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公开(公告)号：CN112871849B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202011589843.1
申请日：2020-12-29
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号： B08B3/08 , B08B3/12 , B08B3/02 , C11D3/60 , C11D3/04 , C11D3/06 , C11D3/33 , C11D3/43 , H01L21/02
摘要： 本发明提供了一种去除碳化硅晶片表面颗粒的清洗方法，本发明中的有机清洗通过碱性有机溶剂+机械作用相结合的办法，来去除表面黏着的蜡质、抛光液中的无机研磨液、硅溶胶和其余的大颗粒；无机清洗通过化学药液和机械作用相结合的办法来进一步去除碳化硅表面的小颗粒；表面钝化通过氧化作用来去除碳化硅表面的悬挂键，防止颗粒的再次吸附污染。本发明中的方法清洗的晶片通过Candela 920测试，0.3um以上颗粒数小于300个，合格率可以达到90％以上。
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公开(公告)号：CN114393512A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210113488.3
申请日：2022-01-30
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号： B24B37/08
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶片表面加工的方法，包括以下步骤，将碳化硅晶片经过双面研磨后，再经过电感耦合等离子体刻蚀后，得到表面加工后的碳化硅晶片。本发明提供的是一种新型的双面研磨方法和电感耦合等离子体加工工艺。整个加工过程中先对晶片进行双面研磨，在双面研磨的过程中，采用固结磨料的金属研磨盘进行双面研磨加工，并且加入大粒径的磨料，更有利于控制加工温度和带走研磨屑。然后对晶片进行ICP刻蚀，通过控制刻蚀气体的组成，比例和流量达到控制晶片表面的刻蚀深度，从而能能够去前道工序造成的表面损伤和金属残留，得到无损伤层的碳化硅加工表面。
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公开(公告)号：CN110592673B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201811534979.5
申请日：2018-12-14
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种高品质的大尺寸碳化硅晶体生长方法，旨在提高生长的SiC晶体质量，消除平面六方空洞缺陷。此方法包括以下步骤：将装有碳化硅原料和籽晶的坩埚放于单晶生长炉中，坩埚快速上推距离范围为5‑50mm，远离高温区，待达到一定的温度和压力条件下，坩埚缓慢下降，下降距离与坩埚上推距离一致，之后在一定的温度和压力条件下使碳化硅原料发生升华并在籽晶上结晶，将晶体冷却，获得碳化硅单晶。本发明的优点是：在晶体生长初期，使籽晶远离高温区，消除因温度高导致的籽晶烧蚀，从而消除平面六方空洞缺陷；同时保证SiC原料的充分利用，从而获得高品质的大尺寸碳化硅晶体。
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公开(公告)号：CN110592672A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201811533723.2
申请日：2018-12-14
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 北京天科合达新材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种低基面位错密度的碳化硅晶体生长方法，其包括：将装有碳化硅原料和籽晶的坩埚放于单晶生长炉中，在特定的温度和压力条件下使碳化硅原料发生升华并在籽晶上结晶，将晶体冷却，获得碳化硅单晶。本发明的优点是：在生长过程中，在温度保持在高温的条件下，通过控制生长室内的压力来调控SiC晶体生长过程的开始及中断，使碳化硅晶体在先开始生长后再中断生长然后再缓慢接长，从而促使基面位错在中断后接长时转换为刃位错，从而获得低基面位错密度的碳化硅晶体。
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公开(公告)号：CN115091544B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202210737736.1
申请日：2022-06-27
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开一种抛光垫打孔装置，包括外壳、打孔柱和抛光垫支撑腿；外壳内设有气动活塞；外壳设有外置接口，用于外接气泵；打孔柱的第一端固定于气动活塞，第二端伸出外壳外，且第二端处安装有打孔头；打孔柱和外置接口位于气动活塞两侧；抛光垫支撑腿固定于外壳，并且抛光垫支撑腿和打孔柱的第二端位于外壳的同侧。上述抛光垫打孔装置中，气动活塞安装有打孔柱，能通过气动方式驱动气动活塞移动，从而使打孔柱的打孔头对布置于抛光垫支撑腿的抛光垫进行打孔，相比于现有技术中人工打孔的方式，避免人工利用锤子和钉子多次敲击抛光垫进行打孔，能显著提高效率，避免影响产品的研抛进度。本发明还提供应用上述抛光垫打孔装置的自动供液研抛设备。
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公开(公告)号：CN117628875A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311702841.2
申请日：2023-12-12
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 深圳市重投天科半导体有限公司
IPC分类号： F26B25/18
摘要： 本发明公开了一种干燥装置及其顶刀，该顶刀包括顶刀本体；顶刀本体用于同晶圆配合的固定结构为轴对称结构，至少用于为晶圆提供对称的两处支撑；固定结构的最低处开设有排水结构，贯通顶刀本体的侧壁。本方案一方面将固定结构设置为轴对称结构，以便于为晶圆提供对称的两处支撑，使得晶圆在被支撑时处于垂直稳定的状态，避免晶圆与清洗花篮发生接触，另一方面在固定结构的最低处开设有排水结构，以使得去离子水向下流动至固定结构的最低处时可实现排出，避免发生堆积，进而以使得流动至晶圆底部边缘的去离子水能够与晶圆快速脱离，从而可避免晶圆的底部产生水印或者边缘白，确保晶圆清洗效果。
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公开(公告)号：CN117342561A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311294733.6
申请日：2023-10-08
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
IPC分类号： C01B32/984
摘要： 本发明提供了一种高纯碳化硅粉料的制备方法。与现有技术相比，本发明通过在打孔石墨圆筒内将碳硅混合原料进行高温固相反应即可得到高纯碳化硅粉末，同时可通过调控打孔石墨圆筒的孔洞使合成过程中碳硅原料具有方向性，从而得到粒径可控且分布均匀的高纯碳化硅粉料；并且该方法无需进行破碎筛分等步骤，即可得到所需粒径大小的碳化硅粉料，避免破碎过程中引入杂质元素，提高了碳化硅粉料的纯度，减少了工艺的复杂性，反应过程稳定，提高了制备效果，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN115780938A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211549716.8
申请日：2022-12-05
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本申请提供了一种线切割机的切割线监测方法及装置，涉及线切割机控制技术领域，实时获取针对线切割机内的观测件的监测视频，所述观测件用于反映所述线切割机内的切割线的工作状态，对所述监测视频抽帧，得到目标抽帧图像，分析目标抽帧图像内的观测件的工作位置相对于观测件静止位置的晃动幅度，若所述晃动幅度超过预设的最大晃动幅度，发出预警信号。本申请所述的一种线切割机的切割线监测方法及装置，通过预警信号，提前预警切割线出现断裂，以便技术人员及时处理，也减少断线次数，减少换线的工时浪费，提高工作效率。
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公开(公告)号：CN114290132A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111660362.X
申请日：2021-12-30
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶片的表面处理方法，碳化硅晶片包括A表面和B表面；其表面处理方法包括：A)将碳化硅A表面涂覆树脂膜，得到平整的A表面的碳化硅；B)将A表面固定，将B表面进行打磨；C)去除碳化硅A表面的树脂膜，固定打磨后的B面，将A面进行打磨，得到双面打磨的碳化硅晶片；D)将双面打磨的碳化硅晶片抛光，即得。采用上述方法制备的碳化硅单晶抛光片，表面翘曲度小于20μm,弯曲度小于10μm，平整度小于4μm，局部平整度小于1.5μm,表面粗糙度小于0.2nm。
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公开(公告)号：CN112871849A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202011589843.1
申请日：2020-12-29
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号： B08B3/08 , B08B3/12 , B08B3/02 , C11D3/60 , C11D3/04 , C11D3/06 , C11D3/33 , C11D3/43 , H01L21/02
摘要： 本发明提供了一种去除碳化硅晶片表面颗粒的清洗方法，本发明中的有机清洗通过碱性有机溶剂+机械作用相结合的办法，来去除表面黏着的蜡质、抛光液中的无机研磨液、硅溶胶和其余的大颗粒；无机清洗通过化学药液和机械作用相结合的办法来进一步去除碳化硅表面的小颗粒；表面钝化通过氧化作用来去除碳化硅表面的悬挂键，防止颗粒的再次吸附污染。本发明中的方法清洗的晶片通过Candela 920测试，0.3um以上颗粒数小于300个，合格率可以达到90％以上。
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