硅薄膜晶体管的稳定性，获得更稳定的阵列基板和显示装置性能。

公开(公告)号：CN102994982B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201210483923.8

申请日：2012-11-23

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

发明人： 张治超 ,  孙亮 ,  赵海廷 ,  郭总杰 ,  刘正

IPC分类号： C23C16/50

摘要： 本发明公开了一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置、沉积方法及沉积装置。本发明的等离子体增强化学气相沉积电极板装置包括用于与要进行等离子体增强化学气相沉积的基板相接触的等离子体增强化学气相沉积电极板，以及能在所述基板上产生与基板平行的电场的电极块。该装置可以在基板上形成水平的电场，从而驱动基板上的电荷运动，使电荷被中和，或在电路图形中移动时耗散，故可以大大减少等离子体在化学气相沉积的基板表面上沉积材料层过程中的电荷积累，避免基板上发生静电释放。该装置还可改变基板上的局部电场，从而改变局部的成膜速度，以提高等离子体增强化学气相沉积控制处理操作的均匀性，在基底的表面上形成薄厚均匀的材料层。

公开(公告)号：CN103996694B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410171612.7

申请日：2014-04-25

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 孙亮

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L51/5265 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/5225 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/308 ,  H01L2251/5315

摘要： 本发明实施例提供了一种OLED显示器及其制备方法，涉及显示技术领域，可使显示器具有最佳的出光效率和视角特性。该OLED显示器，包括多个子像素单元，每个子像素单元包括第一区域和第二区域；第一区域包括依次设置在衬底基板上的第一电极、第一有机材料功能层和第二电极；第二区域包括依次设置在衬底基板上的第三电极、第二有机材料功能层和第四电极；第一电极和第三电极包括不透明金属层，第二电极和第四电极为半透明金属电极；第一电极、第一有机材料功能层和第二电极构成第一微腔，第三电极、第二有机材料功能层和第四电极构成第二微腔，且第一微腔和第二微腔具有不同微腔效应。用于需要具有最佳的出光效率和视角特性的显示器及其制造。

公开(公告)号：CN102945854B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201210454642.X

申请日：2012-11-13

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

发明人： 白金超 ,  孙亮 ,  丁向前 ,  李梁梁 ,  刘耀

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L51/56 ,  G02F1/1333 ,  G03F7/00

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66765

摘要： 本发明实施例提供阵列基板及阵列基板上扇出导线的制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够减小阵列基板的扇出线路的线间距，制备出满足窄边框技术要求的阵列基板。本发明的阵列基板包括：基板；设置于基板上的栅绝缘层；设置于栅绝缘层上的扇出线路，扇出线路包括多条扇出导线，扇出导线包括设置于栅绝缘层上的非晶硅层、欧姆接触层以及源漏极层，扇出导线是通过在源漏极层上形成第一光刻胶，并对第一光刻胶进行半曝光显影工艺后，对非晶硅层、欧姆接触层、源漏极层、第一光刻胶采用刻蚀工艺，然后剥离第一光刻胶，形成第二光刻胶，对第二光刻胶进行全曝光显影工艺，以及对非晶硅层采用刻蚀工艺所形成的。

公开(公告)号：CN102814305B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201210276324.9

申请日：2012-08-03

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

发明人： 丁向前 ,  孙亮 ,  白金超 ,  李梁梁 ,  刘耀

IPC分类号： B08B7/00

摘要： 本发明涉及阵列基板生产工艺中干法刻蚀工艺技术领域，公开了一种用于刻蚀工艺前清洁基板的装置，所述装置为一腔室，包括腔室本体，用于放置和传递基板。本发明还提供了一种刻蚀工艺前清洁基板的方法。本发明所设计的装置可以用于在干法刻蚀之前对其腔室本身内部环境进行清洁，最大程度上清除颗粒污染对阵列基板性能可能会造成的影响。

公开(公告)号：CN102654703B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201210093375.8

申请日：2012-03-31

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

发明人： 白金超 ,  刘耀 ,  李梁梁 ,  孙亮 ,  郝昭慧

IPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134318 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G02F2201/40 ,  H01L23/3171 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1248

摘要： 本发明提供一种阵列基板，其包括：基板；依次形成在所述基板上且相互绝缘的公共电极和像素电极；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、有源层、源电极和漏电极；所述漏电极与所述像素电极电连接；以及，与所述栅电极同层设置的公共电极线；其中，所述阵列基板还包括绝缘层，所述绝缘层位于栅电极与公共电极之间，用于将栅电极与公共电极隔离；所述公共电极通过绝缘层过孔与所述公共电极线连接。相应地，提供一种上述阵列基板的制造方法以及采用该阵列基板的显示设备。本发明所述阵列基板能够克服现有技术中存在的单元像素的开口率较低的问题。

公开(公告)号：CN102945829B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201210484373.1

申请日：2012-11-23

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

发明人： 白金超 ,  孙亮 ,  丁向前 ,  刘耀 ,  李梁梁

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/02

摘要： 本发明公开了一种阵列基板制作方法，涉及显示技术领域，该方法包括以下步骤：S1：在基板上形成包括栅极、栅线及栅绝缘层的图形；S2：形成包括有源层及沟道区域的图形；S3：形成包括源漏电极及数据线的图形；S4：形成包括像素电极及钝化层的图形。本发明还公开了一种通过上述方法制作的阵列基板及包括该阵列基板的显示装置。本发明通过先制作有源层及沟道，将所有干刻的工艺在制作源漏电极之前完成，避免了将带有数据金属层的阵列基板放入干刻设备反应腔室而导致的数据金属层静电放电，从而避免了静电放电会造成电路击穿，破坏电路结构的问题，进而提高了产品良率。

公开(公告)号：CN102629047B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201110195061.4

申请日：2011-07-12

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

发明人： 邵喜斌 ,  廖燕平 ,  孙亮 ,  王丹

IPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1335

CPC分类号： G02F1/134336 ,  G02F1/134363 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2201/40 ,  H01L33/08

摘要： 本发明公开了一种像素单元、阵列基板、液晶面板及显示设备，涉及液晶显示技术领域，解决了现有高级超维场开关模式液晶显示器中像素单元的透光率低的问题。本发明实施例中，由于组成像素单元的一部分像素电极包含于一个最小单元内，且该最小单元内组成不同像素单元的各部分像素电极上的狭缝具有相同的倾斜方向，因此，解决了现有技术中，最小单元内不同倾斜方向的狭缝在最小单元中心区域形成交汇区，导致对应于该中心区域的液晶分子不能正常旋转、影响透光率的问题，可增加该像素单元的透光率。

公开(公告)号：CN102944975B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201210418490.8

申请日：2012-10-26

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

发明人： 赵海廷 ,  孙亮 ,  孟春霞

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/42 ,  H01L21/77

摘要： 本发明实施例提供一种掩膜板及其制造方法，阵列基板的制造方法，涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域，能够增加扇出导线区需显影掉的光刻胶的量，降低显影液的浓度，以避免扇出导线区域附近的TFT在刻蚀后丧失开关特性，提高了产品的良品率。本发明的掩膜板，包括基板，设置于基板上的第一图案区及第二图案区，第二图案区包括部分透射区域和全透射区域，当刻蚀扇出导线区的源漏极层时，部分透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域，全透射区域使得涂覆在源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域，光刻胶部分保留区域对应于扇出导线，光刻胶完全去除区域对应于扇出导线之间的间隔。